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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR30040CTR | 118.4160 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30040CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 150a | 1.5 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR30060CT | 118.4160 | ![]() | 9429 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30060 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30060CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 150a | 1.7 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MUR40005CT | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40005CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 200a | 1.3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR5020 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR5020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 50 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||
![]() | MUR7005R | 17.7855 | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR7005 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7005RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | MUR7010 | 17.5905 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7010GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MUR7060 | 17.5905 | ![]() | 5311 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MUR7060R | 17.7855 | ![]() | 1102 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR7060 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | Murf10005 | - | ![]() | 2925 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | murf10005gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | murf10005r | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | murf10005rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | murf10040r | - | ![]() | 2115 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | (1 (无限) | murf10040rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | murf10060r | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | (1 (无限) | murf10060rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 50a | 1.7 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | Murh10010 | 49.5120 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murh10010gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | |||||
![]() | Murh10060 | 49.5120 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murh10060gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 100 A | 110 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 100a | - | ||||
![]() | Murh10060r | 49.5120 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | Murh10060 | 标准,反极性 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murh10060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 100 A | 110 ns | 25 µA @ 600 V | 100a | - | ||||
![]() | Murt20005 | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt20005gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | murt20005r | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt20005RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | Murt20040 | 104.4930 | ![]() | 3859 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt20040gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 100a | 1.35 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | murt20040r | 104.4930 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murt20040 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt20040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 100a | 1.35 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR30030CT | 94.5030 | ![]() | 3603 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR30030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR30030CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 150a | 650 MV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR30080CT | 94.5030 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR30080 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR30080CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 150a | 840 mv @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR30080CTR | 94.5030 | ![]() | 7792 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR30080 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR30080CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 150a | 840 mv @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR35100R | 15.1785 | ![]() | 2865 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | MBR35100 | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR35100RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 35 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 35a | - | ||||
![]() | MBR3520R | 15.1785 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | MBR3520 | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR3520RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 680 mv @ 35 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 35a | - | ||||
![]() | MBR40045CT | 98.8155 | ![]() | 9718 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40045 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40045CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR40045CTR | 98.8155 | ![]() | 6210 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40045 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40045CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR40080CT | 98.8155 | ![]() | 1784年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40080 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40080CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 200a | 840 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR50045CT | - | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR60030CT | 129.3585 | ![]() | 8524 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60030CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR60030CTR | 129.3585 | ![]() | 3746 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60030CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C |
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