SIC
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二极管阵列（（16722）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VS-HFA70EA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA70EA120 55.9586
RFQ
 ECAD 6220 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 HFA70 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VS-HFA70EA120GI Ear99 8541.10.0080 160 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1200 v 35A（DC） 3 V @ 30 A 145 ns 75 µA @ 1200 V
S16-4150/TR13 Microchip Technology S16-4150/TR13 3.6150
RFQ
 ECAD 5278 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） S16-4150 标准 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 8独立 50 V 400mA（DC） 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -55°C〜150°C
S8-4148/TR13 Microchip Technology S8-4148/TR13 3.3600
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） S8-4148 标准 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 4独立 75 v 400mA（DC） 1.2 V @ 100 ma 5 ns 100 na @ 50 V -55°C〜150°C
S8-4150/TR13 Microchip Technology S8-4150/TR13 3.3600
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） S8-4150 标准 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 4独立 50 V 400mA（DC） 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -55°C〜150°C
S8-4150E3/TR13 Microchip Technology S8-4150E3/TR13 2.2350
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） S8-4150 标准 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 4独立 50 V 400mA（DC） 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -55°C〜150°C
STPS20200CTN STMicroelectronics STPS20200CTN -
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 ECAD 3082 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS20200 肖特基 TO-220AB狭窄的铅 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 10a 860 mv @ 10 a 15 µA @ 200 V -40°C〜175°C
VS-UFL80FA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFL80FA60 22.0000
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 UFL80 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VS-UFL80FA60GI Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 65A（DC） 1.49 V @ 60 A 115 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
SCS240AE2C Rohm Semiconductor SCS240AE2C -
RFQ
 ECAD 4387 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 过时的 通过洞 TO-247-3 SCS240 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 360 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 20A（DC） 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°c （最大）
SCS230KE2C Rohm Semiconductor SCS230KE2C -
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SCS230 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 360 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 15A（DC） 1.6 V @ 15 A 0 ns 300 µA @ 1200 V 175°c （最大）
RBQ10B65ATL Rohm Semiconductor RBQ10B65ATL -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RBQ10 肖特基 CPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 65 v 5a 690 mv @ 5 a 150 µA @ 65 V 150°C （最大）
SCS140AE2C Rohm Semiconductor SCS140AE2C -
RFQ
 ECAD 1563年 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SCS140 SIC （碳化硅） TO-247 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 360 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 600 v 20A（DC） 1.7 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°c （最大）
VS-15CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045STRRPBF -
RFQ
 ECAD 2940 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB 15CTQ045 肖特基 TO-263AB（D²Pak） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 15a 700 MV @ 15 A 800 µA @ 45 V -55°C〜150°C
VS-MBRD650CTTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD650CTTRLPBF -
RFQ
 ECAD 3960 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MBRD6 肖特基 D-pak（TO-252AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 3a 650 mv @ 3 a 100 µA @ 50 V -40°C〜150°C
VS-MBRD650CTTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD650CTTRPBF -
RFQ
 ECAD 7706 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MBRD6 肖特基 D-pak（TO-252AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 3a 650 mv @ 3 a 100 µA @ 50 V -40°C〜150°C
VS-6CWQ03FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ03FNPBF -
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 6CWQ03 肖特基 D-pak（TO-252AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 3.5a 350 mv @ 3 a 2 ma @ 30 V -40°C〜150°C
VS-6CWQ04FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ04FNPBF -
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 6CWQ04 肖特基 D-pak（TO-252AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 3.5a 530 mv @ 3 a 2 ma @ 40 V -40°C〜150°C
VS-VSKD320-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD320-12 -
RFQ
 ECAD 1547年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 3-magn-a-pak™ VSKD320 标准 Magn-A-Pak® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 320a
UFT7260SM4D Microsemi Corporation UFT7260SM4D -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 SM4 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 600 v 35a 1.35 V @ 35 A 75 ns 25 µA @ 600 V
UFT7260SM6A Microsemi Corporation UFT7260SM6A -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 SM6 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 35a 1.35 V @ 35 A 75 ns 25 µA @ 600 V
APT2X40DC120J Microsemi Corporation APT2X40DC120J -
RFQ
 ECAD 6578 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 APT2X40 SIC （碳化硅） SOT-227 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1200 v 40a 1.8 V @ 40 A 0 ns 800 µA @ 1200 V
APT2X40DC60J Microsemi Corporation APT2X40DC60J -
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 ECAD 9716 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 APT2X40 SIC （碳化硅） SOT-227 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 600 v 40a 1.8 V @ 40 A 0 ns 800 µA @ 600 V
MMBD3004S-13-F Diodes Incorporated MMBD3004S-13-F 0.2800
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 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBD3004 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 300 v 225ma（dc） 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 NA @ 240 V -65°C〜150°C
SBL2045CTP Diodes Incorporated SBL2045CTP -
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 ECAD 3165 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 SBL2045 肖特基 ITO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBL2045CTPDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 10a 600 mv @ 10 a 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C
SBR10200CTB Diodes Incorporated SBR10200CTB 0.7560
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 ECAD 1189 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SBR10200 超级障碍 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBR10200CTBDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 5a 920 MV @ 5 A 20 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C
SBR20200CTFP Diodes Incorporated SBR20200CTFP 0.8926
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 SBR20200 超级障碍 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBR20200CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 10a 980 mv @ 10 ma 100 µA @ 200 V -65°C〜175°C
SBR2045CT-G Diodes Incorporated SBR2045CT-G 0.9100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBR2045 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBR2045CT-GDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 10a 540 mv @ 10 a 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C
SBR30A120CTFP Diodes Incorporated SBR30A120CTFP 1.2880
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 ECAD 8377 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 SBR30 超级障碍 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBR30A120CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 15a 830 MV @ 15 A 100 µA @ 120 V -65°C〜175°C
SBR30A50CT Diodes Incorporated SBR30A50CT 1.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBR30 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 15a 550 mv @ 15 A 500 µA @ 50 V -65°C〜150°C
SBR40U200CTB-13 Diodes Incorporated SBR40U200CTB-13 3.7400
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 二极管合并 SBR® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SBR40 超级障碍 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 20a 930 mv @ 20 a 50 ns 200 µA @ 200 V -65°C〜175°C
SBR60A45PT Diodes Incorporated SBR60A45PT -
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 ECAD 1126 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SBR60 超级障碍 TO-247 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBR60A45PTDI Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 45 v 30a 580 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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