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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
FEPB16BTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb16bthe3_a/p 1.1550
RFQ
ECAD 9388 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C
FEPB16DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb16dthe3_a/p 1.1550
RFQ
ECAD 5197 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 8a 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C
FEPB16FTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb16fthe3_a/p 1.1715
RFQ
ECAD 7686 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 8a 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C
FEPB16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16GT-E3/45 0.9405
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 8a 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C
FEPB16HTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16HTHE3_A/p 1.1715
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 500 v 8a 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 500 V -55°C〜150°C
FEPB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16JT-E3/45 1.7800
RFQ
ECAD 323 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 8a 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FEPB6ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB6ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB6 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FEPB6CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB6CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB6 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FEPF16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF16GT-E3/45 1.7200
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF16 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 8a 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C
FEPF6AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6AT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FEPF6BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6BTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1555年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C
FEPF6CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FEPF6CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF6CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1545年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 FEPF6 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FES16ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 6744 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
FES16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16CT-E3/45 0.6780
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 16a -
FES16FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16FT-E3/45 0.7508
RFQ
ECAD 1620年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 16a -
FES16FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16FTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4886 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 16a -
FES16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16HT-E3/45 1.5900
RFQ
ECAD 975 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65°C〜150°C 16a -
FES16HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16H 3/45 -
RFQ
ECAD 1897年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65°C〜150°C 16a -
FES16JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fes16jthe3/45 -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 16a -
FES8ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a -
FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8DT-E3/45 1.1200
RFQ
ECAD 949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FES8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8DTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FES8FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8FTHE3/45 -
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C 8a -
FESB16BTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16BTHE3_A/p 1.3530
RFQ
ECAD 8400 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16CT-E3/45 0.9182
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16GT-E3/45 0.9504
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8CTHE3_A/p 0.8085
RFQ
ECAD 7828 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8DTHE3_A/p 0.8085
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8GT-E3/45 0.6409
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库