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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	获得	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
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BFR193FH6327	0.0800	RFQ	99	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723		580MW	PG-TSFP-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000	19db	12V	80mA		NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
2SC4883A	-	RFQ	7097	东芝半导体和存储	*	管子	积极的				2SC4883			-	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4883ATS		0000.00.0000	50
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MPQ6600A1	1.2200	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
CP245-CEN1309A-CM	-	RFQ	7240	中央半导体公司	-	托盘	过时的							-		（1 （无限）		1514-CP245-CEN1309A-CM	过时的		1
MJD2873Q-13	0.4500	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD2873	1.45 w	TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	2,500		50 V	2 a	100NA	NPN	300mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	65MHz
KSD1616AGTA	0.1000	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		750兆w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,950		60 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	160MHz
2SA1083-E-AP	-	RFQ	1534年	微商业公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2SA1083	400兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1,000		60 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 1mA，10mA	400 @ 2mA，12v	90MHz
BD233-bp	-	RFQ	1828年	微商业公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD233	1.25 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		45 v	2 a	100µA（ICBO）	NPN	600mv @ 100mA，1a	40 @ 150mA，2V	3MHz
JANSM2N3700	32.9802	RFQ	2006	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSM2N3700			1		80 V	1 a	10NA	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3868	23.8469	RFQ	5588	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3868	1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		60 V	3 ma	100µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JANKCCP2N3499	-	RFQ	4694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCP2N3499			100		100 v	500 MA	10µA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
2N4896	16.3650	RFQ	7620	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以		7 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N4896	Ear99	8541.29.0095	1		60 V	5 a	-	PNP	-	-	-
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2N5793U/tr	71.0700	RFQ	1560年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5793	600MW	你	-			到达不受影响	150-2N5793U/TR	Ear99	8541.21.0095	100		40V	600mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
JAN2N3867P	32.4919	RFQ	2924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以		1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JAN2N3867P	Ear99	8541.29.0095	1		40 V	3 a	1µA	PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
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MNS2N2222AUBP	12.3700	RFQ	2244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-MNS2N222222AUBP	Ear99	8541.21.0095	1		50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3724L	-	RFQ	9720	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1		30 V	500 MA	-	NPN	-	-	-
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2N3773	179.3250	RFQ	5351	微芯片技术	*	大部分	积极的							-			到达不受影响	150-2N3773			1
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2SC4793，YHF（j	-	RFQ	4612	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793	2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1		230 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
KSP8599CTA	0.0200	RFQ	9617	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	8,000		80 V	500 MA	100NA	PNP	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
PBSS4021PT，215	0.4700	RFQ	161	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS4021	1.1 w	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000		20 v	3.5 a	100NA	PNP	330mv @ 400mA，4a	140 @ 2a，2v	155MHz
DTC114ECA	0.1500	RFQ	3080	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114	200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99		3,000		50 V	100 ma	100NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SA1362-gr，LF	0.4000	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1362	200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000		15 v	800 MA	100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 8mA，400mA	200 @ 100mA，1V	120MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²