SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2N6193QFN/TR Microchip Technology 2N6193QFN/TR 23.6100
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜200°C 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 150-2N6193QFN/TR Ear99 8541.29.0095 100 100 v 5 a 100µA PNP 1.2V @ 500mA,5a 60 @ 2a,2v -
FJX2222ATF onsemi FJX222222ATF -
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 FJX222 325兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 600 MA 100NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 300MHz
2N1490 Microchip Technology 2N1490 58.8900
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 75 w TO-204AD(TO-3) - 到达不受影响 150-2N1490 Ear99 8541.29.0095 1 55 v 6 a 25µA(ICBO) NPN 3V @ 300mA,1.5a 25 @ 1.5A,4V -
CPH5520-TL-E onsemi CPH5520-TL-E 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-5薄,TSOT-23-5 CPH5520 1.2W 5-CPH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 80V,50V 2a 1µA(ICBO) NPN,PNP (发射器耦合) 260mv @ 50mA,1a 200 @ 100mA,2V 420MHz
JAN2N5152U3 Microchip Technology JAN2N5152U3 344.9887
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 1 w U3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1ma NPN 1.5V @ 500mA,5a 30 @ 2.5A,5V -
BC638G onsemi BC638G -
RFQ
ECAD 6410 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BC638 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 60 V 500 MA 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 40 @ 150mA,2V 150MHz
MJF2955G onsemi MJF2955G 1.9500
RFQ
ECAD 371 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MJF2955 2 w TO-220FP 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 90 v 10 a 1µA PNP 2.5V @ 3.3a,10a 20 @ 4A,4V 2MHz
2N3498L Microchip Technology 2N3498L 14.1246
RFQ
ECAD 6602 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N3498 1 w TO-5AA 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 100 v 500 MA 10µA(ICBO) NPN 600mv @ 30mA,300mA 40 @ 150mA,10v -
BC848BPDW1T1 onsemi BC848BPDW1T1 0.0200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
KSC2669YTA Fairchild Semiconductor KSC2669YTA 0.0200
RFQ
ECAD 9489 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 200兆 TO-92S 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 2,752 30 V 30 ma 100NA(ICBO) NPN 400mv @ 1mA,10mA 120 @ 2mA,12v 250MHz
MMBT3906FN3_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3906FN3_R1_001 0.2700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-UFDFN MMBT3906 250兆 3-DFN(0.6x1) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 40 V 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 250MHz
2N4938 Central Semiconductor Corp 2N4938 -
RFQ
ECAD 8519 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 - 通过洞 TO-78-6金属罐 2N493 - TO-78-6 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - -
PBSS5620PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS5620PA,115 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-Powerudfn PBSS5620 2.1 w 3-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 20 v 6 a 100NA PNP 350mv @ 300mA,6a 190 @ 2a,2v 80MHz
DTC123EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123EE3HZGTL 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 DTC123 150兆 EMT3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 846-DTC123EE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 20 @ 20mA,5V 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
TPT5609-C-AP Micro Commercial Co TPT5609-C-AP -
RFQ
ECAD 3126 0.00000000 微商业公司 - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) TPT5609 750兆w 到92 - rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.21.0075 1 20 v 1 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 80mA,800mA 120 @ 500mA,2V 190MHz
MPS6601RLRA onsemi mps6601rlra -
RFQ
ECAD 1829年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) MPS660 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 1 a 100NA NPN 600mv @ 100mA,1a 50 @ 500mA,1V 100MHz
BC847BV,315 NXP USA Inc. BC847BV,315 1.0000
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
DTA144EET1G onsemi DTA14444EET1G 0.1600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 DTA144 200兆 SC-75,SOT-416 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v 47科姆斯 47科姆斯
NTE128P NTE Electronics, Inc NTE128P 3.1900
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-237AA 850兆 TO-237 下载 Rohs不合规 2368-NTE128P Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN - 100 @ 350mA,2V 50MHz
BCR119WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR119WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9956 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BCR119 250兆 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150 MHz 4.7科姆斯
BC856A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC856A-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101,BC856-AU 胶带和卷轴((tr) 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC856 330兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-BC856A-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.21.0095 3,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 200MHz
BC856BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC856BS_R1_00001 0.3200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BC856 150MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-BC856BS_R1_00001DKR Ear99 8541.21.0075 3,000 65V 100mA 15NA(icbo) 2 PNP (双) 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
PDTC124XS,126 NXP USA Inc. PDTC124XS,126 -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC124 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
ADC114YUQ-13 Diodes Incorporated ADC114YUQ-13 0.3200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 ADC114 270MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA - 2 NPN- 预偏(双重) - - 250MHz 10KOHMS,47KOHMS 10KOHMS,47KOHMS
JANTX2N5679 Microchip Technology JANTX2N5679 25.8020
RFQ
ECAD 1240 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/582 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 10 µA 10µA PNP 1V @ 50mA,500mA 40 @ 250mA,2V -
BC858W-QX Nexperia USA Inc. BC858W-QX 0.0322
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1727-BC858W-QXTR Ear99 8541.21.0095 3,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 600mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
NSVBC143JPDXV6T5G onsemi NSVBC143JPDXV6T5G -
RFQ
ECAD 9656 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 NSVBC143 357MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NSVBC143JPDXV6T5GTR Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v - 2.2KOHM,47KOHM 47kohms
2SC4617G onsemi 2SC4617G -
RFQ
ECAD 7236 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2SC4617 125 MW SC-75,SOT-416 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA(ICBO) NPN 400mv @ 5mA,60mA 120 @ 1mA,6v 180MHz
BCR 179F E6327 Infineon Technologies BCR 179F E6327 -
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-723 BCR 179 250兆 PG-TSFP-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150 MHz 10 kohms
JANTX2N3741U4 Microchip Technology JANTX2N3741U4 -
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/441 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 25 w U4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25mA,1a 30 @ 250mA,1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库