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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MMRF1314GSR5	522.5438	RFQ	4862	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	NI-1230-4S GW	MMRF1314	1.4GHz	ldmos	NI-1230-4S海鸥	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	100 ma	1000W	17.7dB	-	50 V
MMRF2007GNR1	-	RFQ	1859年	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MMRF2				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935312376528	Ear99	8541.29.0075	500
MRF5P20180HR6	-	RFQ	9085	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-1230	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150		-	1.6 a	38W	14dB	-	28 V
BLC9G27LS-150AVZ	-	RFQ	4031	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1275-1	BLC9	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos	DFM6	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	400 MA	150W	15DB	-	28 V
PD85015TR-E	-	RFQ	7229	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD85015	870MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		5a	150 ma	15W	16dB	-	13.6 v
MRF5S9100MBR1	-	RFQ	7781	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	TO-272BB	MRF5	880MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	950 MA	20W	19.5db	-	26 V
MRF6S9130HR3	-	RFQ	6872	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	880MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	950 MA	27W	19.2db	-	28 V
ART150PEGY	51.4650	RFQ	1464	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				Art150				-	rohs3符合条件						100
PTVA030121EA-V1-R0	38.8486	RFQ	8587	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	H-36265-2	PTVA030121	390MHz〜450MHz	ldmos	H-36265-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50		-	50 mA	12W	25DB	-	50 V
blc9h10xs-300py	-	RFQ	4021	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	108 v	表面安装	SOT-1273-1	BLC9	600MHz〜960MHz	ldmos	SOT1273-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	934960106518	Ear99	8541.29.0075	100		1.4µA	600 MA	300W	21dB	-	50 V
BLF879P，112	-	RFQ	9497	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	104 v	底盘安装	SOT-539A		860MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	1.3 a	200W	21dB	-	42 v
MRF6S19060NR1	-	RFQ	1761年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	1.93GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	610 MA	12W	16dB	-	28 V
ARF461BG	59.2200	RFQ	8374	微芯片技术	-	大部分	积极的	1000 v		TO-247-3	ARF461	65MHz	MOSFET	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	25µA		150W	15DB	-	50 V
BLF7G20LS-200,118	-	RFQ	4311	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF7	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	100		-	1.62 a	55W	18db	-	28 V
PTMA210152MV1	-	RFQ	7961	Infineon技术	-	大部分	积极的	65 v		20-SOIC （0.433英寸，11.00mm宽度）		1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	PG-DSO-20-63	下载					Ear99	8542.33.0001	5		10µA	160 MA	15W	28.5db	-	28 V
MRF6VP3450HSR5	-	RFQ	5195	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	NI-1230S	MRF6	860MHz	ldmos	NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314024178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.4 a	90W	22.5dB	-	50 V
NE651R479A-A	-	RFQ	8887	cel	-	大部分	过时的	8 V		4-SMD，平坦的铅		1.9GHz	GAAS HJ-FET	79a	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1		1a	50 mA	27dBm	12DB	-	3.5 v
PD55025-E	29.6600	RFQ	4356	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55025	500MHz	ldmos	10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		7a	200 ma	25W	14.5db	-	12.5 v
SD2918	-	RFQ	7660	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	125 v		M113	SD2918	30MHz	MOSFET	M113	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	6a	100 ma	30W	22DB	-	50 V
CGHV96100F2	731.5400	RFQ	102	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	100 v		440210	CGHV96100	7.9GHz〜9.6GHz	hemt	440210	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0095	50		12a	1 a	131W	10.2db	-	40 V
AFM912NT1	2.9754	RFQ	9766	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V	表面安装	16-vdfn暴露垫		136MHz〜941MHz	ldmos	16-DFN （4x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFM912NT1TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	-	10µA		-	13.3db	-
TM-100	-	RFQ	3590	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的						甘姆特		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	60				100W
BLF7G22L-200,118	-	RFQ	2810	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF7G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	100		-	1.62 a	55W	18.5db	-	28 V
MDSGN-750ELMV	-	RFQ	3528	微芯片技术	-	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	55 kr	下载			到达不受影响	150-MDSGN-750ELMV	Ear99	8541.29.0095	5		-	100 ma	800W	19.1db	-	50 V
BLF6G27L-40P，112	-	RFQ	8242	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1121A	BLF6G27	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934065319112	Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	450 MA	12W	17.5db	-	28 V
A3T18H455W23SR6	98.0184	RFQ	7499	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935354975128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	10µA	600 MA	192W	16.7dB	-	30 V
ARF465BG	61.8200	RFQ	3633	微芯片技术	-	大部分	积极的	1200 v		TO-247-3	ARF465	40.68MHz	MOSFET	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	6a		150W	15DB	-	300 v
STMFS4834NST1G	0.4900	RFQ	210	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0040	1,500
MRF5S4140HR3	-	RFQ	1459	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF5	465MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.25 a	28W	21dB	-	28 V
MRF6S19140HR5	-	RFQ	1793年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.15 a	29W	16dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²