SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
FJNS3205RTA onsemi FJNS3205RTA -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 FJNS32 300兆 TO-92S 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
BCP51-10,135 NXP Semiconductors BCP51-10,135 -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP51 1 w SOT-223 下载 0000.00.0000 1 45 v 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
SMUN2213T1G onsemi smun2213t1g 0.2400
RFQ
ECAD 5315 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Smun2213 230兆 SC-59 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v 47科姆斯 47科姆斯
2N5195 NTE Electronics, Inc 2N5195 1.0000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 2368-2N5195 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 4 a 1ma PNP 1.2V @ 1A,4A 20 @ 1.5A,2V 2MHz
MMST3904HE3-TP Micro Commercial Co MMST3904HE3-TP 0.2000
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ECAD 9311 0.00000000 微商业公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 MMST3904 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma 50NA NPN 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 250MHz
ADTA144VCAQ-13 Diodes Incorporated ADTA144VCAQ-13 0.0526
RFQ
ECAD 3864 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ADTA144 310 MW SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-ADTA144VCAQ-13TR Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 33 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 10 kohms
JANSF2N4449 Microchip Technology JANSF2N4449 129.0708
RFQ
ECAD 2863 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/317 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AB,TO-46-3金属可以 2N4449 360兆w TO-46((TO-206AB) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400NA NPN 450mv @ 10mA,100mA 20 @ 100mA,1V -
ZTX658QSTZ Diodes Incorporated ZTX658QSTZ 0.3920
RFQ
ECAD 4766 0.00000000 二极管合并 - (TB) 积极的 -55°C 200°C(TJ) 通过洞 e-line-3,形成的铅 ZTX658 1 w to-92兼容) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 400 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 10mA,100mA 50 @ 100mA,5v 50MHz
BCX19,215 Nexperia USA Inc. BCX19,215 0.2900
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ECAD 53 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BCX19 250兆 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 620mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
JAN2N696 Microchip Technology 1月2N696 -
RFQ
ECAD 7336 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/99 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 600兆 TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 40 V 10µA(ICBO) NPN 1.5V @ 15mA,150mA 20 @ 150mA,10V -
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4902 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200MHz,250MHz 10KOHMS 10KOHMS
BC32740BU Fairchild Semiconductor BC32740BU -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 625兆 TO-92-3 下载 Ear99 8541.21.0075 52 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA,500mA 250 @ 100mA,1V 100MHz
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LXHF 0.0645
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1409 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
40036ST Microsemi Corporation 40036st -
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 不适用 过时的 0000.00.0000 1
2SC3746S onsemi 2SC3746 0.4300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1
2SA1122CDTR-E Renesas Electronics America Inc 2SA1122CDTR-E 0.1000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
TN6729A_D75Z onsemi TN6729A_D75Z -
RFQ
ECAD 6610 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) TN6729 1 w TO-226 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 10mA,250mA 50 @ 250mA,1V -
2SD1816T-H onsemi 2SD1816T-H -
RFQ
ECAD 5215 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA 2SD1816 1 w TP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 100 v 4 a 1µA(ICBO) NPN 400mv @ 200mA,2a 200 @ 500mA,5V 180MHz
FJL42150TU Fairchild Semiconductor FJL42150TU 1.6200
RFQ
ECAD 310 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1
KSA733YTA Fairchild Semiconductor KSA733Yta 0.0300
RFQ
ECAD 217 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) KSA733 250兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 1mA,6v 180MHz
BF723/ZLX Nexperia USA Inc. BF723/ZLX -
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 1.2 w SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934070728115 Ear99 8541.29.0075 1 250 v 100 ma 10NA(ICBO) PNP 600mv @ 5mA,30mA 50 @ 25mA,20V 60MHz
BC32725TF Fairchild Semiconductor BC32725TF -
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,1V 100MHz
KSD1616LBU Fairchild Semiconductor KSD1616LBU 0.0700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 750兆w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 50mA,1a 300 @ 100mA,2V 160MHz
2N3867P Microchip Technology 2n3867p 22.3650
RFQ
ECAD 1438 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜200°C 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 1 w TO-5AA - 到达不受影响 150-2N3867P Ear99 8541.29.0095 1 40 V 3 a 1µA PNP 1.5V @ 250mA,2.5a 50 @ 500mA,1V -
JAN2N3737UB Microchip Technology JAN2N3737UB 16.3856
RFQ
ECAD 5019 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/395 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 2N3737 500兆 3-ub(2.9x2.2) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 40 V 1.5 a 10µA(ICBO) NPN 900mv @ 100mA,1a 20 @ 1A,1.5V -
NSVBC114EPDXV6T1G onsemi NSVBC114EPDXV6T1G 0.1154
RFQ
ECAD 1286 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 NSVBC114 500MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 250mv @ 300µA,10mA 35 @ 5mA,10v - 10KOHMS 10KOHMS
BC807DS,115 Nexperia USA Inc. BC807DS,115 0.4800
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 BC807 600MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 45V 500mA 100NA(ICBO) 2 PNP (双) 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,1V 80MHz
MPSA92G onsemi mpsa92g -
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 MPSA92 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 300 v 500 MA 250NA(ICBO) PNP 500mv @ 2mA,20mA 25 @ 30mA,10v 50MHz
JAN2N5684 Microchip Technology JAN2N5684 173.7512
RFQ
ECAD 6458 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/466 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 2N5684 300 w TO-3(to-204AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 50 a 5µA NPN 5V @ 10a,50a 30 @ 5A,2V -
NSBC115EPDXV6T1G onsemi NSBC115EPDXV6T1G 0.0698
RFQ
ECAD 7563 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 NSBC115 357MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v - 100kohms 100kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库