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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT82S-TAP | 0.0429 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAT82 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | 125°c (最大) | 30mA | 1.6pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | 1N3087R | 134.4000 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-1N3087R | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SBR2A40SA-13 | 0.1523 | ![]() | 4690 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SBR2A40 | 超级障碍 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 40 V | 550 mv @ 2 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 2a | - | |||
![]() | MBRH15045RL | - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基,反极性 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 MV @ 150 A | 5 ma @ 45 V | 150a | - | |||||||
![]() | FFSP0665B | 2.9500 | ![]() | 930 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | FFSP0665 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-FFSP0665B | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 259pf @ 1V,100kHz | |
![]() | SB140S | 0.0463 | ![]() | 35 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 肖特基 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SB140STR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 1 mA @ 40 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||
![]() | UFT800G | 0.7084 | ![]() | 2746 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-UFT800G | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | JANTX1N5196 | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/118 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5196 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 225 v | 1 V @ 100 ma | 1 µA @ 250 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||
Jans1n5809urs | 147.4800 | ![]() | 4456 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||
![]() | MUR60120B-BP | 5.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | MUR60120 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-MUR60120B-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.3 V @ 60 A | 85 ns | 15 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 60a | - | |
![]() | 1N4591R | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准,反极性 | do-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N4591R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 500 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||
![]() | stth4r02b | - | ![]() | 1584年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | stth4r02 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.05 V @ 4 A | 30 ns | 3 µA @ 200 V | 175°c (最大) | 4a | - | ||
![]() | S8J | 0.2881 | ![]() | 1442 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-S8JTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 980 mv @ 8 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -50°C〜150°C | 8a | - | |||
![]() | SF10CG-B | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 1a | 75pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | S3J-TP | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3J | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 3 A | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||
![]() | VS-12FL60S05 | 5.3962 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 12fl60 | 标准 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.4 V @ 12 A | 500 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||
JANTXV1N5615 | 11.8350 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5615 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.6 V @ 3 A | 150 ns | 500 na @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 45pf @ 12V,1MHz | |||
![]() | DMA10IM1600UZ-TRL | 0.7616 | ![]() | 8547 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DMA10 | 标准 | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DMA10IM1600UZ-TRLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.26 V @ 10 A | 10 µA @ 1600 V | -55°C 〜175°C | 10a | 4pf @ 400V,1MHz | |||
![]() | SURA8240T3G | - | ![]() | 9356 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | Sura8240 | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 2 A | 65 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 2a | - | ||
![]() | RSX101M-30TR | 0.1094 | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-123F | RSX101 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 390 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | 60pf @ 10V,1MHz | |||
AU02ZV1 | 0.8600 | ![]() | 86 | 0.00000000 | 桑肯 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | Au02 | 标准 | 轴向 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 800 mA | 400 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 800mA | - | ||||
B5817WQ | 0.0440 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-B5817WQTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | V12P10HE3/87A | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | V12P10 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 700 mv @ 12 a | 250 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 12a | - | |||
![]() | s3ac-hf | 0.1091 | ![]() | 6418 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3AC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-S3AC-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | S8MC M6G | - | ![]() | 7300 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S8MC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 985 mv @ 8 a | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | CDLL5817/tr | 7.1550 | ![]() | 1046 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 肖特基 | do-213ab | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5817/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 600 mV @ 1 A | 100 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||
![]() | SRA1690H | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SRA1690H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 920 MV @ 16 A | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||
![]() | 1N4151WS-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 8431 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 1N4151 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 50 na @ 50 V | -55°C〜150°C | 150mA | - | ||
JANTX1N6621U/TR | 18.2700 | ![]() | 8784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准,反极性 | a,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6621U/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 440 v | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 NA @ 440 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | |||||
![]() | JANTXV1N649-1/TR | - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/240 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N649-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 400mA | - |
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