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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDBA1100LR-HF | 0.1349 | ![]() | 5699 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CDBA1100 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 750 MV @ 1 A | 500 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 1a | 120pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | MR820 | 0.1572 | ![]() | 3101 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-MR820TR | 8541.10.0000 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.2 V @ 5 A | 300 ns | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||
![]() | V20PL50-M3/87A | 0.4823 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | V20PL50 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 590 mv @ 20 a | 3 ma @ 50 V | -40°C〜150°C | 5.5a | - | |||
![]() | ER3EA_R1_00001 | 0.4600 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | ER3E | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 3 A | 35 ns | 1 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | byw36-tr | 0.7200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYW36 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | ||
![]() | ER2DF_R2_00001 | 0.0751 | ![]() | 9816 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-221AA,SMB平面线 | ER2D | 标准 | SMBF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 120,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | MBRB16H45HE3/81 | - | ![]() | 2232 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB16 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 660 mv @ 16 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 16a | - | |||
![]() | 1N2438 | 102.2400 | ![]() | 5945 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2438 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 150 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||||
![]() | S2025 | 33.4500 | ![]() | 2146 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-S2025 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | UF140SM | 72.8700 | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 标准 | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-UF140SM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||
![]() | UGF8CTHE3_A/p | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-ugf8cthe3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 45pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | MBR20150CT | 0.3440 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBR20150CTS | Ear99 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | S20130 | 33.4500 | ![]() | 6082 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-S20130 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SDUR16Q20CT | 0.9500 | ![]() | 176 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SDUR16 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 8 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||
![]() | SS56B-HF | 0.1814 | ![]() | 9600 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS56 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 5 a | 300 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 300pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | PMEG3010BEA/ZL115 | 1.0000 | ![]() | 2135 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | NSR0140P2T5H | 0.0200 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-923 | 肖特基 | SOD-923 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 350 mv @ 1 mA | 500 NA @ 30 V | -55°C〜125°C | 70mA | 2.5pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | HSB2836JTR-E | 0.1100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | SMMBD2837LT1 | 0.0200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | SL210A | 0.2100 | ![]() | 242 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-SL210A | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 720 mv @ 2 a | 150 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 175pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | ACFRA103-HF | 0.0958 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ACFRA103 | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 641-ACFRA103-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | BAS116H | 1.0000 | ![]() | 6473 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | VS-1ENH02-M3/85A | 0.0743 | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | 1enh02 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 920 MV @ 1 A | 28 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 1a | - | ||
![]() | RF201L4SDDTE25 | 0.7600 | ![]() | 644 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RF201 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1.5 A | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150°C | 1.5a | - | ||
![]() | NRVBS230LNT3G | 0.4900 | ![]() | 3710 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | NRVBS230 | 肖特基 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||
![]() | ES1J-HF | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ES1J | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | SS24 | 0.0900 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS24 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 11 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 2 a | 400 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 2a | - | |||
jankca1n6677 | - | ![]() | 5690 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/610 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N6677 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 200mA | 50pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | 1N5819ur-1E3/tr | 9.1500 | ![]() | 7680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/586 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5819 | 肖特基 | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5819UR-1E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 490 mv @ 1 A | 50 µA @ 45 V | -65°C〜125°C | 1a | 70pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | Jan1n649-1/tr | - | ![]() | 8979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/240 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N649-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 600 V | -65°C〜175°C | 400mA | - |
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