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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS10P3CL-M3/87A | 0.3884 | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS103 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 5a | 520 mv @ 5 a | 850 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BYVF32-150HE3_A/p | 1.0725 | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | BYVF32 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | FEPF6CT-E3/45 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | FEPF6 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 6a | 975 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | GI2401-E3/45 | 0.8186 | ![]() | 9145 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | GI2401 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 16a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MBR2050CT-E3/45 | - | ![]() | 8946 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR20 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBR2060CTHE3/45 | - | ![]() | 6036 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR20 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBR40H35PT-E3/45 | 1.7628 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | MBR40 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 40a | 730 MV @ 40 A | 150 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBRB1560CTHE3/45 | - | ![]() | 8644 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB15 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 7.5a | 750 MV @ 7.5 A | 1 mA @ 60 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBRB2045CT-E3/45 | 1.6100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB2045 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 650 MV @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBRB2050CT-E3/45 | - | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBRB2050CTHE3/45 | - | ![]() | 5610 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | SS10P4C-M3/86A | 0.9100 | ![]() | 6427 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS10P4 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 5a | 530 mv @ 5 a | 550 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | VF20100R-E3/4W | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF20100 | 肖特基 | ITO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRF25H45CT-E3/45 | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF25 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 640 mv @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | SB20H150CT-1E3/45 | - | ![]() | 8707 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SB20H150 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | SBL25L20CTHE3/45 | - | ![]() | 4654 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBL25L20 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 12.5a | 490 mv @ 12.5 A | 900 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SBL3040PT-E3/45 | 2.6000 | ![]() | 461 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | SBL3040 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 550 mv @ 15 A | 1 mA @ 40 V | -40°C〜125°C | |||
![]() | SBLB1640CT-E3/45 | - | ![]() | 1083 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SBLB1640 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 8a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -40°C〜125°C | |||
![]() | SBLF25L25CTHE3/45 | - | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBLF25L25 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 25 v | 12.5a | 490 mv @ 12.5 A | 900 µA @ 25 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | UF10CCT-E3/4W | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | UF10 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 5a | 1.1 V @ 5 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | UGF10DCT-E3/45 | - | ![]() | 1925年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | UGF10 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 1.1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | SBR160-10J | - | ![]() | 3779 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SBR160 | 肖特基 | TO-220毫升 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 16a | 850 mv @ 8 a | 200 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MMBD1505A_D87Z | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBD15 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 200 v | 200mA | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 180 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BYQ28E-200/H,127 | 0.7600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | BYQ28 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||
![]() | MBR3060CTP | - | ![]() | 4705 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3隔离选项卡 | 肖特基 | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | MBR3060CTPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 750 MV @ 15 A | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MMBD2838LT1G | 0.1700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBD2838 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 50 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | Murt40060 | - | ![]() | 9179 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt40060gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 200a | 1.7 V @ 200 A | 240 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | FST16040 | 75.1110 | ![]() | 6832 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST16040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 160a(DC) | 750 MV @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MSRT25060A | 54.2296 | ![]() | 1769年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT25060 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 250a(DC) | 1.2 V @ 250 A | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MSRT25080A | 54.2296 | ![]() | 1580 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT25080 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 800 v | 250a(DC) | 1.2 V @ 250 A | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C |
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