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电动驱动器模块（（1368）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NFA50460R47 | 7.4000 |  | 7413 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 1500vrms | ||||
 | NFAQ0560R43T | 11.4800 | | 1441 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 38-PowerDip 模块（ 0.610英寸，24.00mm），24个线索 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-NFAQ0560R43T | Ear99 | 8542.39.0001 | 400 | 3相逆变器 | 600 v | 2000vrms | |||
 | AOZ5116QI-01 | 2.1900 | | 3 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5116 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 55 a | 25 v | - | ||
 | NFAP0560L3TT | 13.3000 | | 6291 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 不适合新设计 | 通过洞 | 29-Powerssip模块，21个线索，形成铅 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NFAP0560L3TT | Ear99 | 8542.39.0001 | 120 | 3相逆变器 | 5 a | 600 v | 2000vrms | ||
 | NXH006P120MNF2PTG | 327.2100 | | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH006P120MNF2PTG | Ear99 | 8542.39.0001 | 20 | 半桥逆变器 | 304 a | 1.2 kV | 3000vrm | ||
| IRAM535-1065AS | - | | 8678 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-IRAM535-1065AS-600047 | 1 | ||||||||||||
 | FBS-GAM01-P-C100 | 554.4000 | | 5232 | 0.00000000 | EPC Space，LLC | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 9-SMD模块 | MOSFET | - | 3（168）） | 4107-FBS-GAM01-P-C100 | 0000.00.0000 | 24 | 3期 | 12 a | 100 v | - | |||||
| DR11140117NDSA1 | - | | 4412 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 448-DR11140117NDSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
| DR24036041NDSA1 | - | | 8189 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 448-DR24036041NDSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
| 附件34760NOSA1 | - | | 8610 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 附件3 | - | 到达不受影响 | 448-Accessory34760NOSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
| DR11242514NDSA1 | - | | 2046 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 448-DR11242514NDSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
| 附件34008NOSA1 | - | | 8312 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 附件3 | - | 到达不受影响 | 448-Accessory34008NOSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
| DR11140152NDSA1 | - | | 2779 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 448-DR11140152NDSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
| TR10140962NOSA1 | - | | 1917年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 448-TR10140962NOSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
| 附件33235NOSA1 | - | | 7957 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 附件3 | - | 到达不受影响 | 448-Accessory33235NOSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
 | FDMF5068 | 4.1400 | | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3期 | 70 a | 25 v | - | |||
| FDMF5085 | 4.3500 | | 8151 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-FDMF5085TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3期 | 108 a | 25 v | - | ||
| AOZ5279QI-01 | 3.2500 | | 2 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | MOSFET | AOZ5279 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3期 | 60 a | 30 V | - | ||
| AOZ9511QV | 1.6400 | | 6550 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 23-powertfqfn | MOSFET | AOZ9511 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3期 | 20 a | 28 V | - | ||
| AOZ52371QI | 3.3900 | | 5 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | AOZ52371 | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||
| STK541UC62A-E | - | | 2546 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 23-sip，19个领先优势，形成铅 | IGBT | 下载 | 488-STK541UC62A-E | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 2000vrms | |||||
 | IM241S6S1BALMA1 | 7.1934 | | 2296 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
| IM241S6S1JALMA1 | 7.4179 | | 3186 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
| IM241L6S1BALMA1 | 8.9438 | | 5784 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
| IM241S6S1BAUMA1 | 10.0700 | | 500 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 448-IM241S6S1BAUMA1DKR | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相逆变器 | 2 a | 600 v | 2000vrms | ||
 | IM241M6S1BAUMA1 | 11.1400 | | 493 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 23-powersmd模块，鸥翼 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
| AOZ5311NQI-03 | 2.2100 | | 3 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5311 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | H桥 | 55 a | - | |||
| IM323S6GXKMA1 | 9.9800 | | 8855 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.043英寸，26.50mm） | IGBT | IM323S6 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 6 a | 600 v | 2000vrms | ||
| IM323M6GXKMA1 | 11.1600 | | 5276 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.043英寸，26.50mm） | IGBT | IM323M6 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 2000vrms | ||
| stgib8ch60ts-lz | 11.5763 | | 6000 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm -第二 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm） | IGBT | STGIB8 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 497-STGIB8CH60TS-LZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 156 | 3相逆变器 | 12 a | 600 v | 1600vrms |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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