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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSB50450UD | 6.0600 | ![]() | 489 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.551英寸,14.00mm) | MOSFET | FSB50450 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms | |||
![]() | FSBF5CH60B | 13.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSBF5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 5 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | FSB50325T | 7.2900 | ![]() | 189 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-powersmd模块,鸥翼 | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 1.5 a | 250 v | 1500vrms | |||
![]() | IRAMX30TP60A-INF | - | ![]() | 7137 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 23-Powersip模块,19条线索,形成铅 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 30 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | FSAM15SH60A | 54.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®2 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) | IGBT | FSAM15 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | IRAM256-1067A2 | - | ![]() | 9536 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | IGBT | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 10 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | IRAM136-1060BS | 1.0000 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 29-SSIP模块,21条线索,形成铅 | IGBT | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 3.6 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | FSBS3CH60 | 11.9400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSBS3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 3 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | FSBS5CH60 | 21.5100 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSBS5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 16 | 3期 | 5 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | IRAM256-1067A | 1.0000 | ![]() | 2662 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | IGBT | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 10 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | FSBF10CH60BT | - | ![]() | 1761年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 17 | |||||||||||
![]() | CA3292am | 1.9300 | ![]() | 271 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IGBT | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 1.6 a | 36 V | - | |||
![]() | FNF51060TD1 | 8.0900 | ![]() | 766 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®55 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 20-PowerDip 模块(1.220英寸,31.00mm) | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms | |||
![]() | AOZ5166QIS | - | ![]() | 1690年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 40 powerwfqfn模块 | MOSFET | AOZ5166 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOZ5166QISTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 60 a | - | ||
![]() | AOZ5312UQI_1 | - | ![]() | 5473 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5312 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOZ5312UQI_1TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 60 a | - | ||
![]() | FSB70250 | - | ![]() | 3632 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®7 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-Powerlqfn模块 | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 3.3 a | 500 v | 1500vrms | ||||||
![]() | IRAM256-1567A | 1.0000 | ![]() | 7074 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2000vrms | ||||||
![]() | FNA21012A | - | ![]() | 5287 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®2 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 34-PowerDip 模块(1.480英寸,37.60mm) | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 10 a | 1.2 kV | 2500vrms | |||
![]() | FNA40860 | 9.1100 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®45 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 8 a | 600 v | 2000vrms | ||||||
![]() | FNE41060 | 9.6300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Motion-SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) | - | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | ||||||||
![]() | FNA51560TD3 | 10.3400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®55 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 20-PowerDip 模块(1.220英寸,31.00mm) | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | ||||||
![]() | FSB50825AB | 4.7900 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Motion-SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块(0.644英寸,16.35毫米) | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 68 | 3期 | 3.6 a | 250 v | 1500vrms | ||||||
![]() | FSB50250AB | 5.2300 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块(0.644英寸,16.35毫米) | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 1.2 a | 500 v | 1500vrms | ||||||
![]() | FSB50550A | 5.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-powerdip 模块(0.573英寸,14.56毫米) | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 54 | 3期 | 2 a | 500 v | 1500vrms | ||||||
![]() | IRSM005-301MH | - | ![]() | 3443 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-PowerVQFN | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 半桥 | 30 a | 100 v | - | ||||||
![]() | IRAM256-1567A2 | - | ![]() | 1717年 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2000vrms | ||||||
![]() | FSB50450AT | 4.9700 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.748“,19.00mm) | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms | ||||||
![]() | IRAM236-1067A | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | - | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | - | - | ||||||
![]() | FSB70550 | 6.6400 | ![]() | 897 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®7 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-Powerlqfn模块 | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 49 | 3期 | 5.3 a | 500 v | 1500vrms | ||||||
![]() | IM828XCCXKMA1 | 167.7600 | ![]() | 3456 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块(1.094英寸,27.80mm) | IGBT | IM828 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 14 | 3相逆变器 | 35 a | 1.2 kV | 2500vrms |
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