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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BR61 | 0.7425 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | br61gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | ||
![]() | BR610 | 0.7425 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR610GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||
BR62 | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||
BR84 | 0.8910 | ![]() | 1683年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-8 | 标准 | BR-8 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR84GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | |||
![]() | DB104G | 0.1980 | ![]() | 2293 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB104 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB104GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1 a | 单相 | 400 v | |
![]() | DB107G | 0.1980 | ![]() | 5022 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB107 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB107GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | |
![]() | DB152G | 0.2325 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB152 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB152GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | |
![]() | DB153G | 0.2325 | ![]() | 7910 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB153 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB153GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 200 v | |
GBL06 | 0.4230 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | 标准 | GBL | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 a | 单相 | 600 v | ||||
![]() | GBL08 | 0.4230 | ![]() | 2016 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | 标准 | GBL | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBL08GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBPC15010T | 1.8979 | ![]() | 8514 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-T | GBPC15010 | 标准 | GBPC-T | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | GBPC1502T | 2.4180 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1502 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | GBPC1508T | 2.4180 | ![]() | 8094 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1508 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBPC2502T | 2.5335 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2502 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | GBPC2504T | 4.2000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2504 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | GBPC2506T | 4.2000 | ![]() | 923 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2506 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | ||
GBPC3502T | 4.6200 | ![]() | 676 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-T | GBPC3502 | 标准 | GBPC-T | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 35 a | 单相 | 200 v | |||
GBPC3504T | 4.6200 | ![]() | 467 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-T | GBPC3504 | 标准 | GBPC-T | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | |||
![]() | GBPC3508T | 2.8650 | ![]() | 9078 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC3508 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 35 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBPC50005T | 4.0155 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC50005 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 50 V | 50 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | GBU10J | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU10 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu10jgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | |
![]() | GBU10K | 1.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU10 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu10kgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 800 V | 10 a | 单相 | 800 v | |
![]() | GBU10M | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU10 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU10MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 1000 V | 10 a | 单相 | 1 kV | |
![]() | GBU15B | 0.6120 | ![]() | 4357 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU15 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu15bgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 100 V | 15 a | 单相 | 100 v | |
![]() | GBU15D | 0.6120 | ![]() | 9784 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU15 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU15DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | |
![]() | GBU15M | 0.6120 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU15 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU15MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | |
gbu4a | 1.4500 | ![]() | 348 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 a | 单相 | 50 V | |||
![]() | GBU4B | 0.4725 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 100 V | 4 a | 单相 | 100 v | ||
![]() | gbu4d | 0.4725 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu4dgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 4 a | 单相 | 200 v | |
![]() | GBU4J | 0.4725 | ![]() | 4987 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu4jgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 a | 单相 | 600 v |
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