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二极管（（166326）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50040RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50045RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60045RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT15080A GeneSiC Semiconductor MSRT15080A 38.5632
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT250140A GeneSiC Semiconductor MSRT250140A 54.2296
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250140 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
 ECAD 1769年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT25060 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT25080 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA300120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300120AD 113.5544
RFQ
 ECAD 4573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 300A 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 300A 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA30060A GeneSiC Semiconductor MSRTA30060A 56.2380
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 300A（DC） 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60.2552
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA40080 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA50060A GeneSiC Semiconductor MSRTA50060A 101.4000
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA50060 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA50080A GeneSiC Semiconductor MSRTA50080A 101.4000
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA50080 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA600140 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ctr -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor MUR10010CT 75.1110
RFQ
 ECAD 8480 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10010ctgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10010ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct 75.1110
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10040ctgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10040ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10060ct -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10060ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor MUR30005CT -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor MUR30005CTR -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 3859 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30010CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 150a 1.5 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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