SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
1N2128AR GeneSiC Semiconductor 1N2128AR 8.9025
RFQ
ECAD 1559年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2128AR 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N2128ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1N2131AR 11.7300
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2131AR 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3208R 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3208RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3210 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3211 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3211GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3211R GeneSiC Semiconductor 1N3211R 7.0650
RFQ
ECAD 3529 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3211R 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3211RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3212 GeneSiC Semiconductor 1N3212 7.0650
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3212 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3212GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
1N3291A GeneSiC Semiconductor 1N3291A 33.5805
RFQ
ECAD 8851 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3291 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3291AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.5 V @ 100 A 24 ma @ 400 V -40°C 200°C 100a -
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293A 33.5805
RFQ
ECAD 2493 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3293 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3293AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.5 V @ 100 A 17 ma @ 600 V -40°C 200°C 100a -
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
RFQ
ECAD 5372 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3293AR 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3293ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.5 V @ 100 A 17 ma @ 600 V -40°C 200°C 100a -
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
RFQ
ECAD 6744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3294 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3294AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.5 V @ 100 A 13 ma @ 800 V -40°C 200°C 100a -
1N3297A GeneSiC Semiconductor 1N3297A 33.8130
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3297 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3297AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.5 V @ 100 A 7 ma @ 1400 V -40°C 200°C 100a -
1N3765 GeneSiC Semiconductor 1N3765 6.2320
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3765 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3765GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3765R 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3765RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
1N3766 GeneSiC Semiconductor 1N3766 6.2320
RFQ
ECAD 4148 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3766 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3766GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
RFQ
ECAD 7871 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3890 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N3890GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
RFQ
ECAD 3219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4588 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4588GN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.5 V @ 150 A 9.5 ma @ 200 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4590 GeneSiC Semiconductor 1N4590 35.5695
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4590 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4590GN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.5 V @ 150 A 9 ma @ 400 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4590R 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4590RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.5 V @ 150 A 9 ma @ 400 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4592R GeneSiC Semiconductor 1N4592R 35.5695
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4592R 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4592RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.5 V @ 150 A 6.5 ma @ 600 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4593 GeneSiC Semiconductor 1N4593 35.5695
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4593 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4593GN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.5 V @ 150 A 5.5 ma @ 800 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4593R 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4593RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.5 V @ 150 A 5.5 ma @ 800 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4595R GeneSiC Semiconductor 1N4595R 35.5695
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4595R 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.5 V @ 150 A 4 ma @ 1200 V -60°C 〜200°C 150a -
1N5828R GeneSiC Semiconductor 1N5828R 13.3005
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N5828R 肖特基,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5828RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 15 a 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
1N5829 GeneSiC Semiconductor 1N5829 14.0145
RFQ
ECAD 1994 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N5829 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5829GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1N6096 14.0145
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N6096 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N6096GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
1N6097R GeneSiC Semiconductor 1N6097R 21.5010
RFQ
ECAD 5797 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N6097R 肖特基,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N6097RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N6098R 肖特基,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N6098RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
2W02M GeneSiC Semiconductor 2W02M -
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆,妇女 标准 口碑营销 下载 (1 (无限) 2W02MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W10m -
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆,妇女 标准 口碑营销 下载 (1 (无限) 2W10MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库