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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5239C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 1683年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5239 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
1N5240B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5240B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5240 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 8 V 10 v 17欧姆
1N5241B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5241B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5241 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22欧姆
1N5241C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5241C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 5545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5241 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22欧姆
1N5242B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5242B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5242 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 30欧姆
1N5244C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5244C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5244 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
1N5248C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5248C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5248 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 14 V 18 V 21欧姆
1N5250B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5250 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
1N5250C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 1929年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5250 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
1N5251B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5251B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 1858年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5251 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 17 V 22 v 29欧姆
1N5252B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5252B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5252 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 18 V 24 V 33欧姆
1N5253B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5253B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 4593 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5253 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
1N5254C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5254C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 3899 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5254 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 27 V 41欧姆
1N5257C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5257C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 5370 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5257 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 25 V 33 V 58欧姆
1N5260C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5260C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5260 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 33 V 43 V 93欧姆
1N5261B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5261B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5261 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 36 V 47 V 105欧姆
1N5262C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5262C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5262 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 39 V 51 v 125欧姆
1N5263C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5263C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 1976年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5263 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 43 V 56 v 150欧姆
1N5266C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5266C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 1993 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5266 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 52 V 68 v 230欧姆
31GF6-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 31GF6-M3/73 -
RFQ
ECAD 5208 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 31GF6 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.6 V @ 3 A 30 ns 20 µA @ 600 V -40°C〜150°C 3a -
BA159GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYC30W-600PQ WeEn Semiconductors BYC30W-600PQ 2.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 BYC30 标准 TO-247-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.75 V @ 30 A 22 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大) 30a -
BYC30WT-600PQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ 2.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 BYC30 标准 TO-247-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 934068091127 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.75 V @ 30 A 22 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大) 30a -
BZX84-B3V6VL Nexperia USA Inc. BZX84-B3V6VL 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84-B3V6 250兆 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 600欧姆
NUR460PU WeEn Semiconductors NUR460PU -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 Ween半导体 - 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 NUR460 标准 Do-201 AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 934067058112 Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.28 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 600 V - 4a -
PMEG2002ESF,315 Nexperia USA Inc. PMEG2002ESF,315 0.3900
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 0201(0603公制) PMEG2002 肖特基 DSN0603-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 9,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 20 v 490 mv @ 100 ma 1.9 ns 3.5 µA @ 20 V 125°c (最大) 200mA 25pf @ 1V,1MHz
MUR4100GP-TP Micro Commercial Co MUR4100GP-TP 0.2966
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Mur4100 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.85 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 4a 50pf @ 4V,1MHz
MUR420GP-TP Micro Commercial Co MUR420GP-TP 0.1994
RFQ
ECAD 1715年 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Mur420 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.35 V @ 4 A 60 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 4a 80pf @ 4V,1MHz
MUR480GP-TP Micro Commercial Co MUR480GP-TP 0.2966
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 MUR480 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.85 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 4a 50pf @ 4V,1MHz
BAS16P2T5G onsemi BAS16P2T5G 0.2400
RFQ
ECAD 473 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-923 BAS16 标准 SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C 200mA 2pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库