SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SA1626-AZ Renesas Electronics America Inc 2SA1626-AZ -
RFQ
ECAD 8918 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 400
ASS8550-H-HF Comchip Technology ASS8550-H-HF 0.0682
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ASS8550 300兆 SOT-23-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 641-ASS8550-H-HFTR Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80mA,800mA 120 @ 100mA,1V 100MHz
MMBTA56-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBTA56-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA56 225兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-MMBTA56-AU_R1_000A1TR Ear99 8541.21.0075 3,000 80 V 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
PEMD18,115 NXP USA Inc. PEMD18,115 -
RFQ
ECAD 9747 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PEMD1 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
2N5616 Microchip Technology 2N5616 74.1300
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-204AA,TO-3 58 w TO-204AD(TO-3) - 到达不受影响 150-2N5616 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 5 a - PNP - - -
MNS2N3637UB Microchip Technology MNS2N3637UB 12.1900
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-MNS2N3637UB 1
KSE13007H2SMTU Fairchild Semiconductor KSE13007H2SMTU -
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSE13007 TO-220-3 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 - NPN 3V @ 2a,8a 8 @ 2a,5v 4MHz
BC858CW-HF Comchip Technology BC858CW-HF 0.0517
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC858 150兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-BC858CW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
EMF7T2R Rohm Semiconductor EMF7T2R -
RFQ
ECAD 5744 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 EMF7 150MW EMT6 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-EMF7T2RTR 8,000 50V,12V 100mA,500mA 500NA,100NA(ICBO) 1 NPN预先偏见,1 NPN 300mv @ 500µA,10mA / 250mv @ 10mA,200ma 20 @ 20mA,5v / 270 @ 10mA,2V 250MHz,320MHz 2.2kohms 2.2kohms
PBLS6003D-QX Nexperia USA Inc. pbls6003d-qx 0.1062
RFQ
ECAD 3942 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 PBLS6003 200MW,250MW 6-TSOP - rohs3符合条件 到达不受影响 1727-PBLS6003D-QXTR Ear99 8541.21.0075 3,000 50V,60V 100mA,700mA 1µA,100NA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 340mv @ 100mA,1a 30 @ 5mA,5v / 200 @ 1mA,5v 185MHz 10KOHMS 10KOHMS
PHPT60610PYX NXP Semiconductors PHPT60610PYX -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 1.5 w LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0075 1 60 V 10 a 100NA PNP 470MV @ 1A,10A 120 @ 500mA,2V 85MHz
BFU580G115 NXP USA Inc. BFU580G115 1.0000
RFQ
ECAD 2079 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1,000
BC856BQ-7-F Diodes Incorporated BC856BQ-7-F 0.0301
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BC856BQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 200MHz
JANSL2N2907AUB Microchip Technology JANSL2N2907AUB 102.2804
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/291 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 500兆 UB - 到达不受影响 150-JANSL2N2907AUB 1 60 V 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
DTA015TEBTL Rohm Semiconductor DTA015TEBTL 0.0351
RFQ
ECAD 7490 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-89,SOT-490 DTA015 150兆 EMT3F(SOT-416FL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA(ICBO) pnp-预先偏见 250mv @ 250µA,5mA 100 @ 5mA,10v 250 MHz 100 kohms
SMUN2212T1G onsemi smun2212t1g 0.0363
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Smun2212 230兆 SC-59 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 60 @ 5mA,10v 22 KOHMS 22 KOHMS
JANSP2N3810 Microchip Technology JASP2N3810 198.9608
RFQ
ECAD 6656 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500 /336 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-78-6金属罐 2N3810 350MW TO-78-6 - 到达不受影响 150-JANSP2N3810 1 60V 50mA 10µA(ICBO) 2 PNP (双) 250mv @ 100µA,1mA 150 @ 1mA,5V -
MMDT4413 Yangjie Technology MMDT4413 0.0300
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MMDT44 200MW SOT-363 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MMDT4413TR Ear99 3,000 40V 600mA 100NA(ICBO) NPN,PNP 750mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,1V 250MHz,200MHz
PBSS2515VPN,115 NXP USA Inc. PBSS2515VPN,115 -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS2 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
PDTD143XT215 NXP USA Inc. PDTD143XT215 0.0300
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 8,030
BC847S Diotec Semiconductor BC847 0.0482
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BC847 250MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 8541.21.0000 3,000 45V 100mA 15NA(icbo) 2 NPN (双) 600mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5V 100MHz
NTE252 NTE Electronics, Inc NTE252 9.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 160 w TO-3 下载 rohs3符合条件 2368-NTE252 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 20 a 1ma pnp-达灵顿 3V @ 200mA,20a 750 @ 10a,3v -
KSC1008CYTA Fairchild Semiconductor KSC1008CYTA 0.0600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 800兆 TO-92-3 下载 0000.00.0000 5,207 60 V 700 MA 100NA(ICBO) NPN 400mv @ 50mA,500mA 120 @ 50mA,2V 50MHz
2SA1943RTU Fairchild Semiconductor 2SA1943RTU 2.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA 150 w HPM F2 下载 Ear99 8541.29.0075 109 250 v 17 a 5µA(ICBO) PNP 3V @ 800mA,8a 55 @ 1A,5V 30MHz
ABC858CW-HF Comchip Technology ABC858CW-HF 0.0800
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 ABC858 200兆 SOT-323 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 641-ABC858CW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 250MHz
SBC807-40LT3G onsemi SBC807-40LT3G 0.2800
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SBC807 300兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 700mv @ 50mA,500mA 250 @ 100mA,1V 100MHz
MUN5231DW1T1G onsemi MUN5231DW1T1G 0.2700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MUN5231 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 250mv @ 5mA,10mA 8 @ 5mA,10v - 2.2kohms 2.2kohms
JANSP2N3439L Microchip Technology JASP2N3439L 270.2400
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/368 大部分 积极的 -55°C 〜200°C 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 800兆 TO-5AA - 到达不受影响 150-JANSP2N3439L 1 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4mA,50mA 40 @ 20mA,10v -
NSC1163 Microchip Technology NSC1163 -
RFQ
ECAD 2147 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-NSC1163 1
MMBT2907A Yangjie Technology MMBT2907A 0.0170
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 350兆 SOT-23 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MMBT2907ATR Ear99 3,000 60 V 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库