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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VF60120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF60120C-M3/4W 2.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF60120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 30a 950 MV @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VFT1060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT1060C-E3/4W 0.5255
RFQ
ECAD 5452 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT1060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -40°C〜150°C
VFT1080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT1080C-M3/4W 0.5775
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT1080 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VFT2060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2060G-E3/4W 0.5255
RFQ
ECAD 5545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT2060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10A(DC) 900 mv @ 10 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VFT2060G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2060G-M3/4W 0.5399
RFQ
ECAD 3992 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT2060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 900 mv @ 10 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VFT3060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3060G-E3/4W 0.6527
RFQ
ECAD 1674年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT3060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 730 MV @ 15 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VFT3060G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3060G-M3/4W 0.6767
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT3060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 730 MV @ 15 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VFT30L60C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT30L60C-M3/4W 0.9720
RFQ
ECAD 6196 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT30L60 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 600 mv @ 15 A 4 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VFT4060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT4060C-E3/4W 1.2067
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT4060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 620 mv @ 20 a 6 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VFT6045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT6045C-M3/4W 1.5626
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT6045 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 640 mv @ 30 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VI10150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150C-M3/4W 0.5587
RFQ
ECAD 9145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI10150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 750 MV @ 5 A 100 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VI20100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20100CHM3/4W -
RFQ
ECAD 2647 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA vi20100 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 790 mv @ 10 a 800 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VI20M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20M120C-M3/4W 0.7711
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI20M120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 910 MV @ 10 A 700 µA @ 120 V -40°C〜175°C
VI30120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120C-M3/4W 0.8664
RFQ
ECAD 2382 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VI30150CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30150CHM3/4W -
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.36 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VI40100G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40100G-M3/4W 0.9691
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI40100 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VI40150CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40150CHM3/4W -
RFQ
ECAD 4166 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI40150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 20a 1.43 V @ 20 A 250 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VIT1060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT1060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7849 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT1060 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VIT1080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT1080C-M3/4W 0.5793
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT1080 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VIT2045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT2045 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 580 mv @ 10 a 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VIT2045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2045C-M3/4W 0.8615
RFQ
ECAD 7673 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT2045 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 580 mv @ 10 a 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VIT2060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT2060 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 650 MV @ 10 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VIT3045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT3045 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VIT3060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT3060 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 1.2 ma @ 60 V -55°C〜150°C
VIT3080CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3080CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT3080 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 15a 820 MV @ 15 A 700 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VIT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT4045C-M3/4W 1.5094
RFQ
ECAD 5857 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT4045 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
UGE18CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE18CCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4357 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UGE18 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 18a 1.2 V @ 20 A 30 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
UGE18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE18DCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2838 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UGE18 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.2 V @ 20 A 30 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
V30100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100C-M3/4W 1.7500
RFQ
ECAD 886 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V30M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30M100M-E3/4W 0.5978
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30M100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 930 MV @ 15 A 1 mA @ 100 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库