SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
CPT30050 Microsemi Corporation CPT30050 -
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ECAD 9458 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 MD3CC 肖特基 双子塔 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 150a 760 mv @ 200 a 4 mA @ 50 V
MBRF2535CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2535CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
MBRB2550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2550CT-E3/45 -
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ECAD 6411 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB25 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 15a 750 MV @ 15 A 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
322CMQ030 SMC Diode Solutions 322CMQ030 57.7937
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ECAD 2824 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 大部分 积极的 底盘安装 PRM4 322cmq 肖特基 PRM4(PRM4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 322CMQ030SMC Ear99 8541.10.0080 9 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 150a 560 mv @ 150 A 10 mA @ 30 V -55°C〜150°C
VS-MBRB2045CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2045CTPBF -
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ECAD 9593 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 570 mv @ 10 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
FMEN-210B Sanken FMEN-210B 1.6200
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ECAD 430 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 肖特基 TO-220F 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FMEN-210B DK Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 920 MV @ 5 A 100 µA @ 150 V -40°C〜150°C
BAV23C-QR Nexperia USA Inc. BAV23C-QR 0.0642
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ECAD 3622 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV23 标准 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1727-BAV23C-QRTR Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 225mA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 V 150°C
MBRF10100CTU SMC Diode Solutions MBRF10100CTU 0.2574
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ECAD 4140 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBRF1010 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 MBRF10100CTUSMC Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 820 mv @ 5 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MURTA30060 GeneSiC Semiconductor Murta30060 159.9075
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ECAD 5731 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MPE-220AVR Sanken MPE-220AVR -
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ECAD 1537年 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 TO-252-4,DPAK (3 +选项卡) MPE-220 肖特基 TO-220 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MPE-220AVR DK Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 850 mv @ 10 A 1 µA @ 100 V -40°C〜150°C
GB10SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-247D -
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ECAD 6041 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247 - (1 (无限) 1242-1315 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 12a 1.9 V @ 5 A 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
VS-16CTU04S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04S-M3 1.2600
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ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 16CTU04 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 8a 1.3 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C
VS-MBR4045CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR4045CT-1PBF -
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ECAD 3180 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MBR40 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 600 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
DAP202KT146 Rohm Semiconductor DAP202KT146 0.4100
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ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DAP202 标准 SMD3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 NA @ 70 V 150°C (最大)
VS-U5FH120FA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-U5FH120FA60 23.2500
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ECAD 152 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 VS-U5FH 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-U5FH120FA60 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 60a(DC) 1.7 V @ 60 A 67 ns 40 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
1PS184,135 NXP USA Inc. 1PS184,135 -
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ECAD 5233 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1PS18 标准 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 215ma(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
BYQ28E-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28E-100-E3/45 0.5341
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ECAD 1198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 BYQ28 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C
SB80W06T-TL-H onsemi SB80W06T-TL-H -
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ECAD 3434 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SB80W06 肖特基 TP-FA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 700 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4a 600 mv @ 3 a 100 µA @ 30 V -55°C〜150°C
STPS10SM80CR STMicroelectronics STPS10SM80CR -
RFQ
ECAD 2486 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS10 肖特基 i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 745 mv @ 5 a 15 µA @ 80 V 175°c (最大)
DSB40C15PB IXYS DSB40C15PB -
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ECAD 1173 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSB40C15 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 15 v 20a 480 mv @ 20 a 10 µA @ 15 V -55°C〜150°C
BAW 56 B5003 Infineon Technologies BAW 56 B5003 -
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ECAD 4751 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Baw 56 标准 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
DSP8-12S-TRL IXYS DSP8-12S-TRL 2.4141
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ECAD 3402 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DSP8 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 11a 1.15 V @ 7 A 5 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
SRF1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRF1660 -
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ECAD 5498 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SRF1660 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 16a 700 mv @ 8 a 500 µA @ 60 V -55°C〜150°C
BAS70W-06-7 Diodes Incorporated BAS70W-06-7 -
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ECAD 8215 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS70 肖特基 SOT-323 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V 150°C (最大)
BAT54S Texas Instruments BAT54 1.0000
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ECAD 6358 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3(TO-236) 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对系列连接 30 V 200mA 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
DSA30C100QB IXYS DSA30C100QB -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 DSA30C100 肖特基 to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 910 MV @ 15 A 300 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
MBRS30H45CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS30H45CT MNG -
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ECAD 3093 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRS30 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 900 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
RFQ
ECAD 6189 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 300A(DC) 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FU(TE85L,F) -
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ECAD 6360 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 HN2D01 标准 US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 3独立 80 V 80mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c (最大)
MBR20100CTL Diodes Incorporated MBR20100CTL -
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ECAD 6244 0.00000000 二极管合并 * 管子 过时的 - (1 (无限) 到达受影响 mbr20100ctldi Ear99 8541.10.0080 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库