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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLM9D1822-30BX	17.9654	RFQ	7052	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	20 QFN暴露垫	BLM9	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	20-PQFN（8x8）	-	rohs3符合条件			1603-BLM9D1822-30BXTR			2,000	-	1.4µA	110 MA	-	29.3db	-	28 V
BLF8G22LS-270U	-	RFQ	4983	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF8	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-	2.4 a	80W	17.7dB	-	28 V
PTFA091503ELV4R0XTMA1	-	RFQ	4305	Infineon技术	-	条	过时的	65 v		2-flatpack，鳍铅，法兰		920MHz〜960MHz	ldmos	H-33288-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001422954	Ear99	8541.29.0095	50		10µA	1.25 a	150W	17dB	-	30 V
CE3520K3-C1	1.4800	RFQ	2	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	4 V		4-micro-X	CE3520	20GHz	Phemt fet	4-micro-X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	10,000		15mA	10 MA	125MW	13.8db	0.8dB	2 v
IGT8292M50	637.7400	RFQ	10	Integra Technologies Inc.	*	托盘	积极的				IGT8292				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2251-IGT8292M50	光盘3A001B3	8541.29.0075	5
ARF473	-	RFQ	1017	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	500 v		-		130MHz	MOSFET	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共来源	10a	150 ma	300W	14dB	-	135 v
PTFC210202FC-V1-R0	68.8500	RFQ	30	Wolfspeed，Inc。	-	条	不适合新设计	65 v	底盘安装	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8542.33.0001	50	双重的	-	170 MA	5W	21dB	-	28 V
MRFG35010R5	-	RFQ	3303	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v	底盘安装	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet	NI-360HF	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	180 MA	10W	10dB	-	12 v
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买				A3G35				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
PTFB192503FL-V2-R0	-	RFQ	3057	Wolfspeed，Inc。	-	条	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		1.99GHz	ldmos	H-34288-4/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-	1.9 a	50W	19db	-	30 V
CGH35060F1	-	RFQ	1471	Wolfspeed，Inc。	-	大部分	过时的	120 v	底盘安装	440193	CGH35060	3.3GHz〜3.6GHz		440193	-				1697-CGH35060F1	过时的		1	-	6a	250 MA	60W	11.5db	-	28 V
CGHV14500P	666.9400	RFQ	45	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	125 v	表面安装	440133	CGHV14500	1.2GHz〜1.4GHz	hemt	440133	下载		（1 （无限）		1697-CGHV14500P	Ear99	8541.29.0075	50		-	500 MA	500W	16.2db	-	50 V
ATF-331M4-TR1	-	RFQ	8822	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5.5 v		0505（1412公制）		2GHz	Phemt fet	Minipak 1412	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		305mA	60 ma	19dbm	15DB	0.6dB	4 V
PD57006S-E	-	RFQ	5460	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v		Powerso-10裸露的底部垫	PD57006	945MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		1a	70 MA	6W	15DB	-	28 V
MMRF1004NR1	31.9300	RFQ	449	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AA	MMRF1004	2.17GHz	ldmos	TO-270-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	130 MA	10W	15.5db	-	28 V
ARF466AG	65.5000	RFQ	2871	微芯片技术	-	管子	积极的	1000 v		TO-264-3，TO-264AA	ARF466	40.68MHz	MOSFET	TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	13a		300W	16dB	-	150 v
MRF6S9125NR1	-	RFQ	3126	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	880MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	950 MA	27W	20.2dB	-	28 V
VRF151	70.1300	RFQ	23	微芯片技术	-	管子	积极的	170 v		M174	VRF151	175MHz	MOSFET	M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	1ma	250 MA	150W	14dB	-	50 V
NE55410GR-T3-AZ	4.8200	RFQ	31	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	65 v		16-DFF，裸露的垫子		2.14GHz	ldmos	16-HTSSOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		250mA，1a	20 ma	35.4dBm	13.5dB	-	28 V
AFT26H160-4S4R3	-	RFQ	2716	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-880X-4L4S-8	AFT26	2.5GHz	ldmos	NI-880X-4L4S-8	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317925128	Ear99	8541.29.0075	250		-	500 MA	32W	14.9db	-	28 V
BLM10D1822-61ABGYZ	31.8907	RFQ	2750	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	OMP-400-8G-1	BLM10	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	OMP-400-8G-1	-	rohs3符合条件			1603-BLM10D1822-61ABGYZTR			300	-	1.4µA	108 MA	-	28.5db	-	28 V
MRF8P23080HR5	-	RFQ	5340	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.3GHz	ldmos	NI-780-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	280 MA	16W	14.6dB	-	28 V
MRF7S27130HSR3	-	RFQ	3649	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.7GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935316811128	Ear99	8541.29.0075	250		-	1.5 a	23W	16.5db	-	28 V
WP2806015UH	83.0100	RFQ	12	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	160 v	通过洞	360bh		6GHz	甘姆特	360bh	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP2806015UH	Ear99	8541.29.0075	2		-	150 ma	8W	11.6dB	-	28 V
BB504MDS-TL-E	0.2000	RFQ	852	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLM8G0710S-45aby	-	RFQ	4246	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-1211-2	BLM8	957.5MHz	ldmos	16-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	100	双重的	-	30 ma	3W	35DB	-	28 V
2SK3737-5-TL-E	-	RFQ	3227	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v	表面安装	SC-70，SOT-323	2SK3737	-	MOSFET	3-MCP	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000	n通道	12mA		-	35DB	2DB	10 v
PTFA091201GL V1 R250	-	RFQ	8028	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA091201	960MHz	ldmos	PG-63248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	750 MA	110W	18.5db	-	28 V
3LN02M-TL-E	0.1000	RFQ	102	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
VEC2401-TL-E	0.1500	RFQ	480	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²