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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IM241S6S1BAUMA1 | 10.0700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 448-IM241S6S1BAUMA1DKR | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相逆变器 | 2 a | 600 v | 2000vrms | ||
![]() | IM241M6S1BAUMA1 | 11.1400 | ![]() | 493 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 23-powersmd模块,鸥翼 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | IM241S6S1BALMA1 | 7.1934 | ![]() | 2296 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | IM241S6S1JALMA1 | 7.4179 | ![]() | 3186 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | IM241L6S1BALMA1 | 8.9438 | ![]() | 5784 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | NFAL1012L5BT | - | ![]() | 5491 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | NFAL1012 | - | 488-NFAL1012L5BT | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
![]() | FNB33060T6S | - | ![]() | 6936 | 0.00000000 | Onmi | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FNB33060 | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 30 a | 600 v | 2500vrms | |||||
![]() | IM323S6GXKMA1 | 9.9800 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.043英寸,26.50mm) | IGBT | IM323S6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 6 a | 600 v | 2000vrms | ||
![]() | IM323M6GXKMA1 | 11.1600 | ![]() | 5276 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.043英寸,26.50mm) | IGBT | IM323M6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 2000vrms | ||
![]() | NVG800A75L4DSB | - | ![]() | 1587年 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 上次购买 | NVG800 | - | 488-NVG800A75L4DSB | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||
![]() | MSCSM70XM19CTYZBNMG | - | ![]() | 6248 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MOSFET | - | 150-MSCSM70XM19CTYZBNMG | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 110 a | 650 v | 4000vrm | |||||
![]() | LMG3526R030RQST | 31.6900 | ![]() | 8357 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装,可润湿的侧面 | 52-VQFN暴露垫 | MOSFET | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 半桥逆变器 | 55 a | 650 v | - | |||
![]() | AOZ5038QI_2 | - | ![]() | 1294 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5038 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||||
![]() | FSB50550BB | 8.8300 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 21-PowerDip 模块(0.644英寸,16.35毫米) | MOSFET | FSB50550 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-FSB50550BB | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3相逆变器 | 3 a | 500 v | 1500vrms | |
![]() | NXV04V120DB1 | 28.5400 | ![]() | 5967 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 19-powerdip 模块(1.480(37.60mm) | MOSFET | NXV04 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXV04V120DB1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 44 | 3相逆变器 | 160 a | 2500vrms | ||
![]() | NFAM2065L4BT | 31.7139 | ![]() | 4374 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 39-PowerDip 模块(1.413英寸,35.90mm),30条线索 | IGBT | NFAM2065 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 3期 | 20 a | 650 v | 2500vrms | ||
![]() | STK531U394C-E | - | ![]() | 7623 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 29-SSIP模块,21条线索,形成铅 | IGBT | STK531 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 110 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | FND42060F2 | 20.4900 | ![]() | 9024 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®45 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) | IGBT | FND42060 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | 3期 | 20 a | 600 v | 4000vrm | ||
![]() | NFVA34065L32 | 42.8800 | ![]() | 9628 | 0.00000000 | Onmi | SPM®27 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | NFVA34065 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2832-NFVA34065L32 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 3相逆变器 | 40 a | 650 v | 2500vrms | |
![]() | IXIDM1401_1515_M | - | ![]() | 1362 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 模块 | IGBT | IXIDM140 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IXIDM1401 1515 m | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 半桥 | 10 a | 15 v | 4000VDC | |
![]() | XR78021EL-F | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | Maxlinear,Inc。 | - | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 27-PowerVQFN | MOSFET | 下载 | 2(1年) | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | H桥 | 20 a | - | ||||||
![]() | FSBM15SH60 | 20.0000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | |||||
FCAS20DN60BB | 11.7500 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 20-powersip模块,形成的铅 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 11 | 2期 | 20 a | 600 v | 1500vrms | ||||||
![]() | FPAB30PH60 | 14.6200 | ![]() | 275 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 2期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | |||||
FSB50550U | 6.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.551英寸,14.00mm) | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3期 | 2 a | 500 v | 1500vrms | ||||||
![]() | FSB50450T | 4.3800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.748“,19.00mm) | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms | |||||
![]() | IRAMS12UP60A-2 | - | ![]() | 4473 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-Powersip模块,19条线索,形成铅 | IGBT | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3期 | 12 a | 600 v | 2000vrms | |||||
![]() | FVP12030IM3LEG1 | 18.3200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 托盘 | 过时的 | 通过洞 | 19-powerdip 模块(1.205英寸,30.60毫米) | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 半桥 | 120 a | 300 v | 1500vrms | |||||
FSBF15CH60CT | 21.6800 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | ||||||||
FSB50325 | 4.1900 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.551英寸,14.00mm) | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3期 | 1.5 a | 250 v | 1500vrms |
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