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二极管阵列（（16722）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MBRT40040 GeneSiC Semiconductor MBRT40040 118.4160
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT50020 GeneSiC Semiconductor MBRT50020 -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50020GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT50020R GeneSiC Semiconductor MBRT50020R -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50020RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT50035R GeneSiC Semiconductor MBRT50035R -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50035RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT50060 GeneSiC Semiconductor MBRT50060 -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50060GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 250a 800 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT600100R GeneSiC Semiconductor MBRT600100R 140.2020
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT600100 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT600100RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60020R GeneSiC Semiconductor MBRT60020R 140.2020
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60020 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60035 GeneSiC Semiconductor MBRT60035 140.2020
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60035GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60035 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60035RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60040 GeneSiC Semiconductor MBRT60040 140.2020
RFQ
 ECAD 1945年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor MBRT60060 140.2020
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60080 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60080RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT200120A GeneSiC Semiconductor MSRT200120A 48.2040
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT200160A GeneSiC Semiconductor MSRT200160A 48.2040
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT250100A GeneSiC Semiconductor MSRT250100A 54.2296
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT250120A GeneSiC Semiconductor MSRT250120A 54.2296
RFQ
 ECAD 9058 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250120 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA400100A 60.2552
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA400100 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA400160A GeneSiC Semiconductor MSRTA400160A 60.2552
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA400160 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA500140A GeneSiC Semiconductor MSRTA500140A 101.4000
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500140 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA500160A GeneSiC Semiconductor MSRTA500160A 101.4000
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500160 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 - 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） MSRTA6001GN Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） - 1600 v 600A（DC） -55°C〜150°C
MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA600100A 109.2000
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA600100 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA600120A GeneSiC Semiconductor MSRTA600120A 109.2000
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA600120 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA6001 - 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） MSRTA6001RGN Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） - 1600 v 600A（DC） -55°C〜150°C
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109.2000
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA60060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor MUR10020CTR 75.1110
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR10020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10060ctr -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10060ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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