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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SAR567F3TR	1.2100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子		1 w	HUML2020L3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-2SAR567F3TRCT	Ear99	8541.29.0095	3,000	120 v	2.5 a	1µA（ICBO）	PNP	200mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，5V	220MHz
2C5667	22.3050	RFQ	6816	微芯片技术	*	大部分	积极的							-			到达不受影响	150-2C5667			1
BD534	-	RFQ	4126	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD534	50 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	45 v	8 a	100µA	PNP	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
2N3629	509.6550	RFQ	6682	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱		30 W	TO-61	-			到达不受影响	150-2N3629	Ear99	8541.29.0095	1	40 V	5 a	-	PNP	-	-	-
2N5667	30.4304	RFQ	8512	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5667	1.2 w	TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	300 v	5 a	200NA	NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
BC327-16ZL1	-	RFQ	7431	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC327	625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	45 v	800 MA	100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	260MHz
Jan2n2906a	3.5910	RFQ	9980	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906	500兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
2N5683	105.4158	RFQ	3043	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5683	300 w	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	60 V	50 a	5µA	NPN	5V @ 10a，50a	30 @ 5A，2V	-
PDTC123JQA147	0.0300	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PDTC123			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
BC848B RFG	0.0343	RFQ	4883	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848	200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
tip41bg	0.8700	RFQ	886	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41	2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	80 V	6 a	700µA	NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
PN222222ATA	0.4200	RFQ	1843年	Onmi	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN2222	625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	40 V	1 a	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MJB44H11T4-A	1.3200	RFQ	8796	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MJB44	50 W	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	80 V	10 a	10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
SS9011FBU	-	RFQ	6413	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	9,134	30 V	30 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	54 @ 1mA，5V	2MHz
2SC3646S-P-TD-E	-	RFQ	1038	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-243AA	2SC3646	500兆	pcp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000	100 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 40mA，400mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
JANTXV2N5151L	15.8403	RFQ	7694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5151	1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	80 V	2 a	50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
EMX2DXV6T1G	-	RFQ	8867	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX2DXV6	357MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-EMX2DXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1	50V	100mA	500NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
BC858BLT3	0.0200	RFQ	450	Onmi	-	大部分	过时的				BC858			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
NSV40300MZ4T1G	0.1900	RFQ	7	Sanyo	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		2 w	SOT-223（TO-261）	下载					Ear99	8541.21.0075	1,757	40 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 300mA，3a	175 @ 1A，1V	160MHz
2N4400TFR	0.0200	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000	40 V	600 MA	-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
KSC5402DTTU-FS	1.0000	RFQ	4033	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		50 W	TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	450 v	2 a	100µA	NPN	750mv @ 200mA，1a	6 @ 1a，1V	11MHz
DDTC114EE-7-F	0.3500	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-523	DDTC114	150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
FMB2227A	0.5400	RFQ	91	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMB2227	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	30V	500mA	30na（icbo）	NPN，PNP	1.4V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，10v	250MHz
JANTXV2N3771	291.2000	RFQ	1906年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/518	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		6 W	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	40 V	5 ma	5mA	NPN	4V @ 6a，30a	15 @ 15a，4V	-
ULQ2804A	3.0300	RFQ	4	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜105°C	通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	ULQ2804	2.25W	18浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
2SA1338-5-TB-E	0.3400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BC638,126	-	RFQ	8083	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC63	830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	60 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	100MHz
BC869,135	0.1506	RFQ	5817	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BC869	1.2 w	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000	20 v	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	140MHz
PBSS4041PT，215	0.4700	RFQ	910	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS4041	1.1 w	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000	60 V	2.7 a	100NA	PNP	360mv @ 300mA，3a	150 @ 1A，2V	150MHz
JANTXV2N2218AL	9.6159	RFQ	3307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2218	800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	50 V	800 MA	10NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²