单分散(57622)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
STR10100LYD_L2_00001	0.8200	询价	6	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	STR10100	肖特基	TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-STR10100LYD_L2_00001CT	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	100伏	750毫伏@10安		100V时为50μA	-55℃～150℃	10A	560pF @ 4V，1MHz
MCL4151-TR3	0.2100	询价	3354	Vishay General Semiconductor - 分割部门	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	2-SMD，无铅	MCL4151	标准	微型MELF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	75V	1V@50mA	4纳秒	50nA@50V	125℃（最高）	200毫安	2pF@0V、1MHz
1N4249/TR	6.5850	询价	4898	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	通孔	A、结		标准	A、结	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-1N4249/TR	EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	1000伏	1.3V@3A	5微秒	1μA@1V	-65℃～175℃	1A	-
VS-74-7451	-	询价	8192	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	最后一次购买			74-7451			-				112-VS-74-7451			1
EG01AW	-	询价	3757	三肯	-	胶带和盒子 (TB)	的积极	通孔	结合	EG01	标准	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EG01AW DK	EAR99	8541.10.0070	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	600伏	2V@500mA	100纳秒	100 µA @ 600 V	-40℃～150℃	500毫安	-
S3GB-HF	0.0932	询价	9390	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-214AA、SMB	S3GB	标准	SMB/DO-214AA	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-S3GB-HFTR	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	400V	1.1V@3A		5μA@400V	-55℃～150℃	3A	35pF @ 4V，1MHz
IDL02G65C5XUMA1	-	询价	5590	英飞凌科技	CoolSiC™+	卷带式 (TR)	SIC停产	表面贴装	4-PowerTSFN	IDL02G65	SiC（碳化硅）肖特基	PG-VSON-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	无恢复T>500mA(Io)	650伏	1.7V@2A	0纳秒	650V时为35μA	-55℃～175℃	2A	70pF@1V、1MHz
JANTX1N6910UTK2	-	询价	2891	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	的积极	表面贴装	ThinKey™2		SiC（碳化硅）肖特基	ThinKey™2	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)	15V	520 毫伏 @ 25 安		1.2毫安@15伏	-65℃～150℃	25A	2000pF@5V，1MHz
RFV12TG6SGC9	1.5700	询价	1	罗姆半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	RFV12	标准	TO-220ACFP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	600伏	2.8V@12A	45纳秒	600V时为10μA	150℃（最高）	12A	-
PMEG3020EGW,118	-	询价	6617	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极						下载						0000.00.0000	1
SS23HE3/5BT	-	询价	1937年	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	卷带式 (TR)	SIC停产	表面贴装	DO-214AA、SMB	SS23	肖特基	DO-214AA (SMB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,200	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	30V	500毫伏@2安		30V时为400μA	-65℃～125℃	2A	-
RS1PJHE3/84A	-	询价	6452	Vishay General Semiconductor - 分割部门	eSMP®	卷带式 (TR)	过时的	表面贴装	DO-220AA	RS1	标准	DO-220AA（SMP）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	600伏	1.3V@1A	250纳秒	600V时为1μA	-55℃～150℃	1A	9pF@4V，1MHz
CD6916	2.2650	询价	6122	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	死		肖特基	死	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-CD6916	EAR99	8541.10.0040	1	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	40V	470 毫伏 @ 10 毫安		500nA@40V	-55℃～125℃	10毫安	5pF @ 0V、1MHz
SK510CHR7G	-	询价	4629	台积电	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产	表面贴装	DO-214AB、SMC	SK510	肖特基	DO-214AB（SMC）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	850	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	100伏	850毫伏@5安		100V时为300μA	-55℃～150℃	5A	-
BYG20J-E3/TR3	0.4000	询价	7	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-214AC、SMA	BYG20	雪崩	DO-214AC (SMA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	7,500	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	600伏	1.4V@1.5A	75纳秒	600V时为1μA	-55℃～150℃	1.5A	-
