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二极管（（166326）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANTXV1N6858UR-1 Microchip Technology JANTXV1N6858UR-1 -
RFQ
 ECAD 1942年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N6858 肖特基 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 70 v 650 mv @ 15 ma 200 na @ 50 V -65°C〜150°C 75mA 4.5pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N753A-1 Microchip Technology JANTXV1N753A-1 5.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N753 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
JANTXV1N757A-1 Microchip Technology JANTXV1N757A-1 4.0800
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N757 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7 V 9.1 v 6欧姆
MC5616 Microsemi Corporation MC5616 -
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 通过洞 S，轴向 MC5616 标准 S，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 3000 v 6 V @ 100 ma 300 ns 1 µA @ 3000 V -65°C〜150°C 570mA -
CMHZ4697 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ4697 TR PBFRE 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 SOD-123 CMHZ4697 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 100 ma 1 µA @ 7.6 V 10 v
CMHZ4691 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ4691 TR PBFRE 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 SOD-123 CMHZ4691 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 100 ma 10 µA @ 5 V 6.2 v
CMSH3-40MA TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH3-40MA TR13 PBFRE 0.6300
RFQ
 ECAD 286 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA CMSH3 肖特基 SMA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 500 mv @ 3 a 500 µA @ 40 V -65°C〜150°C 3a 280pf @ 4V，1MHz
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30，L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CCS15S30 肖特基 CST2C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 400 mV @ 1 A 500 µA @ 30 V 125°c （最大） 1.5a 200pf @ 0v，1MHz
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30，L3QUF -
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CCS15S30 肖特基 CST2C 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 400 mV @ 1 A 500 µA @ 30 V 125°c （最大） 1.5a 200pf @ 0v，1MHz
1N4370A Microchip Technology 1N4370A 2.5200
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4370 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 1n4370ams Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 2.4 v 30欧姆
1N4465 Microchip Technology 1N4465 7.1600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4465 1.5 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
1N4465US Microchip Technology 1N4465US 11.3550
RFQ
 ECAD 5170 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，a 1N4465 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
1N4493 Microchip Technology 1N4493 11.8050
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4493 1.5 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 120 V 150 v 700欧姆
1N4573A-1 Microchip Technology 1N4573A-1 9.9300
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜100°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4573 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
1N4691 Microchip Technology 1N4691 3.9800
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4691 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 6.2 v
1N4734A Microsemi Corporation 1N4734A -
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4734 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
1N5234A Microchip Technology 1N5234A 3.9150
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5234 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 2266-1N5234A Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 3.8 V 6.2 v 7欧姆
1N5712 Microchip Technology 1N5712 6.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5712 肖特基 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 1N5712MS Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 20 v 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 V -65°C〜150°C 75mA 2pf @ 0v，1MHz
1N5822US Microchip Technology 1N5822U 81.7600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，b 1N5822 肖特基 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 500 mv @ 3 a 100 µA @ 40 V -65°C〜125°C 3a -
1N6625E3 Microchip Technology 1N6625E3 -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 通过洞 a，轴向 标准 a，轴向 - Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1100 v 1.95 V @ 1.5 A 80 ns 1 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 1a -
1N6643US Microchip Technology 1N6643US 7.4400
RFQ
 ECAD 906 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，E 1N6643 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.2 V @ 100 ma 20 ns 50 na @ 50 V -65°C〜175°C 300mA 5pf @ 0v，1MHz
1N754A Microchip Technology 1N754A 2.1800
RFQ
 ECAD 1949年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N754 500兆 DO-7（do-204AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 1n754ams Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 5欧姆
1N936A Microchip Technology 1n936a 11.7000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N936 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
1N965BE3 Microchip Technology 1N965BE3 2.5650
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N965 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 v 16欧姆
S30760 Microchip Technology S30760 52.3200
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S30760 标准 do-5 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 25 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 85a -
S3480 Microchip Technology S3480 55.1200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S3480 标准 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.15 V @ 90 A 10 µA @ 800 V -65°C 〜200°C 45a -
SBR60100 Microchip Technology SBR60100 144.5850
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 SBR60100 肖特基 do-5 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 mA @ 100 V -65°C〜175°C 60a -
UES1104 Microchip Technology UES1104 23.4000
RFQ
 ECAD 1658年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 UES1104 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.25 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a -
UES1305 Microchip Technology UES1305 30.6900
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 UES1305 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.25 V @ 3 A 50 ns 20 µA @ 300 V -55°C〜150°C 3a -
UFR3260 Microchip Technology UFR3260 93.6300
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 UFR3260 标准 do-4 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.35 V @ 30 A 60 ns 15 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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