SIC
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单二极管（（57622）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
1N5620US Microchip Technology 1N5620U 8.5050
RFQ
 ECAD 5580 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5620 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 800 V -65°C 〜200°C 1a -
1N5621 Microchip Technology 1N5621 -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 a，轴向 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.6 V @ 3 A 300 ns 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 20pf @ 12v，1MHz
1N5621US Microchip Technology 1N5621US 8.3850
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5621 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.6 V @ 3 A 300 ns 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 20pf @ 12v，1MHz
1N485A Microchip Technology 1N485A 4.2150
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N485 标准 do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 180 v 1 V @ 100 ma 25 na @ 180 V -65°C〜175°C 100mA -
1N4946 Microchip Technology 1N4946 6.2400
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4946 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 12V，1MHz
1N5181 Microchip Technology 1N5181 -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 S，轴向 标准 S，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 4000 v 10 V @ 100 ma 5 µA @ 4000 V -65°C〜175°C 100mA -
1N5182 Microchip Technology 1N5182 -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 S，轴向 标准 S，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 5000 v 10 V @ 100 ma 5 µA @ 5000 V -65°C〜175°C 100mA -
1N5187 Microchip Technology 1N5187 8.1000
RFQ
 ECAD 1526年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5187 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.5 V @ 9 A 200 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a -
1N5187US Microchip Technology 1N5187US 9.2550
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5187 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.5 V @ 9 A 200 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a -
1N5189 Microchip Technology 1N5189 8.1000
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5189 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 500 v 1.5 V @ 9 A 300 ns 2 µA @ 500 V -65°C〜175°C 3a -
1N5189US Microchip Technology 1N5189US 9.2550
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，E 1N5189 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 500 v 1.5 V @ 9 A 300 ns 2 µA @ 500 V -65°C〜175°C 3a -
1N5195UR Microchip Technology 1N5195UR 8.1000
RFQ
 ECAD 4718 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 DO-213AA（） 1N5195 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 180 v 1 V @ 100 ma 25 na @ 180 V -65°C〜175°C 200mA -
1N3070UR-1 Microchip Technology 1N3070UR-1 7.0200
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N3070 标准 do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 175 v 1 V @ 100 ma 50 ns 100 NA @ 175 V -65°C〜175°C 100mA -
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367，H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 1SS367 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 10 v 500 mv @ 100 ma 20 µA @ 10 V 125°c （最大） 100mA 40pf @ 0v，1MHz
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 1SS394 肖特基 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 10 v 500 mv @ 100 ma 20 µA @ 10 V 125°c （最大） 100mA 40pf @ 0v，1MHz
HS247180R Microsemi Corporation HS247180R -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 半粉 肖特基，反极性 半粉 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 180 v 860 MV @ 240 A 8 ma @ 180 V 240a 6000pf @ 5V，1MHz
HS243100R Microsemi Corporation HS243100R -
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 半粉 肖特基，反极性 半粉 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 860 MV @ 240 A 8 ma @ 100 V 240a 6400pf @ 5V，1MHz
HS18135R Microsemi Corporation HS18135R -
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 半粉 肖特基，反极性 半粉 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 700 MV @ 180 A 4 mA @ 35 V 180a 7500pf @ 5V，1MHz
HS24040R Microsemi Corporation HS24040R -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 半粉 肖特基，反极性 半粉 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 MV @ 240 A 12 ma @ 40 V 240a 10500pf @ 5V，1MHz
DLA40IM800PC-TRL IXYS dla40im800pc-trl 4.4800
RFQ
 ECAD 352 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DLA40 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.3 V @ 40 A 10 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 40a 10pf @ 400V，1MHz
DNA30E2200PA IXYS DNA30E2200PA 4.6400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DNA30E2200 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2200 v 1.26 V @ 30 A 40 µA @ 2200 V -55°C 〜175°C 30a 7pf @ 700V，1MHz
DNA30EM2200PC IXYS DNA30EM2200PC -
RFQ
 ECAD 7471 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DNA30EM2200 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2200 v 1.26 V @ 30 A 40 µA @ 2200 V -55°C 〜175°C 30a 7pf @ 700V，1MHz
DPF30I300PA IXYS DPF30I300PA 4.2200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DPF30I300 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.17 V @ 30 A 55 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 30a 42pf @ 150V，1MHz
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045AS-tub -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSS16 肖特基 TO-263AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 670 mv @ 15 A 500 µA @ 45 V -55°C 〜175°C 16a -
JANTXV1N4245 Microchip Technology JANTXV1N4245 7.8900
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/286 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4245 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.3 V @ 3 A 5 µs 1 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
JANTXV1N4249 Microchip Technology JANTXV1N4249 8.0100
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/286 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4249 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.3 V @ 3 A 5 µs 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a -
JANTXV1N5415US Microchip Technology JANTXV1N5415US -
RFQ
 ECAD 1762年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 在sic中停产 表面安装 SQ-MELF，E 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5416 Microchip Technology JANTXV1N5416 -
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 在sic中停产 通过洞 B，轴向 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5614 Microchip Technology JANTXV1N5614 8.8200
RFQ
 ECAD 1921年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5614 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 200 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5614US Microchip Technology JANTXV1N5614US 10.1550
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5614 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 200 V -65°C 〜200°C 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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