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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
UG18BCT-E3/45	-	RFQ	9541	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	UG18	标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	18a	1.1 V @ 9 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
UG18BCTHE3/45	-	RFQ	1953年	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	UG18	标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	18a	1.1 V @ 9 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
UG30APT-E3/45	-	RFQ	5803	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	UG30	标准	TO-247AD（TO-3P）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	750	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	30a	1.15 V @ 30 A	35 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C
UG30BPT-E3/45	-	RFQ	6315	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	UG30	标准	TO-247AD（TO-3P）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	750	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	1.15 V @ 30 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
UG8HCT-E3/45	-	RFQ	4603	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	UG8	标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	500 v	4a	1.75 V @ 4 A	50 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C
UG8JCTHE3/45	-	RFQ	3820	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	UG8	标准	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	4a	1.75 V @ 4 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
UGB10CCTHE3/45	-	RFQ	8948	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB10	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	UGB10CCTHE3_A/p	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	5a	1.1 V @ 5 A	25 ns	10 µA @ 150 V	-40°C〜150°C
UGB10DCT-E3/45	-	RFQ	8286	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB10	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	5a	1.1 V @ 5 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
UGB10DCTHE3/45	-	RFQ	8257	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB10	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	UGB10DCTHE3_A/p	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	5a	1.1 V @ 5 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
UGB10FCT-E3/45	-	RFQ	7102	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB10	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	5a	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-40°C〜150°C
UGB10GCT-E3/45	-	RFQ	5390	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB10	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	5a	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
UGB10GCTHE3/45	-	RFQ	5926	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB10	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	UGB10GCTHE3_A/p	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	5a	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
UGB18ACTHE3/45	-	RFQ	6293	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UGB18	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	UGB18ACTHE3_A/p	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	18a	1.1 V @ 9 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C
UGF10DCT-E3/45	-	RFQ	1925年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	UGF10	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	5a	1.1 V @ 5 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
UGF10GCT-E3/45	-	RFQ	3160	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	UGF10	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	5a	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
UGF18CCTHE3_A/p	-	RFQ	9025	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	UGF18	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	18a	1.1 V @ 9 A	30 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜150°C
UGF8HCT-E3/45	-	RFQ	2432	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	UGF8	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	500 v	4a	1.75 V @ 4 A	50 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C
UGF8JCTHE3/45	-	RFQ	5586	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	UGF8	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	4a	1.75 V @ 4 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
UHF20FCT-E3/4W	-	RFQ	4464	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	UHF20	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	10a	1.2 V @ 10 A	35 ns	5 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
V20100R-E3/4W	-	RFQ	3635	Vishay通用半导体 -二极管部门	TMBS®	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	V20100	肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	900 mv @ 10 a		150 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
V20200G-E3/4W	0.8273	RFQ	4539	Vishay通用半导体 -二极管部门	TMBS®	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	V20200	肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	1.7 V @ 10 A		150 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
V30150C-E3/4W	1.8800	RFQ	7567	Vishay通用半导体 -二极管部门	TMBS®	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	V30150	肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	15a	1.36 V @ 15 A		200 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
SBT100-16JS	-	RFQ	1071	Onmi	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包	SBT100	肖特基	TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	160 v	10a	880 mv @ 5 a		200 µA @ 160 V	-55°C〜150°C
SBR160-10J	-	RFQ	3779	Onmi	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包	SBR160	肖特基	TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	16a	850 mv @ 8 a		200 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
SBT150-06J	-	RFQ	7659	Onmi	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包	SBT150	肖特基	TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	15a	580 mv @ 6 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
SBT80-06L	-	RFQ	3305	Onmi	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包	SBT80	肖特基	TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	8a	580 mv @ 3 a		100 µA @ 10 V	-55°C〜150°C
SBE805-TL-E	-	RFQ	4411	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	SC-74A，SOT-753	SBE805	肖特基	5-CPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	30 V	500mA	550 mv @ 500 mA	10 ns	30 µA @ 15 V	-55°C〜125°C
SBS811-TL-E	-	RFQ	2837	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SBS811	肖特基	8-VEC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	30 V	2a	400 mv @ 2 a	20 ns	1.25 ma @ 15 V	-55°C〜125°C
MBR20100CT-BP	0.9900	RFQ	800	微商业公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	MBR20100	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	950 mv @ 20 a		150 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
STPS20L120CT	-	RFQ	4054	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	STPS20	肖特基	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	120 v	10a	860 mv @ 10 a		120 µA @ 120 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²