SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
MUR30040CTR GeneSiC Semiconductor MUR30040CTR 118.4160
RFQ
ECAD 2621 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR30040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 400 v 150a 1.5 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30060CT GeneSiC Semiconductor MUR30060CT 118.4160
RFQ
ECAD 9429 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR30060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 150a 1.7 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor MUR40005CT -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR40005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR5020R GeneSiC Semiconductor MUR5020R 17.8380
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR5020 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR5020RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
MUR7005R GeneSiC Semiconductor MUR7005R 17.7855
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR7005 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7005RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR7010 GeneSiC Semiconductor MUR7010 17.5905
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7010GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR7060 GeneSiC Semiconductor MUR7060 17.5905
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR7060R GeneSiC Semiconductor MUR7060R 17.7855
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR7060 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7060RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MURF10005 GeneSiC Semiconductor Murf10005 -
RFQ
ECAD 2925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) murf10005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10005R GeneSiC Semiconductor murf10005r -
RFQ
ECAD 9420 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) murf10005rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10040R GeneSiC Semiconductor murf10040r -
RFQ
ECAD 2115 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - (1 (无限) murf10040rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10060R GeneSiC Semiconductor murf10060r -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - (1 (无限) murf10060rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURH10010 GeneSiC Semiconductor Murh10010 49.5120
RFQ
ECAD 9951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murh10010gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MURH10060 GeneSiC Semiconductor Murh10060 49.5120
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murh10060gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 100 A 110 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C 100a -
MURH10060R GeneSiC Semiconductor Murh10060r 49.5120
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh10060 标准,反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Murh10060RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 100 A 110 ns 25 µA @ 600 V 100a -
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Murt20005 -
RFQ
ECAD 2304 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt20005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005r -
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Murt20005RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20040 GeneSiC Semiconductor Murt20040 104.4930
RFQ
ECAD 3859 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt20040gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 100a 1.35 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040r 104.4930
RFQ
ECAD 8659 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt20040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Murt20040RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 400 v 100a 1.35 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR30030CT GeneSiC Semiconductor MBR30030CT 94.5030
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR30030CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR30080CT GeneSiC Semiconductor MBR30080CT 94.5030
RFQ
ECAD 4027 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR30080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR30080CTR GeneSiC Semiconductor MBR30080CTR 94.5030
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR30080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR35100R GeneSiC Semiconductor MBR35100R 15.1785
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 MBR35100 肖特基,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR35100RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 840 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBR3520R GeneSiC Semiconductor MBR3520R 15.1785
RFQ
ECAD 4876 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 MBR3520 肖特基,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR3520RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBR40045CT GeneSiC Semiconductor MBR40045CT 98.8155
RFQ
ECAD 9718 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR40045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor MBR40045CTR 98.8155
RFQ
ECAD 6210 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR40045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 45 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR40080CT GeneSiC Semiconductor MBR40080CT 98.8155
RFQ
ECAD 1784年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR40080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR50045CT GeneSiC Semiconductor MBR50045CT -
RFQ
ECAD 5053 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR60030CT GeneSiC Semiconductor MBR60030CT 129.3585
RFQ
ECAD 8524 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR60030CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor MBR60030CTR 129.3585
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR60030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库