CD214B-B140LF	-	询价	7880	伯恩斯公司	-	卷带式 (TR)	过时的	表面贴装	DO-214AA、SMB	CD214B	肖特基	SMB (DO-214AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	40V	500毫伏@1安		40V时为500μA	-55℃～125℃	1A	110pF @ 4V、1MHz
SS26L RVG	0.6600	询价	38	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-219AB	SS26	肖特基	亚SMA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	60V	700毫伏@2安		400μA@60V	-55℃～150℃	2A	-
1N2055	158.8200	询价	9647	微芯片	-	大部分	的积极	柱螺安装	DO-205AB、DO-9、螺柱		标准	DO-205AB (DO-9)	下载			REACH 不出行	150-1N2055	EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	100伏	1.3V@300A		100V时为75μA	-65℃～190℃	275A	-
RS1PGHM3_A/I	0.1002	询价	1121	Vishay General Semiconductor - 分割部门	汽车、AEC-Q101、eSMP®	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-220AA	RS1P	标准	DO-220AA（SMP）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	400V	1.3V@1A	150纳秒	400V时为1μA	-55℃～150℃	1A	9pF@4V，1MHz
JANTXV1N5196	-	询价	8232	微芯片	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	的积极	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教		标准	DO-35 (DO-204AH)	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	1	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	225伏	1V@100mA		1μA@250V	-65℃～175℃	100毫安	-
UFS360J/TR13	2.6100	询价	1324	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-214AB、SMC	UFS360	标准	DO-214AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	600伏	1.2V@3A	60纳秒	600V时为10μA	-55℃～175℃	3A	-
V35PW10HM3/I	1.3900	询价	4	Vishay General Semiconductor - 分割部门	汽车、AEC-Q101、eSMP®、TMBS®	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	V35PW10	肖特基	薄型DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	4,500	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	100伏	880毫伏@35安		1毫安@100伏	-40℃～150℃	35A	2500pF @ 4V、1MHz
VS-85HFL80S05	14.2174	询价	9005	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	85HFL80	标准	DO-203AB (DO-5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	800V	1.75V@266.9A	500纳秒	800V时为100μA	-40℃～125℃	85A	-
SS110L	0.5200	询价	35	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-219AB	SS110	肖特基	亚SMA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	100伏	800毫伏@1安		100V时为50μA	-55℃～150℃	1A	-
20TQ040	-	询价	3982	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	通孔	TO-220-2	20TQ040	肖特基	TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*20TQ040	EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	40V	570 毫伏 @ 20 安		2.7毫安@40伏	-55℃～150℃	20A	1400pF @ 5V、1MHz
1N5551美国	-	询价	8978	森泰克公司	-	大部分	SIC停产	表面贴装	SQ-MELF	1N5551	标准	-	下载		不适用		1N5551USS	EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)	400V	1V@3A	2微秒	400V时为1μA	-	5A	92pF@5V，1MHz
UG56GHA0G	-	询价	4129	台积电	汽车，AEC-Q101	胶带和盒子 (TB)	的积极	通孔	DO-201AD，缝合	UG56	标准	DO-201AD	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	500	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	400V	1.55V@5A	20纳秒	400V时为10μA	-55℃～175℃	5A	-
E1HFS	0.0220	询价	300	扬杰科技	-	卷带式 (TR)	的积极						-	符合RoHS标准		REACH 不出行	4617-E1HFSTR	EAR99		3,000
茹茹8080	4.6200	询价	274	哈里斯公司	-	大部分	的积极	安装结构	TO-218-1		雪崩	TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	800V	1.9V@80A	200纳秒	800V时为500μA	-65℃～175℃	80A	-
FR30BR02	10.5930	询价	4814	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR30BR02GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	100伏	1V@30A	200纳秒	50V时为25μA	-40℃～125℃	30A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

单分散(57622)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²