SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
UZ7756L Microsemi Corporation UZ7756L 75.4800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 轴向 UZ7756 6 W - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 42.6 V 56 v 30欧姆
CDLL943B Microchip Technology CDLL943B 21.4600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 do-213aa CDLL943 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1086-15190米 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JAN1N1188 Microchip Technology 1月1N1188 58.1850
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/297 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1188 标准 do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 35a -
JAN1N4125-1 Microchip Technology 1月1N4125-1 4.1400
RFQ
ECAD 45 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4125 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250欧姆
JAN1N4150UR-1 Microchip Technology Jan1n4150ur-1 1.5300
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/231 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N4150 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
JAN1N4469 Microchip Technology 1月1N4469 6.1500
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4469 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 na @ 12 V 15 v 9欧姆
JAN1N4479 Microchip Technology 1月1N4479 6.1500
RFQ
ECAD 3138 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4479 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
JAN1N457 Microchip Technology 1月1N457 -
RFQ
ECAD 5618 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/193 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N457 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 70 v 1 V @ 100 ma 25 NA @ 70 V -65°C〜150°C 150mA -
JAN1N5711-1 Microchip Technology 1月1N5711-1 5.9550
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5711 肖特基 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 70 v 1 V @ 15 mA 200 na @ 70 V -65°C〜150°C 33ma 2pf @ 0v,1MHz
JAN1N965B-1 Microchip Technology 1月1N965B-1 1.9050
RFQ
ECAD 2841 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N965 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 v 16欧姆
JAN1N966B-1 Microchip Technology 1月1N966B-1 1.9950
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N966 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 12.2 V 16 V 17欧姆
JAN1N978B-1 Microchip Technology 1月1N978B-1 -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 38.8 V 51 v 125欧姆
JANS1N4105UR-1 Microchip Technology JANS1N4105UR-1 47.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4105 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 8.5 V 11 V 200欧姆
JANS1N4469US Microchip Technology JANS1N4469US -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 na @ 12 V 15 v 600欧姆
JANS1N4568AUR-1 Microchip Technology JANS1N4568AR-1 81.7500
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4568 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 200欧姆
JANS1N4960US Microchip Technology JANS1N4960US 92.0400
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4960 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
JANS1N4962US Microchip Technology JANS1N4962US 92.9250
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4962 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JANS1N4996US Microchip Technology JANS1N4996US 552.4500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JANS1N6324US Microchip Technology JANS1N6324US 136.0950
RFQ
ECAD 3397 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6324 500兆 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 8 V 10 v 500欧姆
JANS1N6326US Microchip Technology JANS1N6326US 136.0950
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6326 500兆 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 9 V 12 v 7欧姆
JANTX1N1186 Microchip Technology JANTX1N1186 107.3700
RFQ
ECAD 7379 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/297 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1186 标准 do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C 35a -
JANTX1N1202A Microchip Technology JANTX1N1202A 69.5850
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/260 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1202 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 2.3 V @ 240 A 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 12a -
JANTX1N1614 Microchip Technology JANTX1N1614 -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/162 大部分 在sic中停产 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 15 A 50 µA @ 200 V -65°C〜175°C 15a -
JANTX1N3020B-1 Microchip Technology JANTX1N3020B-1 8.5800
RFQ
ECAD 4061 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3020 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 7.6 V 10 v 7欧姆
JANTX1N3025B-1 Microchip Technology JANTX1N3025B-1 8.6700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3025 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
JANTX1N3033B-1 Microchip Technology JANTX1N3033B-1 10.0650
RFQ
ECAD 8102 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3033 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 27.4 V 36 V 50欧姆
JANTX1N3289 Microchip Technology JANTX1N3289 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/246 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3289 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 200 v 1.55 V @ 310 A 10 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 100a -
JANTX1N3671A Microchip Technology JANTX1N3671A 54.1800
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/260 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3671 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 2.3 V @ 240 A 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 12a -
JANTX1N3891 Microchip Technology JANTX1N3891 299.2500
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/304 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3891 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 38 A 200 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C 12a -
JANTX1N4099UR-1 Microchip Technology JANTX1N4099UR-1 10.5300
RFQ
ECAD 7101 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4099 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.17 V 6.8 v 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库