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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
SK2060CD2	0.7534	RFQ	4273	diotec半导体	-	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SK2060	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-SK2060CD2		8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	10a	700 mv @ 10 a		300 µA @ 60 V	-50°C〜150°C
SK3045CD2-3G	0.9049	RFQ	2883	diotec半导体	-	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SK3045	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-SK3045CD2-3G		8541.10.0000	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	500 mv @ 15 a		100 µA @ 45 V	-50°C〜150°C
S16MSD2	0.7003	RFQ	14	diotec半导体	-	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-S16MSD2		8541.10.0000	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1000 v	8a	1.1 V @ 8 A		5 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C
GE2X8MPS06D	5.1900	RFQ	58	基因半导体	SIC SC Hottky MPS™	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	GE2X8	SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1242-GE2X8MPS06D	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	650 v	19a（dc）				-55°C 〜175°C
VS-C5TX3012-M3	2.4600	RFQ	1	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	C5TX3012	标准	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-C5TX3012-M3	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		3.3 V @ 15 A	44 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
fya3010dntu	1.2300	RFQ	380	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		肖特基	to-3pn	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	1.05 V @ 30 A		1 mA @ 100 V	-65°C〜150°C
DD261N22KTIMHPSA1	238.3867	RFQ	2270	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块	DD261N22	标准	BG-PB50-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	2200 v	260a	1.42 V @ 800 A		40 mA @ 2200 V	150°C （最大）
DD540N22KTIMHPSA1	385.0000	RFQ	4506	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块	DD540N22	标准	BG-PB60AT-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	2200 v	540a	1.48 V @ 1.7 ka		40 mA @ 2200 V	150°C （最大）
FFAF20U20DNTU	0.8300	RFQ	720	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-3P-3		标准	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
fep16dt	0.5200	RFQ	236	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3		标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
FFPF12UP20DNTU	0.3700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		标准	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	6a	1.15 V @ 6 A	12 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
BYW51-200	-	RFQ	8969	哈里斯公司	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	byw51	标准	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0080	352	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	850 mv @ 8 a	35 ns	15 µA @ 200 V	150°C （最大）
FFPF15U20DPTU	-	RFQ	2187	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		标准	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
BYW51-200	-	RFQ	8991	Onmi	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	byw51	标准	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	850 mv @ 8 a	35 ns	15 µA @ 200 V	150°C （最大）
FFP06U40DNTU	0.3600	RFQ	6200	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3		标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	617	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	6a	1.4 V @ 6 A	50 ns	20 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
FFPF06U40DPTU	0.4800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		标准	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	400 v	6a	1.4 V @ 6 A	50 ns	20 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
RURG3020CC	-	RFQ	7328	哈里斯公司	-	管子	过时的	通过洞	TO-247-3		标准	TO-247	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	250 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
FFA05U120DNTU	2.4000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准	to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	5a	3.5 V @ 5 A	100 ns	5 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
MMBD1504	0.0900	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	200 v	200mA	1.1 V @ 200 ma		10 na @ 180 V	150°C （最大）
BAV99/8,215	-	RFQ	3957	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BAV99	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV99	标准	TO-236AB	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
FFPF06U20DPTU	0.2000	RFQ	21	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		标准	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
BAV74	0.0400	RFQ	58	Infineon技术	-	大部分	过时的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV74	标准	SOT-23-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	150°C （最大）
FFPF04U40DPTU	0.2400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		标准	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	400 v	4a	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
RB218BM200TL	1.9200	RFQ	11	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB218	肖特基	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	20a	880 mv @ 10 a		10 µA @ 200 V	150°C （最大）
RB218NS200TL	2.8800	RFQ	643	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB218	肖特基	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	20a	880 mv @ 10 a		10 µA @ 200 V	150°C （最大）
SBE807-TL-E	0.1800	RFQ	2357	Sanyo	-	大部分	过时的	表面安装	SC-74A，SOT-753		肖特基	5-CPH	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	30 V	1a	530 MV @ 1 A	10 ns	15 µA @ 16 V	-55°C〜125°C
DCG010-TL-E	0.0800	RFQ	1847年	Sanyo	-	大部分	过时的	表面安装	SC-70，SOT-323		标准	3-MCP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
FFP30UP20DNTU	1.0000	RFQ	3927	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3		标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	15a	1.15 V @ 15 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FFPF05U60DNTU	0.2800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		标准	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	5a	2.3 V @ 5 A	80 ns	2.5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
FYV0203DNMTF	0.0200	RFQ	4382	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		肖特基	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	1,935	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	30 V	200mA	1 V @ 200 MA		2 µA @ 30 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²