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（1392）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FSBM30SH60A | - |  | 7496 | 0.00000000 | Onmi | SPM® | 过时的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | FSBM30 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | ||||
 | FSB50250UD | - | | 6030 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm） | MOSFET | FSB502 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 270 | 3期 | 1.1 a | 500 v | 1500vrms | |||
 | PSS15SA2FT | - | | 9313 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 托盘 | 在sic中停产 | 通过洞 | 42-PowerDip 模块（1.404“，35.67毫米） | IGBT | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3期 | 15 a | 1.2 kV | 2500vrms | ||||
 | IM241S6S1JALMA1 | 7.4179 | | 3186 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 23-PowersMD模块 | IGBT | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | 3相逆变器 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
| SKKD100/12 | 43.3330 | | 6600 | 0.00000000 | 固态公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-SKKD100/12 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||||
| IRAM256-1567A2 | - | | 1717年 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块，21个线索，形成铅 | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2000vrms | ||||||
 | BM63564S-VA | 25.1200 | | 39 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm） | IGBT | BM63564 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | ||
| IRAM236-1067A | - | | 3565 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块，21个线索，形成铅 | - | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | - | - | ||||||
| IRAM136-3023B | - | | 7345 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 22-powersip模块，18岁，形成铅 | MOSFET | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 30 a | 150 v | 2000vrms | |||
 | IKCM20L60HAXKMA1 | - | | 7104 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm） | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 280 | 3期 | 20 a | 600 v | 2000vrms | ||||
 | stipn2m50t-h | 8.5700 | | 458 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（0.846英寸，21.48毫米） | MOSFET | stipn2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 17 | 3相逆变器 | 2 a | 500 v | 1000vrms | ||
 | stipns1m50sdt-h | 8.8500 | | 100 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | 表面安装 | 26-Powersmd模块，鸥翼 | MOSFET | stipns1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 400 | 3相逆变器 | 1 a | 500 v | 1000vrms | ||
| IXIDM1403_1505_M | - | | 7043 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 模块 | IGBT | IXIDM1403 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -ixidm1403_1505_m | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 半桥 | 30 a | 15 v | 4000vrm | |
 | FSBF10CH60B | - | | 3491 | 0.00000000 | Onmi | motionspm®3 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | FSBF1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 3期 | 10 a | 600 v | 2500vrms | |||
| FSBM10SH60 | - | | 3402 | 0.00000000 | Onmi | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | FSBM10 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3期 | 10 a | 600 v | 2500vrms | |||
| FSB67508 | - | | 4323 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 10-powersip模块，形成的导线 | - | FSB675 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 19 | - | - | |||||
 | FSB50325AS | - | | 6434 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 管子 | 过时的 | 表面安装 | 23-powersmd模块，鸥翼，21个线索 | MOSFET | FSB50325 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3期 | 1.7 a | 250 v | 1500vrms | ||
| FNB33060T6S | - | | 6936 | 0.00000000 | Onmi | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | FNB33060 | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 30 a | 600 v | 2500vrms | |||||
 | FAM65CR51ADZ2 | 38.7000 | | 3263 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 12-SSIP裸露的垫，形成的导线 | MOSFET | FAM65 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-FAM65CR51ADZ2 | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | 半桥 | 41 a | 650 v | 5000vrm | |
| PM200CVA060 | - | | 9460 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | - | （1 （无限） | Ear99 | 8504.40.9580 | 1 | 3期 | 200 a | 600 v | 2500vrms | |||||
| TR10228002NOSA1 | - | | 4794 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||
| STGIB30M60TS-E | 19.4955 | | 6379 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.327英寸，33.70mm） | IGBT | STGIB30 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 156 | 3相逆变器 | 35 a | 600 v | 1500vrms | |||
 | IM828XCCXKMA1 | 167.7600 | | 3456 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块（1.094英寸，27.80mm） | IGBT | IM828 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 14 | 3相逆变器 | 35 a | 1.2 kV | 2500vrms | ||
 | IRAMX16UP60A-2 | - | | 3085 | 0.00000000 | Infineon技术 | Imotion™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-Powersip模块，19条线索，形成铅 | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3期 | 16 a | 600 v | 2000vrms | ||||
| PM150RLA060 | - | | 3704 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8504.40.9580 | 10 | 3期 | 150 a | 600 v | 2500VDC | ||||
| PM25CL1B120 | - | | 6708 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 3期 | 25 a | 1.2 kV | 2500vrms | ||||
| stgif10ch60s-lz | 10.9276 | | 9331 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm -第二 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip模块 | IGBT | STGIF10 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 497-STGIF10CH60S-LZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 156 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1600vrms | ||
| 附件33235NOSA1 | - | | 7957 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 附件3 | - | 到达不受影响 | 448-Accessory33235NOSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
 | Aptlgf300A1208G | - | | 6098 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 6-Powersip模块 | IGBT | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8543.70.9860 | 1 | 半桥 | 400 a | 1.2 kV | 2500vrms | |||||
| FNA51560TD3 | 10.3400 | | 11 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®55 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm） | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms |
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