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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRFE6S9125NBR1	-	RFQ	4939	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	TO-272BB	MRFE6	880MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935309651528	Ear99	8541.29.0075	500		-	950 MA	27W	20.2dB	-	28 V
BF1201WR，135	-	RFQ	1275	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF120	400MHz	MOSFET	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门	30mA	15 ma	-	29dB	1dB	5 v
MRF7S18125BHSR3	-	RFQ	8787	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	1.93GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.1 a	125W	16.5db	-	28 V
NE5531079A-T1-A	6.0000	RFQ	6005	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V		4-SMD，平坦的铅		460MHz	ldmos	79a	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0000	1,000		3a	200 ma	40dBm	-	-	7.5 v
PD55015S-E	16.3350	RFQ	3890	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55015	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		5a	150 ma	15W	14dB	-	12.5 v
BLF6G22L-40P，112	-	RFQ	4227	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1121A	BLF6G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934065325112	Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	16a	410 MA	13.5W	19db	-	28 V
ST05250	145.2000	RFQ	6233	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v	底盘安装	B4e	ST052	1GHz	ldmos	B4e	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST05250			120	-	-		250W	13.5dB	-
MRFE6S9046NR1	23.5100	RFQ	457	自由度半导体	-	大部分	积极的	66 v		TO-270AB	MRFE6	960MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		-	300 MA	35.5W	19db	-	28 V
1012GN-800V	-	RFQ	8828	微芯片技术	v	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.025GHZ〜1.15GHz	-	55 kr	下载			到达不受影响	150-1012GN-800V	Ear99	8541.29.0095	1	-	-	120 MA	825W	19.3db	-	54 v
PD55015-E	21.0200	RFQ	8432	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD55015	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		5a	150 ma	15W	14dB	-	12.5 v
3SK318YB-TL-E	-	RFQ	4095	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	SC-82A，SOT-343		-	MOSFET	CMPAK-4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	-	10 MA	-	21dB	1.4dB	3.5 v
A2T21H450W19SR6	-	RFQ	5096	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230S-4S4S	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos	NI-1230S-4S4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323762128	Ear99	8541.29.0075	150		10µA	800 MA	390W	15.7dB	-	30 V
MRF6S1100NR1	-	RFQ	7815	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	1.99GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	950 MA	22W	14.5db	-	28 V
LET16060C	-	RFQ	4617	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V		M243	LET16060	1.6GHz	ldmos	M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25		12a	400 MA	60W	13.8db	-	28 V
A3T23H450W23SR6	150.1500	RFQ	1890年	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				A3T23				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
AFT20S015NR1	28.4000	RFQ	441	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270AA	AFT20	2.17GHz	ldmos	TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500		-	132 MA	1.5W	17.6dB	-	28 V
MRF7S21080HR3	57.3800	RFQ	931	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-780S-4S2S		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-780S-4S2S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	250		10µA	800 MA	22W	18db	-	28 V
MCH6655-TL-E	0.0700	RFQ	8133	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BF244A_J35Z	-	RFQ	3815	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF244	100MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	50mA		-	-	1.5dB	15 v
MRF8S7170NR3	-	RFQ	7241	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	表面安装	OM-780-2	MRF8	748MHz	ldmos	OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935317133528	Ear99	8541.29.0075	250		-	1.2 a	50W	19.5db	-	28 V
PTFB241402FC-V1-R0	92.5940	RFQ	8127	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计					-	-		-				1697-PTFB241402FC-V1-R0TR			50	-	-		-	-	-
MRF8VP13350NR3	189.7406	RFQ	8277	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v	表面安装	OM-780-4L	MRF8VP13350	1.3GHz	ldmos	OM-780-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316089528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	100 ma	350W	19.2db	-	50 V
1011gn-1200vel	-	RFQ	3751	微芯片技术	v	大部分	积极的	150 v	表面安装	55-Q03P		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	55-Q03P	下载			到达不受影响	150-1011GN-1200VEL	Ear99	8541.29.0095	1		-	150 ma	1200W	20dB	-	50 V
NE3509M04-A	-	RFQ	4457	cel	-	大部分	过时的	4 V		SOT-343F	NE3509	2GHz	GAAS HJ-FET	M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NE3509M04A	Ear99	8541.21.0075	1		60mA	10 MA	11DBM	17.5db	0.4dB	2 v
MRFE6S8046GNR1	-	RFQ	2832	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	表面安装	TO-270BB	MRFE6	894MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	500		-	300 MA	35.5W	19.8db	-	28 V
PTFA241301F V1	-	RFQ	5589	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		2.42GHz	ldmos	H-31260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		10µA	1.15 a	130W	14dB	-	28 V
SD2931-12MR	76.2300	RFQ	4054	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	125 v		M174MR	SD2931	175MHz	MOSFET	M174MR	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	20a	250 MA	150W	15DB	-	50 V
PTFA180701E-V4-R250	56.8484	RFQ	4891	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v	底盘安装	H-36265-2	PTFA180701	1.84GHz	ldmos	H-36265-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250		10µA	550 MA	60W	16.5db	-	28 V
MRF6V12500HSR3	-	RFQ	1586年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	110 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.03GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	200 ma	500W	19.7db	-	50 V
AFT23S170-13SR3	-	RFQ	3586	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-6	AFT23	2.4GHz	ldmos	NI-780S-6	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.1 a	45W	18.8db	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²