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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
CDSV3-21 7-HF	-	RFQ	7652	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SC-70，SOT-323	CDSV3-21	标准	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CDSV3-217-HFTR	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma		200 na @ 70 V	150°C
CDSH6-16-HF	-	RFQ	7584	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SOT-563，SOT-666	CDSH6-16	标准	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CDSH6-16-HFTR	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	75 v	200mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C
DD350N12K-K	162.8600	RFQ	162	Infineon技术	-	大部分	积极的	底盘安装	模块		标准	模块	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	1200 v	350a	1.28 V @ 1000 A		30 ma @ 1200 V	150°C
BAS16VY125	-	RFQ	1429	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAS16			下载					Ear99	8541.10.0070	1
BAW56SRA147	1.0000	RFQ	7923	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAW56			下载						0000.00.0000	1
stth1002csf	0.8900	RFQ	775	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-277，3-PowerDfn	stth1002	标准	TO-277A（SMPC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	5a	1.05 V @ 5 A	35 ns	4 µA @ 200 V	175°C
RF2001T3DNZC9	1.5800	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RF2001	标准	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RF2001T3DNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	20a	1.3 V @ 10 A	25 ns	10 µA @ 300 V	150°C
RF1601T2DNZC9	1.7200	RFQ	966	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RF1601	标准	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RF1601T2DNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	16a	930 MV @ 8 A	30 ns	10 µA @ 200 V	150°C
RF601T2DNZC9	1.2400	RFQ	983	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RF601	标准	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RF601T2DNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	6a	930 MV @ 3 A	25 ns	10 µA @ 200 V	150°C
DA221ZMT2L	0.4300	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SOT-723	DA221	标准	VMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	20 v	100mA	1 V @ 10 mA		100 na @ 15 V	150°C
BAT854SW，115	-	RFQ	3726	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAT85			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
MBR20100CTTU	-	RFQ	2674	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3		肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	800 mv @ 10 a		200 µA @ 100 V	150°C （最大）
BAT74S135	-	RFQ	3420	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0070	1
PMEG3020CPA，115	-	RFQ	3709	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			PMEG3			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
RBQ30NS45ATL	-	RFQ	5193	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBQ30	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	650 mv @ 15 A		200 µA @ 45 V	150°C
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RBR30T40ANZC9	0.7694	RFQ	7729	Rohm半导体	-	（CT）	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RBR30	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	15a	620 MV @ 15 A		360 µA @ 40 V	150°C
RBR40NS30ATL	2.7700	RFQ	391	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBR40	肖特基	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	20a	520 mv @ 20 a		600 µA @ 30 V	150°C
RBQ20BM45ATL	1.6400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RBQ20	肖特基	TO-252	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	10a	590 mv @ 10 A		200 µA @ 45 V	150°C
RBR10BM30ATL	1.0900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RBR10	肖特基	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	5a	550 mv @ 5 a		100 µA @ 30 V	150°C
RBR10T60ANZC9	1.2600	RFQ	980	Rohm半导体	-	（CT）	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RBR10	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	5a	650 mv @ 5 a		200 µA @ 60 V	150°C
RBQ20T65ANZC9	1.5000	RFQ	1	Rohm半导体	-	（CT）	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RBQ20	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	65 v	10a	690 mv @ 10 A		140 µA @ 65 V	150°C
RBQ20NS65ATL	1.5400	RFQ	500	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBQ20	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	65 v	10a	690 mv @ 10 A		140 µA @ 65 V	150°C
RBQ30NS65ATL	1.7100	RFQ	996	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBQ30	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	65 v	15a	690 mv @ 15 A		200 µA @ 65 V	150°C
RBR20NS30ATL	1.5400	RFQ	775	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBR20	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	10a	550 mv @ 10 a		200 µA @ 30 V	150°C
RBR30NS30ATL	1.7100	RFQ	970	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBR30	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	15a	550 mv @ 15 A		300 µA @ 30 V	150°C
RBR10NS30ATL	0.6690	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBR10	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RBR10NS30ATLCT	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	5a	550 mv @ 5 a		100 µA @ 30 V	150°C
RBR20NS40ATL	0.7845	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBR20	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RBR20NS40ATLCT	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	10a	620 MV @ 10 A		240 µA @ 40 V	150°C
5962-90538012a	40.8600	RFQ	35	Texas Instruments	*	大部分	积极的			5962-905			下载					Ear99	8541.10.0080	8
BAS70-05235	0.0200	RFQ	26	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装		BAS70	肖特基		下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²