RFQ
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二极管（（166326）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
kbpm306g	-	RFQ	1588年	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm306ggn	Ear99	8541.10.0080	900					1.1 V @ 3 A		5 µA @ 50 V		3 a		单相	600 v
kbpm308g	-	RFQ	2416	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm308ggn	Ear99	8541.10.0080	900					1.1 V @ 3 A		5 µA @ 50 V		3 a		单相	800 v
kbpm310g	-	RFQ	8841	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm310ggn	Ear99	8541.10.0080	900					1.1 V @ 3 A		5 µA @ 50 V		3 a		单相	1 kV
KBU10005	0.8205	RFQ	5287	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBU10005GN	Ear99	8541.10.0080	400					1.05 V @ 10 A		10 µA @ 50 V		10 a		单相	50 V
KBU1004	0.8205	RFQ	9721	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBU1004GN	Ear99	8541.10.0080	400					1.05 V @ 10 A		10 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
kbu6d	1.7600	RFQ	3	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU6	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 6 A		10 µA @ 200 V		6 a		单相	200 v
kbu8a	-	RFQ	3434	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	300					1 V @ 8 A		10 µA @ 50 V		8 a		单相	50 V
kbu8d	0.7425	RFQ	6103	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		kbu8dgn	Ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 8 A		10 µA @ 200 V		8 a		单相	200 v
kbu8m	1.8200	RFQ	34	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 8 A		10 µA @ 1000 V		8 a		单相	1 kV
M3P100A-100	-	RFQ	1695年	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25					1.15 V @ 100 A		10 mA @ 1000 V		100 a		三期	1 kV
M3P75A-100	-	RFQ	8608	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24					1.15 V @ 75 A		10 µA @ 1000 V		75 a		三期	1 kV
M3P75A-140	-	RFQ	7969	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24					1.15 V @ 75 A		10 µA @ 1400 V		75 a		三期	1.4 kV
M3P75A-160	-	RFQ	4030	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24					1.15 V @ 75 A		10 µA @ 1600 V		75 a		三期	1.6 kV
M3P75A-80	-	RFQ	1180	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24							10 µA @ 800 V		75 a		三期	800 v
MBR12080CT	68.8455	RFQ	1773年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR12080	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR12080CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	80 V	120A（DC）	840 mv @ 60 a		3 ma @ 20 V
MBR20040CT	90.1380	RFQ	2790	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR20040	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR20040CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	200a（DC）	650 MV @ 100 A		5 ma @ 20 V
MBR20040CTR	90.1380	RFQ	1535年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR20040	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR20040CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	40 V	200a（DC）	650 MV @ 100 A		5 ma @ 20 V
MBR20045CTR	90.1380	RFQ	1612	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR20045	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR20045CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	45 v	200a（DC）	650 MV @ 100 A		5 ma @ 20 V
MBR20080CT	90.1380	RFQ	7252	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR20080	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR20080CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	80 V	200a（DC）	840 mv @ 100 a		5 ma @ 20 V
MBR300100CT	94.5030	RFQ	1755年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR300100	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR300100CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	150a	840 mv @ 150 A		8 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
murt40005r	-	RFQ	3577	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murt40005rgn	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	50 V	200a	1.3 V @ 200 A	125 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
Murt40020	132.0780	RFQ	9233	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murt40020gn	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	200a	1.3 V @ 200 A	125 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
Murt40060	-	RFQ	9179	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murt40060gn	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	200a	1.7 V @ 200 A	240 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
Murta60040r	188.1435	RFQ	1280	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta60040	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murta60040rgn	Ear99	8541.10.0080	24	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	400 v	300A	1.5 V @ 300 A	220 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
Murta60060r	188.1435	RFQ	1786年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta60060	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murta60060rgn	Ear99	8541.10.0080	24	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	600 v	300A	1.7 V @ 300 A	280 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
S12B	6.3300	RFQ	82	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
S12D	4.2345	RFQ	1447	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
S12G	4.2345	RFQ	4684	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S12GGN	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
S12JR	4.2345	RFQ	5517	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S12J	标准，反极性	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S12JRGN	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
S12K	4.2345	RFQ	2809	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S12KGN	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²