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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NRVHPM220T3G | 0.6500 | ![]() | 5593 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-216AA | NRVHPM220 | 标准 | 威迈特 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.05V@2A | 50纳秒 | 200V时为500nA | -65℃~175℃ | 2A | - | ||
| GI1404HE3/45 | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | GI1404 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 975毫伏@8安 | 35纳秒 | 5μA@200V | -65℃~150℃ | 8A | - | |||
![]() | 1N5187美国/土耳其 | 9.4000 | ![]() | 8882 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 标准 | 电子MELF | - | 103 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.5V@9A | 200纳秒 | 2μA@200V | -65℃~175℃ | 3A | - | ||||||||
![]() | 巴夫21W | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 固锝半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123 | 巴夫21 | 标准 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 100nA@200V | -65℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | 1N1203A | 1.9500 | ![]() | 2658 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-1N1203A | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.2V@30A | 10μA@300V | -65℃~200℃ | 12A | - | |||
![]() | RGP10JHE3/53 | - | ![]() | 1656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、Superectifier® | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | RGP10 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@1A | 150纳秒 | 5μA@600V | -65℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | ES1DE-TP | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | ES1D | 标准 | DO-214AC(SMAE) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 975 毫伏 @ 1 安 | 50纳秒 | 5μA@200V | -50℃~150℃ | 1A | 45pF @ 4V,1MHz | ||
| BYWE29-50-E3/45 | - | ![]() | 2700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | BYWE29 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.3V@20A | 25纳秒 | 50V时为10μA | -65℃~150℃ | 8A | 45pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | RB521S30,115 | 0.2400 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | RB521S30 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 30V | 500毫伏@200毫安 | 10V时为30μA | 150℃(最高) | 200毫安 | 25pF@1V、1MHz | |||
![]() | EGL34AHE3_A/H | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、Superectifier® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | EGL34 | 标准 | DO-213AA (GL34) | 下载 | REACH 不出行 | EGL34AHE3_B/H | EAR99 | 8541.10.0070 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.25V@500mA | 50纳秒 | 5μA@50V | -65℃~175℃ | 500毫安 | 7pF@4V、1MHz | |||
![]() | RKS101KG-1#P1 | 0.1700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | RKS101 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||
| UF5400-E3/54 | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | UF5400 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@3A | 50纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 3A | 45pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | SS56B-HF | 0.1814 | ![]() | 9600 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SS56 | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700 毫伏 @ 5 安 | 60V时为300μA | -55℃~150℃ | 5A | 300pF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | VS-SD1553C25S20K | 340.6400 | ![]() | 7871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 的 | DO-200AC、K-PUK | SD1553 | 标准 | DO-200AC、K-PUK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSSD1553C25S20K | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2500伏 | 2.23V@4000A | 2微秒 | -40℃~150℃ | 1825A | - | ||
![]() | 1N3647 | - | ![]() | 2513 | 0.00000000 | 森泰克公司 | - | 大部分 | SIC停产 | 通孔 | 结合 | 标准 | 结合 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 3000伏 | 5V@250mA | 2.5微秒 | 1μA@3000V | -65℃~175℃ | 600毫安 | 8pF@5V,1MHz | |||||
![]() | S20470 | 33.4500 | ![]() | 5042 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 大部分 | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-S20470 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | RBR5LAM60ATR | 0.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RBR5LAM60 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 550毫伏@5安 | 60V时为250μA | 150℃(最高) | 5A | - | |||
![]() | SF2006PTH | 1.4290 | ![]() | 8317 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | SF2006 | 标准 | TO-247AD (TO-3P) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.5V@20A | 35纳秒 | 400V时为10μA | -55℃~150℃ | 20A | 175pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | AS3PJ-M3/86A | 0.2871 | ![]() | 4676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | AS3 | 雪崩 | TO-277A (SMPC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 920毫伏@1.5安 | 1.2微秒 | 600V时为10μA | -55℃~175℃ | 2.1A | 37pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | BAS20W RVG | 0.0498 | ![]() | 4872 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BAS20 | 标准 | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 150伏 | 1.25V@100mA | 50纳秒 | 100nA@150V | -55℃~150℃ | 200毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | SS310B | 0.3900 | ![]() | 5066 | 0.00000000 | 扬州扬杰电子科技有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 850毫伏@3安 | 100μA@100V | -55℃~150℃ | 3A | - | |||||
![]() | PMEG100V060ELPEZ | 0.6400 | ![]() | 8204 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | 肖特基 | CFP15B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 840 毫伏 @ 6 安 | 100nA@100V | - | 6A | - | ||||
![]() | SK15B M4G | - | ![]() | 2614 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK15 | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 750 毫伏 @ 1 安 | 50V时为500μA | -55℃~150℃ | 1A | - | |||
![]() | 1N4055R | 158.8200 | ![]() | 6349 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | REACH 不出行 | 150-1N4055R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 900伏 | 1.3V@300A | 900V时为75μA | -65℃~190℃ | 275A | - | |||||
![]() | FFPF15UP20STU | - | ![]() | 3174 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2全包 | FFPF15 | 标准 | TO-220F-2L | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.15V@15A | 45纳秒 | 100μA@200V | -65℃~150℃ | 15A | - | |||
![]() | 31DF4 B0G | - | ![]() | 7680 | 0.00000000 | 台积电 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 31DF4 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.7V@3A | 35纳秒 | 20μA@400V | -40℃~150℃ | 3A | - | ||
![]() | PMEG3030BEP-QX | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 450毫伏 @ 3安 | 30V时为150μA | 150℃ | 3A | 500pF@1V、1MHz | ||||
| 1N2130A | 8.9025 | ![]() | 2480 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N2130 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1093 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 150伏 | 1.1V@60A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 60A | - | ||||
![]() | SK84C R6G | - | ![]() | 4024 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-SK84CR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@8安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 8A | - | |||
![]() | GS1A-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 4820 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | GS1 | 标准 | SMA (DO-214AC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 3757-GS1A-AU_R1_000A1DKR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@1A | 50V时为1μA | -55℃~150℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz |

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