SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
TZX24B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX24B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX24 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 19 V 24 V 70欧姆
TZX24X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX24X-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX24 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 19 V 24 V 70欧姆
TZX27A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27A-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 8102 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX27 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 21 V 27 V 80欧姆
TZX27B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX27 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 21 V 27 V 80欧姆
TZX27C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 9745 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX27 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-TZX27C-TAPCT Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 21 V 27 V 80欧姆
TZX2V4A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX2V4A-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX2V4 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 500 mV 2.4 v 100欧姆
TZX30B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX30B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX30 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 23 V 30 V 100欧姆
TZX30X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX30X-TAP 0.0273
RFQ
ECAD 5944 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX30 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 23 V 30 V 100欧姆
TZX33C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX33C-TAP 0.0285
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX33 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 25 V 33 V 120欧姆
TZX36C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX36C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX36 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 140欧姆
TZX3V0B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V0B-TAP 0.0290
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX3V0 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 500 mV 3 V 100欧姆
TZX3V6A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V6A-TAP 0.0290
RFQ
ECAD 9125 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX3V6 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 100欧姆
TZX3V9B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx3v9b-tap 0.0290
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX3V9 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 3.9 v 100欧姆
TZX4V3A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V3A-TAP 0.0290
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX4V3 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 1.5 V 4.3 v 100欧姆
TZX4V7B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V7B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX4V7 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 100欧姆
TZX5V1A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX5V1A-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 8478 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX5V1 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 100欧姆
TZX6V2A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX6V2A-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX6V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 3 V 6.2 v 15欧姆
TZX6V8B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX6V8B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX6V8 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 3.5 V 6.8 v 15欧姆
TZX7V5D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX7V5D-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX7V5 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 7.5 v 15欧姆
TZX8V2C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX8V2C-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX8V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 6.2 V 8.2 v 20欧姆
UF1005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF1005-E3/73 -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF1005 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 75 ns -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
UF1005-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF1005-M3/73 -
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF1005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 75 ns -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
UF4007-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4007-E3/53 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
UF4007-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4007-M3/73 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1a 17pf @ 4V,1MHz
UG1A-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1A-M3/73 -
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UG1 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
UG1C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1C-M3/73 -
RFQ
ECAD 6031 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UG1 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
UG1D-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1D-M3/73 -
RFQ
ECAD 6234 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UG1 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
UG4B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4B-M3/73 -
RFQ
ECAD 4612 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 UG4 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 4 A 15 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 4a 20pf @ 4V,1MHz
UG4C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4C-M3/73 -
RFQ
ECAD 2629 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 UG4 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 4 A 30 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C 4a 20pf @ 4V,1MHz
MURS120-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS120-M3/5BT 0.1427
RFQ
ECAD 7066 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB Murs120 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库