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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5552 | 5.8400 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5552 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||
1N5616 | 3.3200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5616 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||
1N5616US | 7.0500 | ![]() | 7024 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5616 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||
1N5621 | - | ![]() | 4240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.6 V @ 3 A | 300 ns | 500 NA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 12v,1MHz | ||||||
1N3070UR-1 | 7.0200 | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N3070 | 标准 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 175 v | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 175 V | -65°C〜175°C | 100mA | - | |||||
![]() | HS247180R | - | ![]() | 1413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 半粉 | 肖特基,反极性 | 半粉 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 180 v | 860 MV @ 240 A | 8 ma @ 180 V | 240a | 6000pf @ 5V,1MHz | ||||||||
![]() | APT2X51DC120J | - | ![]() | 1314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT2X51 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 50a | 1.8 V @ 50 A | 0 ns | 1 ma @ 1200 V | |||||
![]() | APT2X51DC60J | - | ![]() | 8713 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT2X51 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 600 v | 50a | 1.8 V @ 50 A | 0 ns | 1 ma @ 600 V | |||||
![]() | APT2X60DC60J | - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT2X60 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 600 v | 60a | 1.8 V @ 60 A | 0 ns | 1.2 ma @ 600 V | |||||
JANTXV1N5622U | 16.6650 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5622 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||
![]() | JANTXV1N5809US | 12.3150 | ![]() | 8130 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5809 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||
![]() | CDLL5711 | 11.0600 | ![]() | 253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | CDLL5711 | 肖特基 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 410 MV @ 1 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | JANTX1N3646 | 19.0050 | ![]() | 8216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/279 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | S,轴向 | 1N3646 | 标准 | S,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1750 v | 5 V @ 250 MA | 5 µA @ 1750 V | -65°C〜175°C | 250mA | - | |||||
JANTX1N5416US | 11.5500 | ![]() | 2680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N5416 | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | JANTX1N5554 | 8.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5554 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 2 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||
![]() | JANTX1N5811US | 8.6700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5811 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||
JANTX1N6074 | 15.7350 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/503 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6074 | 标准 | a-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 2.04 V @ 9.4 A | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 850mA | - | |||||
![]() | Jan1n55551 | 6.0900 | ![]() | 8382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5551 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||
![]() | CDBZ5T1045-HF | 1.8300 | ![]() | 263 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | Z5-T | CDBZ5T1045 | 肖特基 | SMC Z5-T) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 550 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||
![]() | CPT300100D | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 150a | 980 mv @ 200 a | 4 mA @ 100 V | ||||||||
![]() | CPT400100A | - | ![]() | 4401 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 200a | 890 mv @ 200 a | 5 ma @ 100 V | ||||||||
![]() | CPT40145A | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a | 570 mv @ 200 a | 10 mA @ 45 V | ||||||||
![]() | DB2S40600L | - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | DB2S406 | 肖特基 | SC-79 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 600 mv @ 100 ma | 900 ps | 5 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 100mA | 2.2pf @ 10V,1MHz | |||||
LSM145 MELF | - | ![]() | 4459 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | LSM145 | 肖特基 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 580 mv @ 1 a | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||
![]() | DSB0.5A30 | - | ![]() | 7550 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DSB0.5 | 肖特基 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 650 MV @ 500 mA | 10 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 500mA | 60pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | DSB5818 | - | ![]() | 1210 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | DSB5818 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mV @ 1 A | 100 na @ 30 V | - | 1a | - | |||||
![]() | 1N6547 | 13.4400 | ![]() | 3034 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6547 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | CDLL486B | 5.5350 | ![]() | 1796年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | CDLL486 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CDLL486B-MIL | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 250 v | 1 V @ 100 ma | 100 µA @ 250 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||
![]() | MDMA85P1600TG | 31.0547 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | TO-240AA | MDMA85 | 标准 | TO-240AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 85a | 1.17 V @ 85 A | 200 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | CD2010-B140 | 0.1200 | ![]() | 9119 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 芯片,凹面端 | CD2010 | 肖特基 | 2010 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 100 µA @ 40 V | -40°C〜125°C | 1a | - |
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