SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
RGP10DHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DHE3/53 -
RFQ
ECAD 1665年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10J-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-E3/53 -
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10JE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JE-M3/73 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10JHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JHE3/53 -
RFQ
ECAD 1656年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KE-E3/53 -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10Kehe3/91 -
RFQ
ECAD 4987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RMPG06D-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06D-E3/53 0.1792
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06DHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06DHE3_A/53 0.1792
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06GHE3_A/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06GHE3_A/100 0.2673
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06JHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3_A/53 0.1792
RFQ
ECAD 9348 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
SB040-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/100 -
RFQ
ECAD 1964年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 SB040 肖特基 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 600 mA 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 600mA -
SB250-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB250-E3/73 -
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB250 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
SB260-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB260-E3/53 0.2716
RFQ
ECAD 7035 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB260 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
SD101A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD101 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 60 V 1 V @ 15 mA 200 na @ 50 V 125°c (最大) 30mA 2pf @ 0v,1MHz
SD101B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101B-TAP 0.0446
RFQ
ECAD 6641 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD101 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 mv @ 15 ma 200 NA @ 40 V 125°c (最大) 30mA 2.1pf @ 0v,1MHz
SD103A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103A-TAP 0.3500
RFQ
ECAD 9464 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 30 V 125°c (最大) 200mA 50pf @ 0v,1MHz
SD103C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103C-TAP 0.0528
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 10 V 125°c (最大) 200mA 50pf @ 0v,1MHz
SF4004-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF4004-TAP 0.3267
RFQ
ECAD 9712 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 SF4004 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1a -
SF4005-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF4005-TAP 0.3267
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 SF4005 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a -
TZX10A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX10A-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX10 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 7.5 V 10 v 25欧姆
TZX11A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX11A-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX11 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 8.2 V 11 V 25欧姆
TZX11B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx11b-tap 0.0287
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX11 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 8.2 V 11 V 25欧姆
TZX12C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX12C-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX12 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 9.5 V 12 v 35欧姆
TZX12D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX12D-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX12 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 9.5 V 12 v 35欧姆
TZX13A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX13A-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 7350 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX13 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 10 V 13 V 35欧姆
TZX13C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX13C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX13 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 10 V 13 V 35欧姆
TZX15A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX15A-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 3425 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX15 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 11.5 V 15 v 40欧姆
TZX16A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX16A-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX16 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 16 V 16 V 45欧姆
TZX16C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX16C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX16 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 16 V 16 V 45欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库