双瑜伽 (BJT)(35082)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BCP56T,115	0.0500	询价	6	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极							下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	6,000
DDTB123YU-7-F	-	询价	6782	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	DDTB123	200毫W	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	500毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	56@50mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
NSV40200UW6T1G	0.3469	询价	2207	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	NSV40200	875毫W	6-WDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	40V	2A	100nA（ICBO）	国民党	300mV@20mA，2A	150@1A，2V	140兆赫
JANS2N3498L	54.3900	询价	9567	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AA、TO-5-3金属罐		1W	TO-5	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	100伏	500毫安	10μA（ICBO）	NPN	600毫伏@30毫安，300毫安	40@150mA，10V	-
2N5551RLRMG	-	询价	9644	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	2N5551	625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	160伏	600毫安	50nA（ICBO）	NPN	200毫伏@5毫安，50毫安	80@10mA，5V	300兆赫
2SB1168S	0.4000	询价	17号	onsemi	*	大部分	的积极							下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
BC817-25	0.1300	询价	2467	扬州扬杰电子科技有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC817	300毫W	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99		3,000	45V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
RN1309,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309	100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2904FE(T5L,F,T)	-	询价	8069	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904	100毫W	ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000	50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
JANS2N3499UB/TR	85.4706	询价	6794	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/366	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，无铅		1W	UB	-			REACH 不出行	150-JANS2N3499UB/TR			50	100伏	500毫安	10μA（ICBO）	NPN	600毫伏@30毫安，300毫安	100@150mA，10V	-
2N5771-5T	-	询价	7053	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		625毫W	TO-92-3	下载				1514-2N5771-5T	EAR99	8541.21.0075	1	15V	50毫安	10纳安	国民党	600mV@5mA、50mA	50@10mA，300mV	850兆赫
PBSS5320D,115	0.4600	询价	2	安世半导体美国公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	PBSS5320	750毫W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	20V	3A	100nA（ICBO）	国民党	400mV@300mA，3A	150 @ 2A、2V	100兆赫兹
BC337-25	0.0328	询价	第420章	德欧泰克半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		625毫W	TO-92	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2796-BC337-25TR		8541.21.0000	4,000	45V	800毫安	100纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
DDTC114YUA-7-F-50	0.0306	询价	3801	分散公司	汽车、AEC-Q101、DDTA（R1≠R2系列）UA	大部分	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	DDTC114	200毫W	SOT-323	下载				31-DDTC114YUA-7-F-50	EAR99	8541.21.0095	3,000	50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	68@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
2STR1160	-	询价	9673	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2STR	500毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	60V	1A	100nA（ICBO）	NPN	430mV@100mA，1A	180@500mA，2V	-
2STX1360	-	询价	7376	意法半导体	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2STX	1W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-5213	EAR99	8541.29.0075	2,500人	60V	3A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@150mA，3A	160@1A，2V	130兆赫
2N3585	27.0788	询价	7665	微芯片	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-213AA、TO-66-2	2N3585	2.5W	TO-66 (TO-213AA)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2N3585MS	EAR99	8541.29.0095	1	300伏	2A	5毫安	NPN	750mV@125mA，1A	40@100mA，10V	-
BC557BG	-	询价	6660	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	BC557	625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000	45V	100毫安	100纳安	国民党	650mV@5mA、100mA	180@2mA，5V	320兆赫
BLF10M6200112-AMP	87.8100	询价	第537章	Ampleon美国公司	*	大部分	的积极							-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
MMBT4403LT3G	0.1400	询价	1973年	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT4403	300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000	40V	600毫安	-	国民党	750mV@50mA、500mA	100@150mA，2V	200兆赫
FJV3101RMTF	-	询价	6273	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FJV310	200毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	20@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SC4983-6-TB-E	0.0600	询价	138	onsemi	*	大部分	的积极							-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
CP588-HBC556B-CM	-	询价	3503	中央半导体公司	CP588	托盘	过时的	-	表面贴装	死			死	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		1514-CP588-HBC556B-CM	过时的		1			-		-	-
PHD13003C,126	0.0600	询价	22	恩智浦	*	大部分	的积极				博士13			下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000
FJX1182YTF	-	询价	2010年	仙童	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	FJX118	150毫W	SC-70 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000	30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	200兆赫
JANKCBD2N2222A	-	询价	2676	微芯片	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐		500毫W	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH 不出行	150-JANKCBD2N2222A			100	50V	800毫安	50纳安	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	-
2N5232A	0.3000	询价	7318	NTE电子公司	-	包	的积极	125°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		360毫W	TO-92	下载	不符合 RoHS 指令			2368-2N5232A	EAR99	8541.21.0095	1	50V	100毫安	30纳安	NPN	125mV@1mA、10mA	250@2mA，5V	-
BC 847BF E6327	-	询价	2279	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	估计847年	250毫W	PG-TSFP-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	250兆赫
2N3629	509.6550	询价	6682	微芯片	-	大部分	的积极	-	柱螺安装	TO-211MA、TO-210AC、TO-61-4、螺柱		30W	TO-61	-			REACH 不出行	150-2N3629	EAR99	8541.29.0095	1	40V	5A	-	国民党	-	-	-
PBSS4160DS-QH	0.1208	询价	8763	安世半导体美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	PBSS4160	420毫W	6-TSOP	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1727-PBSS4160DS-QHTR	EAR99	8541.21.0075	3,000	60V	第870章	100纳安	2 NPN（双）	250mV@100mA，1A	250@1mA，5V	220兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

双瑜伽 (BJT)(35082)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²