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单分散(57622)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 电压 - 反向 (Vr)（最大） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
31DF4 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 31DF4 B0G -
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 ECAD 7680 0.00000000 台积电 - 大部分 的积极 通孔 DO-201AD，缝合 31DF4 标准 DO-201AD 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1.7V@3A 35纳秒 20μA@400V -40℃～150℃ 3A -
PMEG3030BEP-QX Nexperia USA Inc. PMEG3030BEP-QX 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 安世半导体美国公司 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 肖特基 SOD-128/CFP5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏 @ 3安 30V时为150μA 150℃ 3A 500pF@1V、1MHz
1N2130A GeneSiC Semiconductor 1N2130A 8.9025
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 ECAD 2480 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2130 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1093 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 150伏 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃～200℃ 60A -
SK84C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK84C R6G -
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 ECAD 4024 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 DO-214AB、SMC 肖特基 DO-214AB（SMC） - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1801-SK84CR6GTR EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 550毫伏@8安 40V时为500μA -55℃～125℃ 8A -
GS1A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. GS1A-AU_R1_000A1 -
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 ECAD 4820 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 DO-214AC、SMA GS1 标准 SMA (DO-214AC) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 3757-GS1A-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.10.0080 1,800 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 50V 1.1V@1A 50V时为1μA -55℃～150℃ 1A 12pF@4V，1MHz
CDBZ0130R-A1HF Comchip Technology CDBZ0130R-A1HF -
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 ECAD 9417 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 0201（0603 公制） 肖特基 0201/DFN0603 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 641-CDBZ0130R-A1HFTR EAR99 8541.10.0070 10,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 850 毫伏 @ 100 毫安 30V时为20μA 125℃ 100毫安 -
PSDH30120L1_T0_00001 Panjit International Inc. PSDH30120L1_T0_00001 5.4000
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 ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 PSDH30120 标准 TO-247AD-2 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 3757-PSDH30120L1_T0_00001 EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1200伏 2.6V@30A 240纳秒 1200V时为250μA -55℃～150℃ 30A -
SN1P EIC SEMICONDUCTOR INC. SN1P 0.1300
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 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 SMA (DO-214AC) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 2439-SN1PTR 8541.10.0000 10,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1600伏 2.2V@1A 1600V时为5μA -40℃～150℃ 1A 36pF @ 4V、1MHz
MUR110SH Taiwan Semiconductor Corporation 穆尔110SH 0.1162
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 ECAD 7737 0.00000000 台积电 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB 穆尔110 标准 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 875 毫伏 @ 1 安 25纳秒 100V时为2μA -55℃～175℃ 1A -
SK55C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK55C M6 -
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 ECAD 4278 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 DO-214AB、SMC 肖特基 DO-214AB（SMC） 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1801-SK55CM6TR EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 50V 750毫伏@5安 50V时为500μA -55℃～150℃ 5A -
MBR560MFST1G onsemi MBR560MFST1G -
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 ECAD 9877 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 8-PowerTDFN，5接口 MBR560 肖特基 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,500人 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 60V 780 毫伏 @ 5 安 60V时为150μA -55℃～175℃ 5A -
CGRB205-G Comchip Technology CGRB205-G 0.1008
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 ECAD 1804 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB CGRB205 标准 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 641-CGRB205-GTR EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.1V@2A 5μA@600V 150℃ 2A -
G4S12020A Global Power Technology Co. Ltd G4S12020A -
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 ECAD 4610 0.00000000 环球动力科技有限公司 - 大部分 的积极 - 供应商未定义 4436-G4S12020A 1
IDW40E65D1FKSA1 Infineon Technologies IDW40E65D1FKSA1 3.1200
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 ECAD 190 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 IDW40E65 标准 PG-TO247-3-1 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 650伏 1.7V@40A 129纳秒 40μA@650V -40℃～175℃ 80A -
RS1A-13-G Diodes Incorporated RS1A-13-G -
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 ECAD 5184 0.00000000 分散公司 * 卷带式 (TR) 过时的 - 1（无限制） REACH 不出行 RS1A-13-GDI EAR99 8541.10.0080 5,000
