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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
V60D60CHM3/i	2.3300	RFQ	6271	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，ESMP®，TMBS®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + TAB）	V60D60	肖特基	TO-263AC（SMPD）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	30a	640 mv @ 30 a		5 ma @ 60 V	-40°C〜150°C
MBRB30H60CT-E3/45	1.0072	RFQ	3995	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB30	肖特基	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-MBRB30H60CT-E3/45	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	15a	680 mv @ 15 A		60 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
VB30M120C-M3/i	1.0205	RFQ	3281	Vishay通用半导体 -二极管部门	TMBS®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	VB30M120	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VB30M120C-M3/ITR	Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	120 v	15a	980 mv @ 15 A		800 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
VS-8DKH02-01HM3/i	-	RFQ	7453	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	8DKH02	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-8DKH02-01HM3/ITR	Ear99	8541.10.0080	6,000	-	-		-				-
MSCDC600A70AG	473.7800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC600	SIC （碳化硅）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC600A70AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	700 v	600a	1.8 V @ 600 A	0 ns	2.4 ma @ 700 V	-40°C〜175°C
MSCDC100A120D1PAG	155.4700	RFQ	35	微芯片技术	-	盒子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC100	SIC （碳化硅）	D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC100A120D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1200 v	100a	1.8 V @ 100 A	0 ns	400 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C
MSCDC300A70AG	304.1200	RFQ	25	微芯片技术	-	管子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC300	SIC （碳化硅）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC300A70AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	700 v	300A	1.8 V @ 300 A	0 ns	1.2 ma @ 700 V	-40°C〜175°C
MSCDC200KK70D1PAG	182.5200	RFQ	18	微芯片技术	-	盒子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）	D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200KK70D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	700 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 700 V	-40°C〜175°C
MSCDC450A120AG	527.8000	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC450	SIC （碳化硅）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC450A120AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1200 v	450a	1.8 V @ 450 A	0 ns	1.8 ma @ 1200 V	-40°C〜175°C
MSCDC300A170AG	726.2600	RFQ	4268	微芯片技术	-	管子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC300	SIC （碳化硅）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC300A170AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1700 v	300A	1.8 V @ 300 A	0 ns	1.2 ma @ 1700 V	-40°C〜175°C
MSCDC450A170AG	1.0000	RFQ	8822	微芯片技术	-	管子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC450	SIC （碳化硅）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC450A170AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1700 v	450a	1.8 V @ 450 A	0 ns	1.8 ma @ 1700 V	-40°C〜175°C
MSCDC200A70D1PAG	182.5200	RFQ	13	微芯片技术	-	盒子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）	D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200A70D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	700 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 700 V	-40°C〜175°C
MSCDC200KK120D1PAG	244.2900	RFQ	2	微芯片技术	-	盒子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）	D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200KK120D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C
MSCDC600A120AG	658.7500	RFQ	1744年	微芯片技术	-	管子	积极的	底盘安装	模块	MSCDC600	SIC （碳化硅）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC600A120AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1200 v	600a	1.8 V @ 600 A	0 ns	2.4 ma @ 1200 V	-40°C〜175°C
NUR460P/L07112	0.1400	RFQ	169	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			NUR460			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
MBR2545CT	-	RFQ	2553	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3	MBR2545	肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	214	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	25a	820 MV @ 25 A		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
BAW156235	0.0300	RFQ	1724年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAW156			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	7,000
SMBD1087LT3	0.0200	RFQ	140	Onmi	*	大部分	积极的						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	10,000
BAT54A	-	RFQ	3675	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	30 V	200mA	1 V @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
BAS70-04TE6327	0.0300	RFQ	33	Infineon技术	*	大部分	积极的			BAS70			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BAV199E6359	-	RFQ	7975	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV199	标准	PG-SOT23-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C
NRVBD650CTG	-	RFQ	1522	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	管子	过时的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVBD650	肖特基	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBD650CTG	Ear99	8541.10.0080	75	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
NRVBD660CTRLG	-	RFQ	5099	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVBD660	肖特基	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBD660CTRLGTR	Ear99	8541.10.0080	1,800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
srvud620ctt4g	0.6900	RFQ	2181	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Srvud620	标准	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	3a	1 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
NRVBD650CTT4G	-	RFQ	5805	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVBD650	肖特基	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBD650CTT4GTR	Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
SB02W03C-TB-E	0.1000	RFQ	75	Onmi	*	大部分	积极的						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
BAV70	0.0300	RFQ	6307	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-BAV70TR	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 70 V	-55°C〜150°C
UC1611L	12.8500	RFQ	1	单位树	-	大部分	积极的	表面安装	20-CLCC		肖特基	20-LCCC（8.89x8.89）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	4独立	50 V	1A（DC）	1.2 V @ 1 A	20 ns	100 µA @ 40 V	-55°C〜125°C
MBR2535CT	1.0000	RFQ	7967	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3	MBR2535	肖特基	TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	35 v	25a	820 MV @ 25 A		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
STPSC31H12CWY	17.6500	RFQ	5706	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	STPSC31	SIC （碳化硅）	TO-247-3	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STPSC31H12CWY	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	15a	1.5 V @ 15 A	0 ns	90 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²