SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MURS1620FCTA-BP Micro Commercial Co MURS1620FCTA-BP 1.1300
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ECAD 5570 0.00000000 微商业公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 Murs1620 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 16a 1 V @ 8 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C
BAS40-05-7-F-79 Diodes Incorporated BAS40-05-7-F-79 -
RFQ
ECAD 7714 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAS40-05-7-F-79TR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 40 V 200ma(dc) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V -55°C〜125°C
SDM20N30C-7-F Diodes Incorporated SDM20N30C-7-F -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SDM20 肖特基 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-SDM20N30C-7-FTR 过时的 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 30 V 200ma(dc) 750 mv @ 100 ma 5 ns 5 µA @ 25 V -65°C〜100°C
BAV99-7-G Diodes Incorporated BAV99-7-G -
RFQ
ECAD 9466 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV99 标准 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAV99-7-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 75 v 300mA(DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65°C〜150°C
MMBD4448HTMQ-7-F Diodes Incorporated MMBD4448HTMQ-7-F -
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-23-6 标准 SOT-26 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-MMBD4448HTMQ-7-FTR Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 3独立 80 V 250mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 NA @ 70 V -65°C〜150°C
BAS40W-06-7-F-79 Diodes Incorporated BAS40W-06-7-F-79 -
RFQ
ECAD 9239 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS40 肖特基 SOT-323 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAS40W-06-7-F-79TR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 200ma(dc) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V -55°C〜125°C
BAT54A-13-F Diodes Incorporated BAT54A-13-F -
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ECAD 6113 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-bat54a-13-ftr Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200mA 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C
BAT54SW-7-F-79 Diodes Incorporated BAT54SW-7-F-79 -
RFQ
ECAD 9677 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAT54 肖特基 SOT-323 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAT54SW-7-F-79TR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 30 V 200ma(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜125°C
MMBD4448HCDW-7-G Diodes Incorporated MMBD4448HCDW-7-G -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 标准 SOT-363 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-MMBD4448HCDW-7-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2对普通阴极 80 V 500mA(DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 NA @ 70 V -65°C〜150°C
BAV99T-7-G Diodes Incorporated BAV99T-7-G -
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-523 BAV99 标准 SOT-523 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAV99T-7-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 85 v 75ma(dc) 1 V @ 50 mA 4 ns 2 µA @ 75 V -65°C〜150°C
SDM540P5-13 Diodes Incorporated SDM540P5-13 -
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ECAD 9003 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - SDM540 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-SDM540P5-13TR 过时的 10,000 - -
BAS40W-05-7-F-79 Diodes Incorporated BAS40W-05-7-F-79 -
RFQ
ECAD 1127 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS40 肖特基 SOT-323 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAS40W-05-7-F-79TR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 40 V 200ma(dc) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V -55°C〜125°C
MSC2X50SDA070J Microchip Technology MSC2X50SDA070J 47.7600
RFQ
ECAD 70 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MSC2X50 SIC (碳化硅) SOT-227(ISOTOP®) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSC2X50SDA070J Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 700 v 50A(DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 200 µA @ 700 V -55°C 〜175°C
APT2X30S20J Microchip Technology APT2X30S20J 24.1200
RFQ
ECAD 35 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT2X30 肖特基 SOT-227(ISOTOP®) - (1 (无限) 到达不受影响 150-APT2X30S20J Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 45a 850 mv @ 30 a 55 ns 500 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSC2X50SDA170J Microchip Technology MSC2X50SDA170J 118.9700
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 MSC2X50 - (1 (无限) 到达不受影响 150-MSC2X50SDA170J Ear99 8541.10.0080 10
SBAT54SLT1 onsemi SBAT54SLT1 -
RFQ
ECAD 5106 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
MBR1545CT Fairchild Semiconductor MBR1545CT 1.0000
RFQ
ECAD 2464 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 840 mv @ 15 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
BAT74V115 Nexperia USA Inc. BAT74V115 0.0600
RFQ
ECAD 5920 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0070 330
BAS40-04E6327 Infineon Technologies BAS40-04E6327 -
RFQ
ECAD 4220 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 PG-SOT23-3-11 下载 Ear99 8541.10.0070 2,100 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
BAS40-05,235 NXP USA Inc. BAS40-05,235 1.0000
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 10 µA @ 40 V 150°C (最大)
FFSH40120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH40120ADN-F155 1.0000
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ECAD 7700 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 FFSH40120 SIC (碳化硅) TO-247长铅 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 20a 1.75 V @ 20 A 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
BYV34-500,127 NXP USA Inc. BYV34-500,127 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Byv34 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000
BAV70E6767 Infineon Technologies BAV70E6767 0.0200
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C
BAS21SW115 NXP USA Inc. BAS21SW115 -
RFQ
ECAD 2091 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0070 1
BAV99W/DG/B3135 NXP USA Inc. BAV99W/DG/B3135 1.0000
RFQ
ECAD 4333 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV99 标准 SOT-323 下载 0000.00.0000 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 100 v 150mA(DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3 47.0100
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS100 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-GHXS100B065S-D3 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 650 v 193a(DC) 1.65 V @ 100 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
SK3020CD2 Diotec Semiconductor SK3020CD2 0.7322
RFQ
ECAD 9817 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK3020 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK3020CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 15a 550 mv @ 15 A 500 µA @ 20 V -50°C〜150°C
SK30100CD2 Diotec Semiconductor SK30100CD2 0.9425
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK30100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK30100CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 850 MV @ 15 A 500 µA @ 100 V -50°C〜150°C
BAT54A-AQ Diotec Semiconductor BAT54A-AQ 0.0363
RFQ
ECAD 6202 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-bat54a-aqtr 8541.10.0000 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200mA 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
SK2080CD2 Diotec Semiconductor SK2080CD2 0.7534
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK2080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK2080CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 10a 850 mv @ 10 A 200 µA @ 80 V -50°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库