SIC
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单二极管（（57622）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
DB2631100L Panasonic Electronic Components DB2631100L -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 SOD-882 DB26311 标准 SOD-882 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 560 mv @ 200 ma 2.2 ns 5 µA @ 30 V 125°c （最大） 200mA 6pf @ 10V，1MHz
DB2J40600L Panasonic Electronic Components DB2J40600L -
RFQ
 ECAD 8508 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 SC-90，SOD-323F DB2J406 肖特基 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 40 V 600 mv @ 100 ma 900 ps 5 µA @ 40 V 125°c （最大） 100mA 2.2pf @ 10V，1MHz
DB2U31600L Panasonic Electronic Components DB2U31600L -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOD-923 DB2U316 肖特基 SOD-923 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 550 mv @ 100 ma 800 ps 15 µA @ 30 V 125°c （最大） 100mA 2pf @ 10V，1MHz
DB3X201K0L Panasonic Electronic Components DB3X201K0L -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DB3X201 肖特基 SC-59 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 550 mv @ 500 mA 4.3 ns 10 µA @ 10 V 125°c （最大） 500mA 12pf @ 10V，1MHz
1N3612 Microchip Technology 1N3612 -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 a，轴向 1N3612 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 1 A 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
1N3643 Microchip Technology 1N3643 15.8400
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 S，轴向 1N3643 标准 S，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 5 V @ 250 MA 100 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 250mA -
1N4150-1 Microchip Technology 1N4150-1 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4150 标准 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
1N4153UR-1 Microchip Technology 1N4153UR-1 1.5400
RFQ
 ECAD 543 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N4153 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 50 V 50 na @ 50 V -65°C〜175°C 150mA 2pf @ 0v，1MHz
1N4247 Microchip Technology 1N4247 5.0700
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4247 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.3 V @ 3 A 5 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
1N4449 Microchip Technology 1N4449 -
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 标准 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 75 v 1 V @ 30 mA 4 ns 25 na @ 20 V -65°C〜150°C 200mA -
1N4459 Microchip Technology 1N4459 40.3950
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N4459 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.5 V @ 15 A 50 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 15a -
1N4531UR Microsemi Corporation 1N4531ur 3.4050
RFQ
 ECAD 9812 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N4531 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 75 v 1.2 V @ 100 ma 20 ns 500 NA @ 75 V -65°C〜175°C 125mA -
1N4532 Microchip Technology 1N4532 2.3250
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 1N4532 标准 do-34 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 50 V 1 V @ 10 mA 30 ns 100 na @ 50 V -55°C 〜175°C 125mA -
1N4532UR Microchip Technology 1N4532UR 2.7450
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 1N4532 标准 do-34 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 50 V 1 V @ 10 mA 30 ns 100 na @ 50 V -55°C 〜175°C 125mA -
1N6073 Microchip Technology 1N6073 -
RFQ
 ECAD 1660年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 a，轴向 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 2.04 V @ 9.4 A 30 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜155°C 850mA -
1N6074 Microchip Technology 1N6074 15.5850
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N6074 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 2.04 V @ 9.4 A 30 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜155°C 850mA -
1N6077US Microchip Technology 1N6077US 23.4000
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，E 1N6077 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.76 V @ 18.8 A 30 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜155°C 6a -
1N6078 Microchip Technology 1N6078 26.9100
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N6078 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 1.76 V @ 18.8 A 30 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜155°C 1.3a -
1N6079 Microchip Technology 1N6079 34.4550
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N6079 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.5 V @ 37.7 A 30 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜155°C 2a -
1N6080US Microchip Technology 1N6080US -
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 SQ-MELF，G 标准 G-MELF（D-5C） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.5 V @ 37.7 A 30 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜155°C 2a -
1N5803 Microchip Technology 1N5803 -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 通过洞 a，轴向 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 75 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 75 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V，1MHz
1N5807 Microchip Technology 1N5807 7.2400
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5807 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V，1MHz
1N5809 Microchip Technology 1N5809 7.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5809 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V，1MHz
1N483 Microchip Technology 1N483 4.2150
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N483 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1
1N485 Microchip Technology 1N485 4.2150
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N485 标准 do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 180 v 1 V @ 100 ma 25 na @ 180 V -65°C〜175°C 100mA -
1N5280A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5280A（DO-35） -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5280 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 137 V
1N5280B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5280B（DO-35） -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5280 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 144 V
1N5281B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5281B（DO-35） -
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5281 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 152 V
1N5416 Microchip Technology 1N5416 6.5200
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5416 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
1N5417US Microchip Technology 1N5417US 9.7200
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，E 1N5417 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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