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单二极管（（57622）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
UTR62	9.2550	RFQ	2652	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	a，轴向		标准	a，轴向	-			到达不受影响	150-UTR62	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.1 V @ 1 A	400 ns	3 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	40pf @ 0v，1MHz
1N4588RD	102.2400	RFQ	7975	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性	DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4588RD	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N1660	158.8200	RFQ	8219	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准	DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N1660	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N2439	102.2400	RFQ	1880年	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准	DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N2439	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
40CDQ035	78.7200	RFQ	5144	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		肖特基	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-40CDQ035	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	35 v	700 mv @ 30 a		1.5 ma @ 35 V	-65°C〜175°C	30a	-
S3770	61.1550	RFQ	1114	微芯片技术	*	大部分	积极的						-			到达不受影响	150-S3770			1
60CDQ045	84.1950	RFQ	9246	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		肖特基	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-60CDQ045	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	680 mv @ 30 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	30a	-
30FQ045	64.5600	RFQ	2315	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基	DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-30FQ045	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	630 MV @ 30 A		1.5 ma @ 45 V	-55°C 〜175°C	30a	-
R4350T	102.2400	RFQ	1609年	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准	DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4350T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N5806	32.3850	RFQ	1723年	微芯片技术	-	大部分	积极的	表面安装	SQ-MELF，a		标准	a，平方米	-			到达不受影响	150-1N5806urs	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	160 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
R714XE	55.6500	RFQ	6613	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-R714XE	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 ma @ 400 V	-65°C〜150°C	15a	-
1N2131	74.5200	RFQ	2193	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2131	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N412B	147.9750	RFQ	6816	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准	DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N412B	Ear99	8541.10.0050	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANTX1N6873UTK2CS	413.4000	RFQ	5011	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的	表面安装	Thinkey™2		标准	Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANTX1N6873UTK2CS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
R36150	49.0050	RFQ	4781	微芯片技术	*	大部分	积极的						-			到达不受影响	150-R36150			1
1N2130	74.5200	RFQ	4178	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2130	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	70a	-
SBR6040R	148.2150	RFQ	4862	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基	DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-SBR6040R	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	600 mv @ 60 a		2 ma @ 40 V	-65°C〜150°C	60a	-
JAN1N6873UTK2	364.5450	RFQ	7908	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的	表面安装	Thinkey™2		标准	Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JAN1N6873UTK2	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
1N4531UR-1	3.4050	RFQ	1767年	微芯片技术	-	大部分	积极的	表面安装	do-213aa		标准	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4531UR-1	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	125mA	-
UTR4360	12.8400	RFQ	5008	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	B，轴向		标准	B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR4360	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.1 V @ 4 A	400 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	160pf @ 0v，1MHz
20FQ040	54.5550	RFQ	3971	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基	DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-20FQ040	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	580 mv @ 25 A		2 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	30a	-
1N2282R	74.5200	RFQ	6376	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2282R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	35a	-
1N2230A	44.1600	RFQ	1492	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N22330A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	5a	-
S53140T	158.8200	RFQ	4885	微芯片技术	*	大部分	积极的						-			到达不受影响	150-S53140T			1
1N2137R	74.5200	RFQ	3804	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2137R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N2794	74.5200	RFQ	4593	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2794	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	5a	-
1N2133	74.5200	RFQ	6301	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2133	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N3970R	62.1150	RFQ	6081	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N3970R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
str10100lyd_l2_00001	0.8200	RFQ	6	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Str10100	肖特基	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-STR10100LYD_L2_00001CT	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	750 MV @ 10 A		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	10a	560pf @ 4V，1MHz
VS-E5TH2106S2LHM3	2.4900	RFQ	850	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，Fredpt®G5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.68 V @ 20 A	47 ns	10 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	20a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单二极管（（57622）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²