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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N4007GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-M3/73 -
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4151TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151TAP 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4151 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 50 mA 4 ns 50 na @ 50 V -65°C〜175°C 150mA 2pf @ 0v,1MHz
1N4246GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4246GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 4255 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4246 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 400 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4454-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4454-TAP 0.0530
RFQ
ECAD 6273 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4454 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 150mA -
1N4731A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4731A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4731 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
1N4741A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4741A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4741 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
1N4742A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4742A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4742 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
1N4743A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4743A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4743 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
1N4744A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4744A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4744 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
1N4747A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4747A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4747 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 15.2 V 20 v 22欧姆
1N4751A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4751A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4751 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
1N4756A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4756A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4756 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N4761A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4761A-TAP 0.3300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4761 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 56 V 75 v 175欧姆
1N4933GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4933GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4933 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4934GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 5520 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4934GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 7956 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4936-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936-E3/53 -
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4936 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4937E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937E-E3/53 -
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4937 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V 1a 12pf @ 4V,1MHz
1N4944GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4944GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4944 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4947GPHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4947GPHM3/73 -
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4947 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N5062TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5062TAP 0.6500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 1N5062 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.15 V @ 2.5 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a 40pf @ 0v,1MHz
1N5223B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5223B-TAP 0.2700
RFQ
ECAD 7887 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5223 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 2.7 v 30欧姆
1N5224B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5224B-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 3012 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5224 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 2.8 v 30欧姆
1N5227C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5227C-TAP 0.0339
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5227 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 15 µA @ 1 V 3.6 v 24欧姆
1N5233B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5233B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5233 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
1N5233C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5233C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5233 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
1N5236B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5236B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5236 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
1N5237C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5237C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 6964 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5237 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 v 8欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库