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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 当前的 电压 电压 -隔离
STGIPN3H60AT STMicroelectronics stgipn3H60AT 8.2400
RFQ
ECAD 236 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 积极的 通过洞 26-PowerDip 模块(0.846英寸,21.48毫米) IGBT stgipn3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 17 3相逆变器 3 a 600 v 1000vrms
STGIB15CH60TS-E STMicroelectronics STGIB15CH60TS-E 20.6300
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 积极的 通过洞 26-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) IGBT STGIB15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16112-5 Ear99 8541.29.0095 13 3相逆变器 20 a 600 v 1500vrms
BM63764S-VA Rohm Semiconductor BM63764S-VA 23.7700
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) IGBT BM63764 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 3相逆变器 15 a 600 v 1500vrms
BM63764S-VC Rohm Semiconductor BM63764S-VC 25.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) IGBT BM63764 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 3相逆变器 15 a 600 v 1500vrms
FNB51060TD1 onsemi FNB51060TD1 -
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®55 管子 过时的 通过洞 20-PowerDip 模块(1.220英寸,31.00mm) IGBT FNB51 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 78 3相逆变器 10 a 600 v 1500vrms
IKCM10B60GAXKMA1 Infineon Technologies IKCM10B60GAXKMA1 -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 过时的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001247196 Ear99 8542.39.0001 280 3期 10 a 600 v 2000vrms
FTCO3V85A1 onsemi FTCO3V85A1 37.9500
RFQ
ECAD 7463 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 - MOSFET FTCO3V85 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 44 3相逆变器 120 a 80 V -
IRAM538-1565A Infineon Technologies IRAM538-1565A -
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 通过洞 - (1 (无限) 到达不受影响 SP001533490 过时的 0000.00.0000 130
IRAM136-1060B onsemi IRAM136-1060B -
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 IRAM136 - (1 (无限) 到达不受影响 IRAM136-1060BOS 过时的 0000.00.0000 1
AOZ5047QIS-01 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOZ5047QIS-01 0.9480
RFQ
ECAD 6281 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 24-POWERTFQFN AOZ5047 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000
IRAM136-0760A Infineon Technologies IRAM136-0760A -
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 通过洞 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 IGBT 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001547532 Ear99 8542.39.0001 110 3期 5 a 600 v 2000vrms
FNA41560 onsemi FNA41560 19.4800
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®45 管子 不适合新设计 通过洞 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) IGBT FNA41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 72 3期 15 a 600 v 2000vrms
STIB1060DM2T-L STMicroelectronics stib1060dm2t-l -
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 过时的 通过洞 26-PowerDip 模块(1.146英寸,29.10mm) MOSFET Stib1060 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 156 3相逆变器 12.5 a 600 v 1500vrms
AOZ5239QI_9 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOZ5239QI_9 -
RFQ
ECAD 1819年 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 31-PowerVFQFN模块 MOSFET AOZ5239 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 785-AOZ5239QI_9TR Ear99 8542.39.0001 3,000 1期 50 a -
PM75RVA060 Powerex Inc. PM75RVA060 -
RFQ
ECAD 7132 0.00000000 Powerex Inc. IntelliMod™ 大部分 过时的 底盘安装 电源模块 IGBT - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 3期 75 a 600 v 2500vrms
PM75CLA060 Powerex Inc. PM75CLA060 -
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 Powerex Inc. IntelliMod™ 大部分 过时的 底盘安装 电源模块 IGBT 下载 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 10 3期 75 a 600 v 2500VDC
NXV65HR51DZ2 onsemi NXV65HR51DZ2 -
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 通过洞 16-SSIP裸露的垫,形成铅 MOSFET 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXV65HR51DZ2 Ear99 8542.39.0001 1 半桥 33 a 650 v -
NXV08H400XT1 onsemi NXV08H400XT1 -
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 通过洞 17-PowerDip 模块(1.390英寸,35.30毫米) MOSFET 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXV08H400XT1 Ear99 8542.39.0001 1 2相逆变器 80 V -
IM241S6T2JAKMA1 Infineon Technologies IM241S6T2JAKMA1 10.0700
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 通过洞 23 浸模块(0.573“,14.55毫米) IGBT 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 15 3相逆变器 2 a 600 v 2000vrms
IM241M6S1JALMA1 Infineon Technologies IM241M6S1JALMA1 7.9559
RFQ
ECAD 7197 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 表面安装 23-PowersMD模块 IGBT - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 240 3相逆变器 4 a 600 v 2000vrms
IM241M6S1BALMA1 Infineon Technologies IM241M6S1BALMA1 7.9559
RFQ
ECAD 3295 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 表面安装 23-PowersMD模块 IGBT - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 240 3相逆变器 4 a 600 v 2000vrms
MSCSM120XM31CTYZBNMG Microchip Technology MSCSM120XM31CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MOSFET - 150-MSCSM120XM31CTYZBNMG Ear99 8542.39.0001 1 3期 80 a 1.2 kV 4000vrm
BM64375S-VA Rohm Semiconductor BM64375S-VA 24.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) IGBT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-BM64375S-VA Ear99 8542.39.0001 60 3相逆变器 20 a 600 v 1500vrms
2SP0320T2A0FF600R12NPSA1 Infineon Technologies 2SP0320T2A0FF600R12NPSA1 -
RFQ
ECAD 5319 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
ACCESSORY36522NOSA1 Infineon Technologies 附件36522NOSA1 -
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 附件3 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
ACCESSORY27328NOSA1 Infineon Technologies 附件27328NOSA1 -
RFQ
ECAD 6605 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 附件2 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
2SD316EI12NPSA1 Infineon Technologies 2SD316EI12NPSA1 -
RFQ
ECAD 9309 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 2SD316 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
2SP0320T2A0FF1400RNPSA1 Infineon Technologies 2SP0320T2A0FF1400RNPSA1 -
RFQ
ECAD 2432 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
2SC0108T2H017HPSA1 Infineon Technologies 2SC0108T2H017HPSA1 -
RFQ
ECAD 6025 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
1SP0335V2M165NPSA1 Infineon Technologies 1SP0335V2M165NPSA1 -
RFQ
ECAD 8991 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库