SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
CDBA1100LR-HF Comchip Technology CDBA1100LR-HF 0.1349
RFQ
ECAD 5699 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA CDBA1100 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 750 MV @ 1 A 500 µA @ 100 V -50°C〜150°C 1a 120pf @ 4V,1MHz
MR820 Diotec Semiconductor MR820 0.1572
RFQ
ECAD 3101 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 P600,轴向 标准 P600 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-MR820TR 8541.10.0000 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.2 V @ 5 A 300 ns 10 µA @ 50 V -50°C〜150°C 5a -
V20PL50-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20PL50-M3/87A 0.4823
RFQ
ECAD 4805 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V20PL50 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 590 mv @ 20 a 3 ma @ 50 V -40°C〜150°C 5.5a -
ER3EA_R1_00001 Panjit International Inc. ER3EA_R1_00001 0.4600
RFQ
ECAD 680 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB ER3E 标准 SMB(do-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 3 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C〜150°C 3a 45pf @ 4V,1MHz
BYW36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw36-tr 0.7200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW36 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2a -
ER2DF_R2_00001 Panjit International Inc. ER2DF_R2_00001 0.0751
RFQ
ECAD 9816 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-221AA,SMB平面线 ER2D 标准 SMBF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 120,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 2 a 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C 2a 30pf @ 4V,1MHz
MBRB16H45HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H45HE3/81 -
RFQ
ECAD 2232 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB16 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 16 a 100 µA @ 45 V -65°C〜175°C 16a -
1N2438 Microchip Technology 1N2438 102.2400
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 到达不受影响 150-1N2438 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 150 v 1.1 V @ 200 A 50 µA @ 150 V -65°C 〜200°C 150a -
S2025 Microchip Technology S2025 33.4500
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-S2025 1
UF140SM Microchip Technology UF140SM 72.8700
RFQ
ECAD 1904年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 标准 DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 150-UF140SM Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
UGF8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF8CTHE3_A/p -
RFQ
ECAD 7431 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-ugf8cthe3_a/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a 45pf @ 4V,1MHz
MBR20150CTS Yangjie Technology MBR20150CT 0.3440
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Yangjie技术 - 管子 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBR20150CTS Ear99 1,000
S20130 Microchip Technology S20130 33.4500
RFQ
ECAD 6082 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-S20130 1
SDUR16Q20CT SMC Diode Solutions SDUR16Q20CT 0.9500
RFQ
ECAD 176 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SDUR16 标准 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 不适用 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 25 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
SS56B-HF Comchip Technology SS56B-HF 0.1814
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS56 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 5 a 300 µA @ 60 V -55°C〜150°C 5a 300pf @ 4V,1MHz
PMEG3010BEA/ZL115 Nexperia USA Inc. PMEG3010BEA/ZL115 1.0000
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 3,000
NSR0140P2T5H onsemi NSR0140P2T5H 0.0200
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 表面安装 SOD-923 肖特基 SOD-923 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 350 mv @ 1 mA 500 NA @ 30 V -55°C〜125°C 70mA 2.5pf @ 1V,1MHz
HSB2836JTR-E Renesas Electronics America Inc HSB2836JTR-E 0.1100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
SMMBD2837LT1 onsemi SMMBD2837LT1 0.0200
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
SL210A SURGE SL210A 0.2100
RFQ
ECAD 242 0.00000000 - 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2616-SL210A 3A001 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 720 mv @ 2 a 150 µA @ 100 V -55°C〜150°C 2a 175pf @ 4V,1MHz
ACFRA103-HF Comchip Technology ACFRA103-HF 0.0958
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA ACFRA103 标准 DO-214AC(SMA) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 641-ACFRA103-HFTR Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
BAS116H Nexperia USA Inc. BAS116H 1.0000
RFQ
ECAD 6473 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
VS-1ENH02-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1ENH02-M3/85A 0.0743
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa 1enh02 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 920 MV @ 1 A 28 ns 2 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1a -
RF201L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RF201L4SDDTE25 0.7600
RFQ
ECAD 644 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA RF201 标准 PMD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 1.5 A 30 ns 1 µA @ 400 V 150°C 1.5a -
NRVBS230LNT3G onsemi NRVBS230LNT3G 0.4900
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB NRVBS230 肖特基 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 500 mv @ 2 a 1 ma @ 30 V -55°C〜125°C 2a -
ES1J-HF Comchip Technology ES1J-HF 0.4600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA ES1J 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
SS24 Fairchild Semiconductor SS24 0.0900
RFQ
ECAD 5399 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS24 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 11 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 2 a 400 µA @ 40 V -65°C〜125°C 2a -
JANKCA1N6677 Microchip Technology jankca1n6677 -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/610 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 肖特基 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N6677 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 40 V 500 mV @ 200 ma 5 µA @ 40 V -65°C〜125°C 200mA 50pf @ 0v,1MHz
1N5819UR-1E3/TR Microchip Technology 1N5819ur-1E3/tr 9.1500
RFQ
ECAD 7680 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/586 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5819 肖特基 DO-213AB(梅尔,LL41) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5819UR-1E3/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 490 mv @ 1 A 50 µA @ 45 V -65°C〜125°C 1a 70pf @ 5V,1MHz
JAN1N649-1/TR Microchip Technology Jan1n649-1/tr -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/240 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 do-35 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N649-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 600 V -65°C〜175°C 400mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库