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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCDC300A170AG | 726.2600 | ![]() | 4268 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MSCDC300 | SIC (碳化硅) | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCDC300A170AG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对系列连接 | 1700 v | 300A | 1.8 V @ 300 A | 0 ns | 1.2 ma @ 1700 V | -40°C〜175°C | |
![]() | 1SS383(te85l,f) | 0.4000 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-82 | 1SS383 | 肖特基 | USQ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 40 V | 100mA | 600 mv @ 100 ma | 5 µA @ 40 V | 125°c (最大) | ||||
![]() | MBRB2545CTT4G | 1.7300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB2545 | 肖特基 | D²Pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBR3060CT-Y | 0.6587 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR3060 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-mbr3060ct-y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 770 mv @ 15 A | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | TSF10L200CW | 1.0358 | ![]() | 1913年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSF10 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 900 mv @ 5 a | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRB1545CT-T | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB1545CT-T | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 700 MV @ 7.5 A | 30 ns | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MBRB20150CT | 0.3870 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 肖特基 | D2PAK | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBRB20150CTTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 20a | 900 mv @ 10 a | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR40020CTL | - | ![]() | 1361 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR6060CT | 1.6400 | ![]() | 980 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR6060 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | - | 780 mv @ 30 a | 5 ma @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | CMLD6001 TR | - | ![]() | 1446 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | 标准 | SOT-563 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 75 v | 250ma(dc) | 1.1 V @ 100 mA | 3 µs | 500 PA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | VI20202C-M3/4W | 2.2300 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VI20202 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | FST16050D | - | ![]() | 3533 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 螺丝安装 | TO-249AA | 肖特基 | TO-249 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 50 V | 80a | 740 mv @ 80 a | 2 ma @ 50 V | ||||||
![]() | VS-MBR2545CTPBF | - | ![]() | 1958年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR25 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MD120A16D1 | 18.4650 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | D1 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD120A16D1 | Ear99 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1600 v | 120a | 1.35 V @ 300 A | 6 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | cmxd2004to tr pbfree | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXD2004 | 标准 | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3独立 | 240 v | 200mA | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | murt30005r | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt30005RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 150a | 1.3 V @ 150 A | 100 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | RURD1510 | 2.1900 | ![]() | 474 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-218-3隔离选项卡,TO-218AC | 雪崩 | TO-218隔离 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | BAS21A-HF | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS21 | 标准 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-BAS21A-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 250 v | 400mA(DC) | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C (最大) | ||
![]() | UG10FCT-E3/45 | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | UG10 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 5a | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | VS-40CTQ045STRRPBF | - | ![]() | 9842 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 40CTQ045 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 20a | 530 mv @ 20 a | 3 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SDUR1040CT | 0.8000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SDUR1040 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1166 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | - | 1.3 V @ 5 A | 45 ns | 30 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |
![]() | VS-32CTQ030STRL-M3 | 1.6400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 32CTQ030 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 490 mv @ 15 A | 1.75 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SF164 | - | ![]() | 9513 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SF16 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SF164DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |
![]() | IRKJ71/04A | - | ![]() | 4359 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | IRKJ71 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 80a | 10 ma @ 400 V | |||||
![]() | GHXS050A060S-D3 | 54.3800 | ![]() | 1489 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS050 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 50a | 1.8 V @ 50 A | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MUR620CT-BP | - | ![]() | 9320 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-3 | MUR620 | 标准 | TO-220AB | - | 353-MUR620CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 6a | 975 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | vs-ufb250fa60 | 23.5200 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | UFB250 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 168a | 1.19 V @ 100 A | 166 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | ||
stth3002ct | 2.3700 | ![]() | 4144 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | stth3002 | 标准 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 22 ns | 20 µA @ 200 V | 175°c (最大) | |||
![]() | 1PS181,135 | - | ![]() | 6188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 1PS18 | 标准 | SMT3; mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 215ma(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||
![]() | VS-30CTH02-1-M3 | 0.8821 | ![]() | 8151 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 30CTH02 | 标准 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C |
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