SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
BAS70-05,215 NXP USA Inc. BAS70-05,215 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 10 µA @ 70 V 150°C (最大)
BYV42G-200,127 NXP USA Inc. BYV42G-200,127 -
RFQ
ECAD 4544 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA BYV42 标准 i2pak((TO-262) 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 15a 850 MV @ 15 A 28 ns 100 µA @ 200 V 150°C (最大)
MBR1560CT Fairchild Semiconductor MBR1560CT 1.0000
RFQ
ECAD 5560 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3 肖特基 TO-220-3 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 900 mv @ 15 A 1 mA @ 60 V -65°C〜150°C
CDBH3-54A-G Comchip Technology CDBH3-54A-G -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-523 肖特基 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-CDBH3-54A-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大)
CDBH3-54-HF Comchip Technology CDBH3-54-HF -
RFQ
ECAD 3572 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-523 CDBH3-54 肖特基 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-CDBH3-54-HFTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大)
BAV70S135 NXP USA Inc. BAV70S135 1.0000
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAV70 标准 6-TSSOP 下载 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2对普通阴极 100 v 250ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
FFSH15120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH15120ADN-F155 7.3100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 Ear99 8541.10.0080 42 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 8A(DC) 1.75 V @ 8 A 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
BAV99QA,147 Nexperia USA Inc. BAV99QA,147 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 3-XDFN暴露垫 BAV99 标准 DFN1010D-3 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 90 v 170mA(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
UC1611L883B Unitrode UC1611L883B 39.8400
RFQ
ECAD 109 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0080 8
FYPF2045DNTU Fairchild Semiconductor fypf2045dntu 0.5100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 肖特基 TO-220F-3 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 700 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
SN74S1052NS Texas Instruments SN74S1052NS 1.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 - Ear99 8542.39.0001 1
RB228T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB228T-60NZC9 1.7300
RFQ
ECAD 948 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB228 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 830 MV @ 15 A 10 µA @ 60 V 150°C
RB228T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB228T-30NZC9 1.7300
RFQ
ECAD 998 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB228 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 30a 720 MV @ 15 A 10 µA @ 30 V 150°C
RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ10T45ANZC9 1.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RBQ10 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 650 mv @ 5 a 70 µA @ 45 V 150°C
RB238NS100TL Rohm Semiconductor RB238NS100TL 2.6100
RFQ
ECAD 381 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB238 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 40a 860 mv @ 20 a 20 µA @ 100 V 150°C
RB228T100NZC9 Rohm Semiconductor RB228T100NZC9 1.5400
RFQ
ECAD 948 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB228 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 870 mv @ 5 a 5 µA @ 100 V 150°C
RBQ15BM45ATL Rohm Semiconductor RBQ15BM45ATL 1.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBQ15 肖特基 TO-252 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 590 MV @ 7.5 A 140 µA @ 45 V 150°C
RB228NS-40TL Rohm Semiconductor RB228NS-40TL 1.8700
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB228 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 30a 770 mv @ 15 A 10 µA @ 40 V 150°C
RB088NS-60TL Rohm Semiconductor RB088NS-60TL 1.2900
RFQ
ECAD 900 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB088 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 830 mv @ 5 a 3 µA @ 60 V 150°C
RB088NS-40TL Rohm Semiconductor RB088NS-40TL 1.2900
RFQ
ECAD 875 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB088 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 770 mv @ 5 a 3 µA @ 40 V 150°C
RB218NS150TL Rohm Semiconductor RB218NS150TL 1.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB218 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 20a 880 mv @ 10 a 20 µA @ 150 V 150°C
RB088T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB088T-40NZC9 1.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB088 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 770 mv @ 5 a 3 µA @ 40 V 150°C
RB218NS100TL Rohm Semiconductor RB218NS100TL 1.6300
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB218 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RB218NS100TLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 870 mv @ 10 a 7 µA @ 100 V 150°C
RB218T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-40NZC9 1.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB218 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 770 mv @ 10 A 5 µA @ 40 V 150°C
RB228NS-60TL Rohm Semiconductor RB228NS-60TL 1.8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB228 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 830 MV @ 15 A 10 µA @ 60 V 150°C
RB218T150NZC9 Rohm Semiconductor RB218T150NZC9 1.7700
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB218 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 20a 880 mv @ 10 a 20 µA @ 150 V 150°C
RBQ15BM65ATL Rohm Semiconductor RBQ15BM65ATL 0.6468
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBQ15 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 65 v 15a 630 MV @ 7.5 A 140 µA @ 45 V 150°C
BAW56-7-F-31 Diodes Incorporated BAW56-7-F-31 -
RFQ
ECAD 9062 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAW56 标准 SOT-23-3 - (1 (无限) 到达不受影响 31-BAW56-7-F-31TR Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 75 v 300mA(DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65°C〜150°C
BAT54AT-7-G Diodes Incorporated BAT54AT-7-G -
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-523 BAT54 肖特基 SOT-523 - (1 (无限) 到达不受影响 31-bat54at-7-gtr 过时的 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200mA 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C
CDSV3-217-G Comchip Technology CDSV3-217-G -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 标准 SOT-323 - rohs3符合条件 (1 (无限) 641-CDSV3-217-GTR 过时的 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 200 na @ 70 V 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库