JAN1N5622US Microchip Technology JAN1N5622US 10.0500
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 ECAD 4373 0.00000000 微芯片 军事，MIL-PRF-19500/427 大部分 的积极 表面贴装 SQ-MELF，A 1N5622 标准 D-5A 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1000伏 1.3V@3A 2微秒 1000V时为500nA -65℃～200℃ 1A -
RGP10GE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-M3/54 -
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 ECAD 2526 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 超级调整器® 卷带式 (TR) 过时的 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 RGP10 标准 DO-204AL (DO-41) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 5,500人 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1.3V@1A 150纳秒 5μA@400V -65℃～175℃ 1A 15pF @ 4V，1MHz
RB521S-30FJTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30FJTE61 -
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 ECAD 1796 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 RB521 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 846-RB521S-30FJTE61TR EAR99 8541.10.0070 3,000
STR10100LYD_L2_00001 Panjit International Inc. STR10100LYD_L2_00001 0.8200
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 ECAD 6 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 STR10100 肖特基 TO-252AA 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 3757-STR10100LYD_L2_00001CT EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 750毫伏@10安 100V时为50μA -55℃～150℃ 10A 560pF @ 4V，1MHz
MCL4151-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MCL4151-TR3 0.2100
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 ECAD 3354 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，无铅 MCL4151 标准 微型MELF 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 10,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 75V 1V@50mA 4纳秒 50nA@50V 125℃（最高） 200毫安 2pF@0V、1MHz
1N4249/TR Microchip Technology 1N4249/TR 6.5850
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 ECAD 4898 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 A、结 标准 A、结 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 150-1N4249/TR EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1000伏 1.3V@3A 5微秒 1μA@1V -65℃～175℃ 1A -
VS-74-7451 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-74-7451 -
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 ECAD 8192 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 最后一次购买 74-7451 - 112-VS-74-7451 1
EG01AW Sanken EG01AW -
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 ECAD 3757 0.00000000 三肯 - 胶带和盒子 (TB) 的积极 通孔 结合 EG01 标准 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EG01AW DK EAR99 8541.10.0070 1,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 2V@500mA 100纳秒 100 µA @ 600 V -40℃～150℃ 500毫安 -
S3GB-HF Comchip Technology S3GB-HF 0.0932
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 ECAD 9390 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB S3GB 标准 SMB/DO-214AA - 符合ROHS3标准 1（无限制） 641-S3GB-HFTR EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400V 1.1V@3A 5μA@400V -55℃～150℃ 3A 35pF @ 4V，1MHz
IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL02G65C5XUMA1 -
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 ECAD 5590 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 4-PowerTSFN IDL02G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-VSON-4 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@2A 0纳秒 650V时为35μA -55℃～175℃ 2A 70pF@1V、1MHz
JANTX1N6910UTK2 Microchip Technology JANTX1N6910UTK2 -
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 ECAD 2891 0.00000000 微芯片 军事，MIL-PRF-19500/723 大部分 的积极 表面贴装 ThinKey™2 SiC（碳化硅）肖特基 ThinKey™2 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 15V 520 毫伏 @ 25 安 1.2毫安@15伏 -65℃～150℃ 25A 2000pF@5V，1MHz
RFV12TG6SGC9 Rohm Semiconductor RFV12TG6SGC9 1.5700
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 ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 RFV12 标准 TO-220ACFP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 2.8V@12A 45纳秒 600V时为10μA 150℃（最高） 12A -
PMEG3020EGW,118 Nexperia USA Inc. PMEG3020EGW,118 -
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 ECAD 6617 0.00000000 安世半导体美国公司 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
SS23HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS23HE3/5BT -
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 ECAD 1937年 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 DO-214AA、SMB SS23 肖特基 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,200 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 500毫伏@2安 30V时为400μA -65℃～125℃ 2A -
RS1PJHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1PJHE3/84A -
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 ECAD 6452 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 eSMP® 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 DO-220AA RS1 标准 DO-220AA（SMP） 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.3V@1A 250纳秒 600V时为1μA -55℃～150℃ 1A 9pF@4V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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