SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
G3S06520B Global Power Technology Co. Ltd G3S06520B -
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ECAD 8866 0.00000000 全球电力技术有限公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB - 供应商不确定 4436-G3S06520B 1 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 40a 690pf @ 0v,1MHz
SS34BQ Yangjie Technology SS34BQ 0.1210
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-SS34BQTR Ear99 3,000
JANS1N6621US/TR Microchip Technology JANS1N6621US/TR 135.6150
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准 a,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N6621US/TR Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.6 V @ 2 A 45 ns -65°C〜150°C 1.2a -
S2AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation S2AHM4G -
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AA,SMB S2A 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.15 V @ 2 A 1.5 µs 1 µA @ 50 V -55°C〜150°C 2a 30pf @ 4V,1MHz
S1DFS Taiwan Semiconductor Corporation S1DFS 0.0525
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ECAD 7062 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-128 S1D 标准 SOD-128 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 9pf @ 4V,1MHz
CMSH3-60M TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH3-60M TR13 PBFRE 0.5600
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ECAD 98 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB CMSH3 肖特基 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 750 mv @ 3 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 3a 280pf @ 4V,1MHz
RS3MHR7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3MHR7G -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AB,SMC 3m卢比 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 3a -
SS14E-TPS01 Micro Commercial Co SS14E-TPS01 -
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ECAD 1824年 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 表面安装 do-214ac,SMA SS14 肖特基 DO-214AC(SMAE) 下载 353-SS14E-TPS01 过时的 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mV @ 1 A 100 µA @ 40 V -55°C〜125°C 1a 110pf @ 4V,1MHz
1N4946GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4946GPHE3/73 -
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ECAD 2462 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4946 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N6941UTK3/TR Microchip Technology 1N6941UTK3/tr 267.4800
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ECAD 3870 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 Thinkey™3 肖特基,反极性 Thinkey™3 - 到达不受影响 150-1N6941UTK3/tr Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 500 mv @ 50 a 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 150a 7500pf @ 5V,1MHz
MER2DMB_R2_00601 Panjit International Inc. MER2DMB_R2_00601 0.3800
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ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB mer2d 标准 SMB(do-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 2 a 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a 25pf @ 4V,1MHz
1N5281B-1 Microchip Technology 1N5281B-1 3.6450
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ECAD 8663 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5281B-1 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 152 V
S1JM Taiwan Semiconductor Corporation S1JM 0.0936
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ECAD 3795 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-SMD,平坦的铅 标准 Micro SMA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-S1JMTR Ear99 8541.10.0080 18,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 780 ns 1 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a 5pf @ 4V,1MHz
PD3S220L-7-2477 Diodes Incorporated PD3S220L-7-2477 -
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ECAD 3063 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 大部分 上次购买 表面安装 PowerDi™323 肖特基 PowerDi™323 - 31-PD3S220L-7-2477 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 490 mv @ 2 a 160 µA @ 20 V -65°C〜125°C 2a 46pf @ 10V,1MHz
UFS350J/TR13 Microchip Technology UFS350J/TR13 2.6100
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ECAD 1124 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC UFS350 标准 do-214ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 500 V -55°C 〜175°C 3a -
1N4007G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007G A0G 0.3900
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ECAD 15 0.00000000 台湾半导体公司 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
BZX84C24WQ Yangjie Technology BZX84C24WQ 0.0280
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-BZX84C24WQTR Ear99 3,000
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02(TE12L,Q,M) -
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ECAD 3945 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOD-128 CMF02 标准 M-Flat(2.4x3.8) - Rohs符合条件 (1 (无限) CMF02(TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 2 V @ 1 A 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 1a -
1N6639US/TR Microchip Technology 1n6639us/tr 9.1500
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ECAD 6250 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,d 标准,反极性 D-5D - 到达不受影响 150-1N6639US/TR Ear99 8541.10.0070 104 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 75 v 1.2 V @ 500 mA 4 ns 100 na @ 75 V -65°C〜175°C 300mA -
VS-S1059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1059 -
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ECAD 8958 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 S1059 - 112-VS-S1059 1
S3K_R1_00001 Panjit International Inc. S3K_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S3K 标准 SMC(do-214ab) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 3 A 1 µA @ 800 V -55°C〜150°C 3a 53pf @ 4V,1MHz
FFSP0865B onsemi FFSP0865B 3.3300
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ECAD 205 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FFSP0865 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-FFSP0865B Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 40 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10.1a 336pf @ 1V,100kHz
1N3622R Microchip Technology 1N3622R 44.1600
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 DO-4(do-203AA) - 到达不受影响 150-1N3622R Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 50 A 1 ma @ 600 V -65°C 〜200°C 16a -
DSB15IM30UC-TUB IXYS DSB15IM30UC-TUB -
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DSB15IM30 肖特基 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSB15IM30UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 510 MV @ 15 A 5 ma @ 30 V -55°C〜150°C 15a 292pf @ 24V,1MHz
R4320D Microchip Technology R4320d 102.2400
RFQ
ECAD 7525 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 标准 DO-205AA(DO-8) - 到达不受影响 150-R4320d Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 200 A 50 µA @ 200 V -65°C 〜200°C 150a -
RA252 Diotec Semiconductor RA252 0.3717
RFQ
ECAD 10 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 RA 标准 RA 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-RA252TR 8541.10.0000 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 80 A 1.5 µs 5 µA @ 200 V -50°C〜175°C 25a -
UTR32 Microchip Technology UTR32 9.2550
RFQ
ECAD 4532 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - 到达不受影响 150-UTR32 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 1 A 300 ns 3 µA @ 300 V -65°C〜175°C 2a 70pf @ 0v,1MHz
GP10M-7009M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10M-7009M3/54 -
RFQ
ECAD 9467 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
SET010211 Semtech Corporation SET010211 -
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ECAD 3235 0.00000000 Semtech Corporation - 大部分 在sic中停产 底盘,螺柱坐骑 模块 set01 标准 - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 15a -
RS1FLM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1FLM-M3/h 0.3400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab 标准 DO-219AB(SMF) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库