SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
BR61 GeneSiC Semiconductor BR61 0.7425
RFQ
ECAD 4886 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) br61gn Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 100 V 6 a 单相 100 v
BR610 GeneSiC Semiconductor BR610 0.7425
RFQ
ECAD 5194 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR610GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 1000 V 6 a 单相 1 kV
BR62 GeneSiC Semiconductor BR62 1.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
BR84 GeneSiC Semiconductor BR84 0.8910
RFQ
ECAD 1683年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-8 标准 BR-8 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR84GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
DB104G GeneSiC Semiconductor DB104G 0.1980
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB104 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB104GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 1 a 单相 400 v
DB107G GeneSiC Semiconductor DB107G 0.1980
RFQ
ECAD 5022 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB107 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB107GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 1 a 单相 1 kV
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0.2325
RFQ
ECAD 4573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB152 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB152GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
DB153G GeneSiC Semiconductor DB153G 0.2325
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB153 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB153GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
GBL06 GeneSiC Semiconductor GBL06 0.4230
RFQ
ECAD 1043 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl 标准 GBL - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
GBL08 GeneSiC Semiconductor GBL08 0.4230
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl 标准 GBL - Rohs符合条件 (1 (无限) GBL08GN Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC-T GBPC15010 标准 GBPC-T - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBPC1502T GeneSiC Semiconductor GBPC1502T 2.4180
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1502 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
ECAD 8094 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1508 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
GBPC2502T GeneSiC Semiconductor GBPC2502T 2.5335
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2502 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
GBPC2504T GeneSiC Semiconductor GBPC2504T 4.2000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2504 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
GBPC2506T GeneSiC Semiconductor GBPC2506T 4.2000
RFQ
ECAD 923 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2506 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
GBPC3502T GeneSiC Semiconductor GBPC3502T 4.6200
RFQ
ECAD 676 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC-T GBPC3502 标准 GBPC-T 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
GBPC3504T GeneSiC Semiconductor GBPC3504T 4.6200
RFQ
ECAD 467 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC-T GBPC3504 标准 GBPC-T 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
GBPC3508T GeneSiC Semiconductor GBPC3508T 2.8650
RFQ
ECAD 9078 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC3508 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
RFQ
ECAD 5604 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC50005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
GBU10J GeneSiC Semiconductor GBU10J 1.6300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu10jgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 5 A 5 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
GBU10K GeneSiC Semiconductor GBU10K 1.6300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu10kgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
GBU10M GeneSiC Semiconductor GBU10M 1.6300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBU10MGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V 10 a 单相 1 kV
GBU15B GeneSiC Semiconductor GBU15B 0.6120
RFQ
ECAD 4357 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu15bgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 100 V 15 a 单相 100 v
GBU15D GeneSiC Semiconductor GBU15D 0.6120
RFQ
ECAD 9784 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBU15DGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
GBU15M GeneSiC Semiconductor GBU15M 0.6120
RFQ
ECAD 3489 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBU15MGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a 1.4500
RFQ
ECAD 348 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 a 单相 50 V
GBU4B GeneSiC Semiconductor GBU4B 0.4725
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 4 a 单相 100 v
GBU4D GeneSiC Semiconductor gbu4d 0.4725
RFQ
ECAD 9290 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu4dgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 a 单相 200 v
GBU4J GeneSiC Semiconductor GBU4J 0.4725
RFQ
ECAD 4987 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu4jgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库