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二极管阵列（（16722）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor MUR20020CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor MUR20040CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 100a 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30020CT GeneSiC Semiconductor MUR30020CT 118.4160
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor MUR30060CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR40010CT GeneSiC Semiconductor MUR40010CT 132.0780
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V
MUR40060CT GeneSiC Semiconductor MUR40060CT 132.0780
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 200a 1.3 V @ 125 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10010R GeneSiC Semiconductor Murf10010r -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf10010rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10020R GeneSiC Semiconductor Murf10020r -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf10020RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10040 GeneSiC Semiconductor Murf10040 -
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf10040gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF20005 GeneSiC Semiconductor Murf20005 -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf20005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF20010 GeneSiC Semiconductor Murf20010 -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf20010gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF20040 GeneSiC Semiconductor Murf20040 -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf20040gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF20040R GeneSiC Semiconductor Murf20040R -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） Murf20040RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF20060R GeneSiC Semiconductor Murf20060R -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） Murf20060RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT10005R GeneSiC Semiconductor murt10005r -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10005rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10010r -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10010rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT10020 GeneSiC Semiconductor Murt10020 -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10020gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20020 GeneSiC Semiconductor Murt20020 104.4930
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt20020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20020r 104.4930
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt20020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt20020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30010 GeneSiC Semiconductor Murt30010 118.4160
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt30010gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Murt30020 118.4160
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt30020gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040r 98.7424
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30040RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 150a 1.35 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30060r 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40010R GeneSiC Semiconductor murt40010r 132.0780
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt40010 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40010rgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40020R GeneSiC Semiconductor murt40020r 132.0780
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt40020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt40020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA60020R GeneSiC Semiconductor Murta60020r 188.1435
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta60020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta60020RGN Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 300A 1.3 V @ 300 A 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor Murta60040 188.1435
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta60040gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 300A 1.5 V @ 300 A 220 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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