SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
SS10P3CL-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P3CL-M3/87A 0.3884
RFQ
ECAD 8318 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS103 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 5a 520 mv @ 5 a 850 µA @ 30 V -55°C〜150°C
BYVF32-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-150HE3_A/p 1.0725
RFQ
ECAD 6799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
FEPF6CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
GI2401-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2401-E3/45 0.8186
RFQ
ECAD 9145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2401 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 50 µA @ 50 V -65°C〜150°C
MBR2050CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2050CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 50 V -65°C〜150°C
MBR2060CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2060CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 60 V -65°C〜150°C
MBR40H35PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR40H35PT-E3/45 1.7628
RFQ
ECAD 5926 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 MBR40 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 40a 730 MV @ 40 A 150 µA @ 35 V -65°C〜175°C
MBRB1560CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1560CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 mA @ 60 V -65°C〜150°C
MBRB2045CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2045CT-E3/45 1.6100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB2045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 650 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRB2050CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2050CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 50 V -65°C〜150°C
MBRB2050CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2050CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 5610 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 50 V -65°C〜150°C
SS10P4C-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4C-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 6427 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS10P4 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 5a 530 mv @ 5 a 550 µA @ 40 V -55°C〜150°C
VF20100R-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20100R-E3/4W -
RFQ
ECAD 3663 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20100 肖特基 ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 900 mv @ 10 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C
MBRF25H45CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF25H45CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 45 V -65°C〜175°C
SB20H150CT-1E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB20H150CT-1E3/45 -
RFQ
ECAD 8707 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SB20H150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 900 mv @ 10 a 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C
SBL25L20CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL25L20CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SBL25L20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 12.5a 490 mv @ 12.5 A 900 µA @ 20 V -55°C〜150°C
SBL3040PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL3040PT-E3/45 2.6000
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 SBL3040 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 15a 550 mv @ 15 A 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C
SBLB1640CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1640CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1083 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBLB1640 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 8a 550 mv @ 8 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C
SBLF25L25CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF25L25CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBLF25L25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 25 v 12.5a 490 mv @ 12.5 A 900 µA @ 25 V -55°C〜150°C
UF10CCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF10CCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 UF10 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
UGF10DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF10DCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1925年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 UGF10 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C
SBR160-10J onsemi SBR160-10J -
RFQ
ECAD 3779 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 SBR160 肖特基 TO-220毫升 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 16a 850 mv @ 8 a 200 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MMBD1505A_D87Z onsemi MMBD1505A_D87Z -
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBD15 标准 SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 200 v 200mA 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 180 V 150°C (最大)
BYQ28E-200/H,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200/H,127 0.7600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 BYQ28 标准 TO-220AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.25 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大)
MBR3060CTP Diodes Incorporated MBR3060CTP -
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 肖特基 ITO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 MBR3060CTPDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 750 MV @ 15 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MMBD2838LT1G onsemi MMBD2838LT1G 0.1700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBD2838 标准 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 50 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40060 GeneSiC Semiconductor Murt40060 -
RFQ
ECAD 9179 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt40060gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
ECAD 6832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FST16040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 160a(DC) 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
ECAD 1769年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT25060 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 600 v 250a(DC) 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT25080 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 800 v 250a(DC) 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库