SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
FEPF6BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6BTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1555年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C
FEPF6CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FEPF6CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1545年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
GI2401-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2401-E3/45 0.8186
RFQ
ECAD 9145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2401 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 50 µA @ 50 V -65°C〜150°C
GI2403-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2403-E3/45 0.8186
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2403 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 50 µA @ 150 V -65°C〜150°C
GI2404-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2404-E3/45 0.8186
RFQ
ECAD 1737年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2404 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
GI2404HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2404HE3/45 -
RFQ
ECAD 1899年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 GI2404 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
GIB2404HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB2404HE3_A/p 1.1385
RFQ
ECAD 5523 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB GIB2404 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
M6035P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M6035P-E3/45 1.8339
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 M6035 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 30a 600 mv @ 30 a 600 µA @ 35 V -65°C〜150°C
M6045P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M6045P-E3/45 1.8339
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 M6045 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 600 mv @ 30 a 600 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBR10100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10100CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR1010 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
MBR1090CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1090CT-E3/4W 0.6389
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR109 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 90 V -65°C〜150°C
UH4PBC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC-M3/86A -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn UH4 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 2a 1.05 V @ 2 A 25 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
UH4PDC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PDC-M3/86A -
RFQ
ECAD 5235 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn UH4 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 2a 1.05 V @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBR1535CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1535CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2107 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR15 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
MBR1545CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1545CT-E3/45 1.2000
RFQ
ECAD 228 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR1545 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65°C〜175°C
MBR1550CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1550CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR15 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 ma @ 50 V -65°C〜175°C
MBR15H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR15H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4405 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR15 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBR20100CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20100CT-E3/4W 2.0700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
MBR2035CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2035CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5828 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 10a 650 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C
MBR2050CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2050CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 50 V -65°C〜150°C
MBR2060CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2060CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 60 V -65°C〜150°C
MBR20H100CTG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H100CTG-E3/45 1.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 850 mv @ 10 A 3.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MBR20H100CTGHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H100CTGHE3/45 -
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 850 mv @ 10 A 3.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MBR20H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 10a 630 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
MBR20H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBR20H90CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H90CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4670 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 10a 770 mv @ 10 A 4.5 µA @ 90 V -65°C〜175°C
MBR2545CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2545CT-E3/4W -
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR2545 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBR25H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
MBR25H45CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H45CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2211 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 45 V -65°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库