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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	获得	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2N404A	3.6200	RFQ	230	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以		150兆	TO-5	下载	rohs3符合条件			2368-2N404A	Ear99	8541.29.0095	1		35 v	150 ma	5µA（ICBO）	PNP	200mv @ 1mA，24mA	-	-
2N4126	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1		25 v	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
PUMD3/ZL，165	0.0300	RFQ	260	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							-					Ear99	8541.21.0075	1
2N5795AU	71.0700	RFQ	3058	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5795	600MW	你	-			到达不受影响	150-2N5795AU	Ear99	8541.21.0095	1		60V	600mA	10µA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
DXTN06080BFG-7	0.4000	RFQ	2171	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn		1 w	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000		80 V	1 a	20NA	NPN	500mv @ 50mA，800mA	100 @ 150mA，2V	130MHz
BD435S	-	RFQ	9366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD435	36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		32 v	4 a	100µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
2C3765-MSCL	8.4600	RFQ	8801	微芯片技术	*	大部分	积极的							-			到达不受影响	150-2C3765-MSCL			1
BCM856BSHX	-	RFQ	7555	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BCM856	200MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1727-BCM856BSHX	过时的		1		65V	100mA	15NA（icbo）	2 PNP （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	175MHz
DTA114YE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA114	150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA114YE3HZGTLTR	Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
RN1108，LF（ct	0.2000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1108	100兆	SSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
JAN2N3250A	-	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3250	360兆w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		60 V	200 ma	10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
MCH3105-TL-E	-	RFQ	9777	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MCH3105	800兆	3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	360MHz
JAN2N4405	193.6480	RFQ	9865	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1		80 V	500 MA	-	PNP	-	-	-
PEMD6,115	-	RFQ	8814	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PEMD6			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
SBC857BDW1T1G-M02	-	RFQ	6518	Onmi	汽车，AEC-Q101，SBC857BDW1T1G	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC857	380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	-			到达不受影响	488-SBC857BDW1T1G-M02	Ear99	8541.21.0095	1		45V	100mA	15NA（icbo）		650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V
BCR158	-	RFQ	2078	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR15	250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
2SD1724S	0.3300	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
DTA123JUA	0.0240	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTA123	200兆	SOT-323	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTA123JUATR	Ear99		3,000		50 V	100 ma	500NA	pnp- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms
2SD1768STPQ	-	RFQ	4813	Rohm半导体	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000		80 V	1 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	120 @ 500mA，3v	100MHz
JANS2N3741	978.4320	RFQ	2549	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2		25 w	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		80 V	10 µA	10µA	PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
2SC4616E-E	0.4300	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
BCR 179L3 E6327	-	RFQ	4721	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 179	250兆	PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000		50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
PEMD12,115	0.0700	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的							下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMD12,115-954			4,699
UNUR92ANG0L	0.1000	RFQ	1	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	UNUR92A	125 MW	SSMINI3-F3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000		50 V	80 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	150 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
Smun2130T1	0.0200	RFQ	87	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2N5583	3.9000	RFQ	50	固态公司	-	盒子	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		1W	到39	下载	rohs3符合条件	不适用		2383-2N5583	Ear99	8541.10.0080	10	-	30V	500mA		PNP		25 @ 100mA，2V	1.3GHz			-
2N2975	33.4200	RFQ	5445	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N297			-			到达不受影响	150-2N2975			1
MUN5111T1	-	RFQ	1673年	Onmi	-	大部分	过时的				MUN51			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MJE15031	1.8400	RFQ	119	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		50 W	TO-220	下载	Rohs不合规			2368-MJE15031	Ear99	8541.29.0095	1		150 v	8 a	100µA	PNP	500mv @ 100mA，1a	20 @ 4A，2V	30MHz
PDTA114TE，115	-	RFQ	4848	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA114	150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		50 V	100 ma	1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²