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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
FES8ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a -
FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8DT-E3/45 1.1200
RFQ
ECAD 949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FES8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8DTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FES8FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8FTHE3/45 -
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C 8a -
FESB16BTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16BTHE3_A/p 1.3530
RFQ
ECAD 8400 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16CT-E3/45 0.9182
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16GT-E3/45 0.9504
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8CTHE3_A/p 0.8085
RFQ
ECAD 7828 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8DTHE3_A/p 0.8085
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8GT-E3/45 0.6409
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fesb8jthe3_a/p 0.8910
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
FESF16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16AT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 7597 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16BT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 9766 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16DT-E3/45 2.1000
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16FTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16FTHE3_A/p 1.1055
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16GT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16HT-E3/45 1.1220
RFQ
ECAD 4343 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16HTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16HTHE3_A/p 1.1055
RFQ
ECAD 8667 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65°C〜150°C 16a -
FESF8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF8BT-E3/45 0.6320
RFQ
ECAD 6959 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
FESF8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF8CTHE3_A/p 0.9405
RFQ
ECAD 7799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 8a -
FESF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fesf8jthe3_a/p 0.9405
RFQ
ECAD 3545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
GI1403HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1403HE3/45 -
RFQ
ECAD 7047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GI1403 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 8a -
GI1404HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1404HE3/45 -
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GI1404 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 8a -
GIB1402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1402-E3/45 0.6141
RFQ
ECAD 6023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB GIB1402 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a -
GIB1403HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1403HE3_A/p 0.8250
RFQ
ECAD 6021 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB GIB1403 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 8a -
GUR5H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR5H60-E3/45 -
RFQ
ECAD 3731 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 gur5h 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
GUR5H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR5H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 gur5h 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
GURB5H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gurb5H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 9492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Gurb5 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
M2045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M2045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 M2045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 20 a 200 µA @ 45 V -55°C〜150°C 20a -
MB3045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB3045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MB3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C 30a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库