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二极管（（166326）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5362B/TR8	2.6850	RFQ	4160	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V						28 V	6欧姆
1N5362BE3/TR8	2.6850	RFQ	2717	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V						28 V	6欧姆
1N5363A/TR8	-	RFQ	5086	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5363		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 21.6 V						30 V	8欧姆
1N5365A/TR8	2.6250	RFQ	5794	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 25.9 V						36 V	11欧姆
1N5365B/TR8	2.6850	RFQ	1745年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 25.9 V						36 V	11欧姆
1N5365C/TR8	3.3900	RFQ	9042	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 25.9 V						36 V	11欧姆
1N5365CE3/TR8	3.3900	RFQ	2623	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 25.9 V						36 V	11欧姆
1N5365E3/TR8	-	RFQ	6130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 25.9 V						36 V	11欧姆
IDH16G65C5XKSA1	-	RFQ	8089	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-2	IDH16	SIC （碳化硅）		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）	650 v	1.7 V @ 16 A	0 ns	550 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	16a	470pf @ 1V，1MHz
CD214A-R1600	-	RFQ	7852	Bourns Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	CD214A	标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	12pf @ 4V，1MHz
CD1005-Z15	-	RFQ	6016	Bourns Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	表面安装	1005 （2512公制）	CD1005		200兆	1005	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					100 na @ 11 V						15 v	30欧姆
CD1005-Z24	-	RFQ	8966	Bourns Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	表面安装	1005 （2512公制）	CD1005		200兆	1005	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					100 na @ 18 V						24 V	80欧姆
CD1005-Z8V2	-	RFQ	2523	Bourns Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	表面安装	1005 （2512公制）	CD1005		200兆	1005	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					100 na @ 6 V						8.2 v	7欧姆
BZX84B7V5-7-F	0.1900	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15欧姆
mtzjt-722.7b	-	RFQ	4740	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt722.7b	Ear99	8541.10.0050	5,000											2.7 v
MTZJT-7220C	-	RFQ	2404	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7220c	Ear99	8541.10.0050	5,000											20 v
mtzjt-7222b	-	RFQ	3058	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7222b	Ear99	8541.10.0050	5,000					200 na @ 17 V						22 v	30欧姆
MTZJT-7227C	-	RFQ	6217	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MTZJT7227C	Ear99	8541.10.0050	5,000					200 na @ 21 V						27 V	45欧姆
mtzjt-7230a	-	RFQ	9186	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7230a	Ear99	8541.10.0050	5,000					200 na @ 23 V						30 V	55欧姆
mtzjt-7239b	-	RFQ	8429	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7239b	Ear99	8541.10.0050	5,000					200 na @ 30 V						39 v	85欧姆
MTZJT-726.2A	-	RFQ	1111	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt726.2a	Ear99	8541.10.0050	5,000					5 µA @ 3 V						6.2 v	30欧姆
MTZJT-727.5C	-	RFQ	2324	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MTZJT727.5C	Ear99	8541.10.0050	5,000					500 na @ 4 V						7.5 v	20欧姆
MTZJT-729.1C	-	RFQ	3679	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt729.1c	Ear99	8541.10.0050	5,000					500 na @ 6 V						9.1 v	20欧姆
MTZJT-772.2B	-	RFQ	4872	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt772.2b	Ear99	8541.10.0050	5,000											2.2 v
mtzjt-7724d	-	RFQ	9519	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7724d	Ear99	8541.10.0050	5,000					200 na @ 19 V						24 V	35欧姆
MTZJT-773.0B	-	RFQ	5143	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt773.0b	Ear99	8541.10.0050	5,000											3 V
2W02M	-	RFQ	4033	基因半导体	-	大部分	过时的		-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准		口碑营销	下载		（1 （无限）		2W02MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
2W10m	-	RFQ	4910	基因半导体	-	大部分	过时的		-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准		口碑营销	下载		（1 （无限）		2W10MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
BR61	0.7425	RFQ	4886	基因半导体	-	大部分	积极的		-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准		BR-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		br61gn	Ear99	8541.10.0080	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 100 V		6 a		单相	100 v
BR610	0.7425	RFQ	5194	基因半导体	-	大部分	积极的		-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准		BR-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR610GN	Ear99	8541.10.0080	200			1 V @ 3 A		10 µA @ 1000 V		6 a		单相	1 kV

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²