SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VS-30CPU04LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPU04LHN3 -
RFQ
ECAD 1731年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30CPU04 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 15a 1.25 V @ 15 A 46 ns 10 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
RBR20BGE40ATL Rohm Semiconductor RBR20BGE40ATL 2.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBR20 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 550 mv @ 10 a 360 µA @ 40 V 150°C
RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor RBR10BGE40ATL 1.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBR10 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 620 MV @ 5 A 120 µA @ 40 V 150°C
RBQ20BGE45ATL Rohm Semiconductor RBQ20BGE45ATL 2.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBQ20 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 590 mv @ 10 A 200 µA @ 45 V 150°C
RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor RBR20BGE60ATL 2.1800
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBR20 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 590 mv @ 10 A 600 µA @ 60 V 150°C
VS-MBRB2045CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2045CTPBF -
RFQ
ECAD 9593 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 570 mv @ 10 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRF300150R GeneSiC Semiconductor MBRF300150R -
RFQ
ECAD 8655 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3001 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 150 v 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
STPS40L40CW STMicroelectronics STPS40L40CW -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 STPS40 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 530 mv @ 20 a 800 µA @ 40 V 150°C (最大)
MMBD4448HTS-7-F Diodes Incorporated MMBD4448HTS-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 597 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-523 MMBD4448 标准 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 80 V 250mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 NA @ 70 V -65°C〜150°C
FMX-22S Sanken FMX-22S -
RFQ
ECAD 8363 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 标准 TO-220F-3 - Rohs符合条件 (1 (无限) FMX-22S DK Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 980 mv @ 5 a 30 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C
MBR25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR25100CT -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR25100 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 25a 920 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C
GIB2404-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB2404-E3/81 0.9817
RFQ
ECAD 9519 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB GIB2404 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
MURH860CT onsemi MURH860CT -
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 Onmi Megahertz™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 Murh86 标准 TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 4a 2.8 V @ 4 A 35 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C
BAV99_L99Z onsemi BAV99_L99Z -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 BAV99 标准 SOT-563 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 70 v 200mA 1.25 V @ 150 mA 60 ns 2.5 µA @ 70 V -55°C〜150°C
VS-80CNQ040ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CNQ040ASMPBF -
RFQ
ECAD 9425 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 D-61-8-SM 80CNQ040 肖特基 D-61-8-SM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS80CNQ040ASMPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 40a 520 mv @ 40 a 5 ma @ 35 V -55°C〜150°C
SBL4030PT Diodes Incorporated SBL4030PT -
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 SBL4030 肖特基 to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 40a 580 mv @ 20 a 1 ma @ 30 V -55°C〜125°C
MBRD1040CT-T Diodes Incorporated MBRD1040CT-T -
RFQ
ECAD 7443 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MBRD1040CT 肖特基 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 5a 480 mv @ 5 a 150 µA @ 35 V -55°C〜125°C
SBL30A30CT Diodes Incorporated SBL30A30CT -
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 SBL30 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 过时的 0000.00.0000 50
VS-MBRB1545CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1545CTPBF -
RFQ
ECAD 3652 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 840 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
FFPF10U30DNTU onsemi FFPF10U30DNTU -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 FFPF10 标准 TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 10a 1.2 V @ 10 A 60 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C
VBT1045CBP-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045CBP-E3/8W 1.2400
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT1045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 5a 580 mv @ 5 a 500 µA @ 45 V 200°C (最大)
MBRF1060CTL SMC Diode Solutions MBRF1060CTL 0.6200
RFQ
ECAD 890 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF106 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V - 600 mv @ 5 a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
FST7320M GeneSiC Semiconductor FST7320M -
RFQ
ECAD 6561 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 35a 700 MV @ 35 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR30H30CTG onsemi MBR30H30CTG 1.9500
RFQ
ECAD 225 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR30H30 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 15a 480 mv @ 15 A 800 µA @ 30 V -55°C〜150°C
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181,LF 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1SS181 标准 S-Mini - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c (最大)
MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A120 46.9860
RFQ
ECAD 3440 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 120 v 60a 880 mv @ 60 a 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
SRF1040HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1040HC0G -
RFQ
ECAD 9247 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SRF1040 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 550 mv @ 5 a 500 µA @ 40 V -55°C〜125°C
BAV74,215 Nexperia USA Inc. BAV74,215 0.1600
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV74 标准 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 215ma(dc) 1 V @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 V 150°C (最大)
SBR1U40CSP-7 Diodes Incorporated SBR1U40CSP-7 -
RFQ
ECAD 1862年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - SBR1U40 - - (1 (无限) 31-SBR1U40CSP-7TR 过时的 3,000 - - - -
MSRT150140A GeneSiC Semiconductor MSRT150140A 38.5632
RFQ
ECAD 8008 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1400 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库